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正交相位输出压控振荡器的低相位噪声优化设计 被引量:2
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作者 祁楠 李国林 《电子技术应用》 北大核心 2008年第8期65-68,共4页
分析了负阻结构 LC 压控振荡器各组成部分对相位噪声的贡献途径及优化方法;介绍了利用两独立 VCO 核心输出正交相位信号的原理及其相位噪声优化方法;利用所得结论设计出工作于 ISM波段2.4GHz 的 QVCO,相位噪声在100kHz、1MHz 和3MHz 频... 分析了负阻结构 LC 压控振荡器各组成部分对相位噪声的贡献途径及优化方法;介绍了利用两独立 VCO 核心输出正交相位信号的原理及其相位噪声优化方法;利用所得结论设计出工作于 ISM波段2.4GHz 的 QVCO,相位噪声在100kHz、1MHz 和3MHz 频偏处分别达到-103.3、-121.1和-125.9dBc/Hz,仅消耗功率3.8 mW;所设计电路利用 HJTC0.18μm工艺制造,占用芯片面积0.75mm×1mm。 展开更多
关键词 振荡器 相位噪声 功耗 相位输出振荡器
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低功耗低噪声正交压控振荡器设计 被引量:2
2
作者 袁徐亮 程知群 孙晓伟 《微细加工技术》 EI 2006年第4期39-42,共4页
设计了一种用于WLAN 802.11 n收发机频率合成器的新颖低功耗、低相位噪声正交输出LC电压控制振荡器(QVCO)。电路设计中使用了Cadence IC5.033和ADS2004软件以及TSMC0.18μm CMOS工艺模型库,电路依靠并联的耦合支路相互作用使两个独立压... 设计了一种用于WLAN 802.11 n收发机频率合成器的新颖低功耗、低相位噪声正交输出LC电压控制振荡器(QVCO)。电路设计中使用了Cadence IC5.033和ADS2004软件以及TSMC0.18μm CMOS工艺模型库,电路依靠并联的耦合支路相互作用使两个独立压控振荡器输出相位成正交,采用PMOS并联耦合支路和开关控制偏置两种新技术降低了VCO的相位噪声,其仿真结果为1 MHz频偏处-128.6 dBc/Hz和10 kHz频偏处-84 dBc/Hz。采用数字电容阵列提高了QVCO的频率调谐范围,QVCO的频率范围仿真结果为3.1 GHz^4.1 GHz。QVCO的电源电压为1.8 V,功耗17 mW。实现了低功耗正交输出压控振荡器,同时通过新颖的电路设计技术改善了相位噪声,改变了正交输出LC压控振荡器高噪声的传统观念,为今后在正交输出LC压控振荡器的设计提供了一些参考。 展开更多
关键词 正交相位输出压控振荡器 CMOS 并联耦合支路 相位噪声 低功耗
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一种低相位噪声的正交电感电容压控振荡器的设计 被引量:1
3
作者 罗永双 赵唯辰 林福江 《信息技术与网络安全》 2020年第5期58-62,共5页
在相同的功耗下,串联耦合正交电感电容压控振荡器相位噪声性能优于并联耦合电感电容压控振荡器。但是在传统的串联耦合正交电感电容压控振荡器中,LC谐振腔中存在45°的相位偏移使得其相位噪声被恶化。因此提出一种交流偏置的串联耦... 在相同的功耗下,串联耦合正交电感电容压控振荡器相位噪声性能优于并联耦合电感电容压控振荡器。但是在传统的串联耦合正交电感电容压控振荡器中,LC谐振腔中存在45°的相位偏移使得其相位噪声被恶化。因此提出一种交流偏置的串联耦合正交电感电容压控振荡器。该振荡器中的LC谐振腔的相移接近0°,并且耦合MOS管的低频噪声上变频的相位噪声部分受到抑制。所以该交流偏置的串联耦合正交电感电容压控振荡器可以获得较好的相位噪声性能。所提出的正交电感电容压控振荡器在TSMC 180 nm CMOS工艺下设计完成。其输出频率调谐范围为2.34 GHz^2.60 GHz,电源电压为1.8 V,功耗约为11.2 mW。输出频率为2.58 GHz时,3 MHz频偏处的相位噪声为-140.1 dBc/Hz,相较于传统串联耦合正交振荡器优化了6.4 dB。该振荡器的品质因子为188.3 dBc/Hz,平均相位误差为0.05°。 展开更多
关键词 CMOS集成电路 振荡器 相位噪声 相位误差 低频噪声
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新型CMOS正交压控振荡器设计 被引量:2
4
作者 彭伟 彭敏 +2 位作者 黄春苗 吴昊 张群荔 《电子器件》 CAS 2007年第5期1597-1599,共3页
