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增强型GaN功率管的可靠性分析
1
作者
赵媛
王立新
+1 位作者
赵高峰
郭敏
《集成电路应用》
2024年第4期22-25,共4页
阐述氮化镓器件的结构和特性,描述其开关导通过程并搭建等效模型,从内部驱动电路和外界共模瞬态(CMT)事件的影响两方面进行分析,得出影响氮化镓功率器件可靠性的因素,基于此可靠性分析提出对于不同功率管误开启事件采用的不同解决方案,...
阐述氮化镓器件的结构和特性,描述其开关导通过程并搭建等效模型,从内部驱动电路和外界共模瞬态(CMT)事件的影响两方面进行分析,得出影响氮化镓功率器件可靠性的因素,基于此可靠性分析提出对于不同功率管误开启事件采用的不同解决方案,并通过Cadence仿真软件进行ADE仿真,印证其可靠性结果。
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关键词
增强型氮化镓器件
半桥驱动电路
欠阻尼关断
共模瞬态抗扰度
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职称材料
题名
增强型GaN功率管的可靠性分析
1
作者
赵媛
王立新
赵高峰
郭敏
机构
中国科学院微电子研究所
河南大学
出处
《集成电路应用》
2024年第4期22-25,共4页
文摘
阐述氮化镓器件的结构和特性,描述其开关导通过程并搭建等效模型,从内部驱动电路和外界共模瞬态(CMT)事件的影响两方面进行分析,得出影响氮化镓功率器件可靠性的因素,基于此可靠性分析提出对于不同功率管误开启事件采用的不同解决方案,并通过Cadence仿真软件进行ADE仿真,印证其可靠性结果。
关键词
增强型氮化镓器件
半桥驱动电路
欠阻尼关断
共模瞬态抗扰度
Keywords
enhance mode-GAN
half-bridge driver
owe damping off
CMTI
分类号
TN402 [电子电信—微电子学与固体电子学]
TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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作者
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1
增强型GaN功率管的可靠性分析
赵媛
王立新
赵高峰
郭敏
《集成电路应用》
2024
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