一种改进的BiCMOS工艺欠压锁存电路的设计

针对DC-DC电源管理芯片中所必需的欠压锁存功能,利用带隙基准电压源的原理,提出一种新的改进的UV-LO(欠压锁存)电路的设计,实现了欠压锁存的阈值点和迟滞量,成功地实现了欠压锁存电路的预定功能。基于0.6μm BiC-MOS工艺,HSpice软件仿真的结果表明所设计的UVLO电路具有结构简单、温度漂移小、功耗低等特点,性能有很大改善,满足了芯片的需要。

可防误翻转高精度欠压锁存电路设计

在分析传统欠压锁存电路(UVLO:Under voltage lockout)工作原理的基础上,利用VIS 0.4μm BCD工艺设计一种具有防误翻转功能的高精度欠压锁存电路。该电路由3部分组成,以带隙比较器为核心,引入具有迟滞特性的防误翻转电路以保证欠压锁存信号能安全可靠地输出,并通过调整带隙基准的温度特性保证欠压锁存阈值精度,最后经过放大输出电路放大后,输出稳定的欠压锁存信号。采用Cadence软件对所设计的电路进行仿真。研究结果表明:在-40~125℃范围内欠压锁存阈值偏差最大为100 m V,阈值分辨率可达10-5 V,在3~5 V工作电压下,防误翻转电路开启阈值为2.95 V,能有效防止欠压锁存电路误翻转。该电路的设计理念和仿真结果有助于后期电源芯片的开发。

基于0.5μm BCD工艺的欠压锁存电路设计

针对DC-DC电源管理系统中所必须的欠压锁存(UVLO)功能,提出一种改进的欠压锁存电路。所设计的电路在不使用额外的带隙基准电压源作为比较基准的情况下,实现了阈值点电位、比较器的滞回区间等参量的稳定。整个电路采用CSMC 0.5μm BCD工艺设计,使用HSpice软件仿真,结果表明所设计的UVLO电路具有结构简单、反应灵敏、温度漂移小、功耗低等特点。

应用于开关电源控制芯片的欠压锁存电路的设计

针对单片开关电源控制芯片设计了一种欠压锁存电路,该电路结构简单,无需使用基准电压源,具有功耗低,响应速度快等优点,并可以实现滞回功能。最后在CSMC0.5μmCMOS工艺库下使用CadenceSpectre进行了仿真验证,结果表明,芯片正常工作时,欠压锁存电路的平均功耗低于10mW,响应速度较快,而且电路实现了滞回功能,滞回电压范围为800mV左右。

高效率、低电压输出开关稳压器VT101/102

介绍了Ｖｏｌｔｅｒｒａ半导体公司新型高效率、低电压输出开关稳压器ＶＴ１０１／１０２及其应用电路。

强驱动光电耦合器的设计与研究

研制了一款具有强驱动电流且能稳定工作的光电耦合器芯片,其中含有欠压锁存电路、逻辑控制模块以及后级的Push-Pull驱动电路。详细分析了欠压锁存(UVLO)及逻辑控制模块的工作原理,并以此为基础对整体外围电路进行仿真,仿真驱动电流达到3A以上。实测结果表明,当电源电压为30V、测试温度为25℃时,芯片正向峰值电流可达2.8A,负向驱动电流峰值可达2.5A,满足系统设计指标,适用于大型电力电子工业系统中。