p型InGaAs薄层半导体欧姆接触特性分析

从电流在金属和半导体界面的拥堵效应出发,依据圆形传输线模型(CTLM)推导出适用于金属和薄层半导体间欧姆接触电阻率的表达式。利用四探针电阻测量法、高导电性下小电流密度测试法以及对薄膜电阻和传输线长度采用非线性拟合的方法获得薄层半导体与金属之间高精度的欧姆接触电阻和电阻率测试结果。研究了Zn掺杂浓度和合金温度对p型InGaAs薄层半导体欧姆接触特性的影响。研究发现:在相同合金温度下,掺杂浓度为1.94×10^(19)cm^(-3)时,样品的欧姆接触电阻率小于掺杂浓度为1.52×10^(19)cm^(-3)的样品,即提高p型InGaAs薄层半导体Zn掺杂浓度有利于半导体和金属Ti/Pt/Au形成良好的欧姆接触;相同Zn掺杂浓度的p型InGaAs薄层半导体,在经过光刻、等离子体去胶、湿法腐蚀等前道工艺后,合金温度为410℃的样品欧姆接触电阻率小于合金温度为380℃的样品,即可通过提高合金温度改善半导体与金属之间的欧姆接触特性。

PTC欧姆铝电极浆料印烧工艺对元件性能的影响

以In/Ga电极作为参考电极,研究讨论了铝电极厚度对最终PTC元件性能的影响,并得出了最佳厚度参数。采用差热分析法,观察了在升温过程中铝电极的物理化学变化,并详细讨论了影响铝电极烧渗过程的三个重要参数:升温速度,最高烧渗温度及保温时间与元件性能的关系。得出在本电极组成条件下,最佳工艺参数:丝网目数为220目,升温时间为10 min,最高烧渗温度为660℃,保温时间为10 min。