浸渍钨次级电子发射体冷阴极材料

冷阴极材料由多孔钨、浸渍氧化物而制成。冷阴极材料最大次级电子发射系数δｍａｘ＝４．３；相对应的电子能量Ｅ＿ｏ＝４００ｅＶ；第一交叉点的能量约５０ｅＶ。

微通道板次级电子发射层中各元素随深度的分布

本文应用XPS研究微通道板次级电子发射层中各元素浓度随深度的分布,以及不同烧氢还原温度对此分布的影响,并讨论了不同烧氢还原温度对次级电子发射性能的影响,在此基础上提出了改进微通道板性能的几个途径。