通过对两个相同的LC振荡器进行交差耦合,用耦合系数来控制输出频率,设计了一种新型精准正交正弦波压控振荡器.由于其频率调节方式不再依赖于变容管,大大增加了输出频率的调节范围.基于TSMC18rf工艺库,采用Cadence的Spectre工具对电路进... 通过对两个相同的LC振荡器进行交差耦合,用耦合系数来控制输出频率,设计了一种新型精准正交正弦波压控振荡器.由于其频率调节方式不再依赖于变容管,大大增加了输出频率的调节范围.基于TSMC18rf工艺库,采用Cadence的Spectre工具对电路进行仿真.在VDD=1.8V下,频率覆盖了1.78GHz到4.03GHz,可调控范围约为77%,1MHz处相位噪声约为-104dB/Hz. 展开更多
关键词 CMOS 振荡器 差耦合
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输入输出调谐的低相位噪声CMOS压控振荡器 被引量:3
5
作者 徐跃 杨英强 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2009年第6期50-53,共4页
设计了一个输入输出双调谐的CMOS压控振荡器(VCO),与传统的互补型交叉耦合对结构相比,该VCO谐振回路的有载品质因数得到提高,从而降低了相位噪声.采用CSM 0.25μm RF CMOS工艺设计,使用Cadence Spectre RF工具进行了仿真.仿真结果表明在... 设计了一个输入输出双调谐的CMOS压控振荡器(VCO),与传统的互补型交叉耦合对结构相比,该VCO谐振回路的有载品质因数得到提高,从而降低了相位噪声.采用CSM 0.25μm RF CMOS工艺设计,使用Cadence Spectre RF工具进行了仿真.仿真结果表明在2.5V的电源电压下,调谐范围为2.24~2.58GHz,达到了14.2%,相位噪声为-128dBc/Hz@1MHz,功耗为15mW. 展开更多
关键词 振荡器 输入输出调谐 互补型叉耦合对 相位噪声
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基于自偏置尾电流整形的宽带正交压控振荡器设计 被引量:1
6
作者 王德志 张科峰 邹雪城 《高技术通讯》 CAS CSCD 北大核心 2013年第10期1089-1094,共6页
提出了一种基于自偏置尾电流整形的宽带正交压控振荡器(Q-VCO)结构,其输出信号的交流成分和负峰值通过电容和峰值检测器叠加反馈到尾管的栅极作为偏置电压,用来抑制尾电流的噪声和稳定LC-tank的幅度,达到优化相位噪声的目的。在TSMC0.18... 提出了一种基于自偏置尾电流整形的宽带正交压控振荡器(Q-VCO)结构,其输出信号的交流成分和负峰值通过电容和峰值检测器叠加反馈到尾管的栅极作为偏置电压,用来抑制尾电流的噪声和稳定LC-tank的幅度,达到优化相位噪声的目的。在TSMC0.18μm CMOS工艺中,利用该结构设计频率覆盖率为66%,调谐范围为1.55GHz到3.1 GHz的宽带Q-VCO电路时,基于SpectreRF的模拟结果表明:当谐振频率从1.55GHz跳变到3.1 GHz时,最大的幅度改变仅为330mV;在3.1 GHz载波处,1 MHz频偏处的相位噪声为-126.4dBc/Hz,较没有幅度控制改进了2.4dB,且整个调谐频段范围内FoM约为-184。 展开更多
关键词 宽带振荡器 自偏置 尾电流整形 自动幅度 相位噪声
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基于输出电压摆幅提高的超低相位噪声电压控制振荡器设计
7
作者 戚玉华 何如龙 《科学技术与工程》 北大核心 2016年第11期194-197,共4页
提出了一种新型的超低相位噪声电压控制振荡器(Voltage contral oscillator,VCO)结构,该结构能够在不增加额外电感、不增大芯片面积的前提下,实现输出电压摆幅的大幅度提高,使得摆幅可以高于供电电压且低于地电位,进而改进VCO的相位... 提出了一种新型的超低相位噪声电压控制振荡器(Voltage contral oscillator,VCO)结构,该结构能够在不增加额外电感、不增大芯片面积的前提下,实现输出电压摆幅的大幅度提高,使得摆幅可以高于供电电压且低于地电位,进而改进VCO的相位噪声。采用TSMC 0.13μm CMOS工艺对该VCO进行设计。芯片测试结果表明,该VCO的振荡频率为5.5~6.2 GHz,在5.8 GHz振荡频率处,相位噪声达到-126.26 d Bc/Hz@1 MHz,消耗的功耗为2.5 m W。归一化FOM指标达到-197.5d Bc/Hz。 展开更多
关键词 振荡器 相位噪声 输出摆幅
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超低电压正交压控振荡器设计 被引量:1
8
作者 李静 刘辉华 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2014年第2期161-164,共4页
提出一种新的低压正交压控振荡器(QVCO)结构,该结构由两个完全相同的低压压控振荡器经过背栅耦合方式实现.背栅耦合方式使压控振荡器实现正交的输出时钟并且降低了功耗和输出相位噪声.该设计中的QVCO电路采用中芯国际0.13μm1P8M... 提出一种新的低压正交压控振荡器(QVCO)结构,该结构由两个完全相同的低压压控振荡器经过背栅耦合方式实现.背栅耦合方式使压控振荡器实现正交的输出时钟并且降低了功耗和输出相位噪声.该设计中的QVCO电路采用中芯国际0.13μm1P8M标准CMOS工艺,可以工作在0.35V的电源电压下,总的功耗为1.75mw,输出时钟频率为5.34GHz,偏离主频1MHz处的相位噪声为-110.5dBc/Hz,对应该相位噪声的FOM(Figure-Of-Merit)为-187.48dBc/Hz,频率调谐范围为4.92~5.34GHz.该QVCO可以在更低的电源电压下实现低的相位噪声,且拥有较高的FOM值. 展开更多
关键词 振荡器 背栅耦合
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UHF RFID中低噪声正交压控振荡器设计
9
作者 董程宏 张长春 +2 位作者 郭宇锋 刘蕾蕾 方玉明 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2014年第3期364-367,共4页
采用标准0.18μm RF CMOS工艺,设计了一种低相位噪声正交压控振荡器(QVCO)电路。该QVCO电路采用了两种新技术:分裂转换偏置与电容耦合技术。该电路不仅获得较好的相位噪声,还具有良好的相位误差。仿真结果表明,1.8V电压下,电路功耗为10.... 采用标准0.18μm RF CMOS工艺,设计了一种低相位噪声正交压控振荡器(QVCO)电路。该QVCO电路采用了两种新技术:分裂转换偏置与电容耦合技术。该电路不仅获得较好的相位噪声,还具有良好的相位误差。仿真结果表明,1.8V电压下,电路功耗为10.28mW。实现了848.1MHz^1.048GHz的调谐范围,输出频率为920MHz时,在频偏1MHz处,相位噪声为-127.5dBc/Hz,相位误差最小可达到0.01°。 展开更多
关键词 振荡器 分裂转换偏置 电容耦合 相位噪声
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一种新型的超低功耗正交压控振荡器的研究与设计 被引量:1
10
作者 丁建群 陈生海 +4 位作者 龙勇 陈渊 皱豪 吴飞成 周文豪 《科技与创新》 2018年第4期121-122,共2页
正交压控振荡器广泛应用于无线收发机中,为其提供本振信号源。功耗和相位噪声是振荡器的两项非常重要的指标,功耗的高低直接影响设备的使用时间,而相位噪声决定了信号源的纯度。设计了一种由PMOS管构成的超低功耗压控振荡器。与传统正... 正交压控振荡器广泛应用于无线收发机中,为其提供本振信号源。功耗和相位噪声是振荡器的两项非常重要的指标,功耗的高低直接影响设备的使用时间,而相位噪声决定了信号源的纯度。设计了一种由PMOS管构成的超低功耗压控振荡器。与传统正交振荡器相比,通过电容反馈和衬底偏置技术,所设计的电路具有超低功耗、低相位噪声及高输出摆幅等特点。在Cadence IC 5141软件中仿真,仿真结果显示在0.46 V电源电压下,功耗仅仅0.842 m W,工作频率为2.4 GHz时,其相位噪声是118.6 d Bc/Hz@1-MHz。 展开更多
关键词 超低功耗 振荡器 相位噪声 衬底偏置
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一种高频二级交叉耦合压控振荡器 被引量:1
11
作者 张开伟 戴庆元 +1 位作者 肖轶 赵懿 《电子器件》 CAS 2007年第2期523-525,共3页
采用等效为电感特性的负载和交叉耦合结构两种电路技术设计了一种高工作频率、低相位噪声的二级环形振荡器(two-stage VCO).因为是偶数级的环路级数,振荡器可输出两路相差90°的正交输出时钟.采用TSMC0.25μm CMOS工艺参数,用Cadenc... 采用等效为电感特性的负载和交叉耦合结构两种电路技术设计了一种高工作频率、低相位噪声的二级环形振荡器(two-stage VCO).因为是偶数级的环路级数,振荡器可输出两路相差90°的正交输出时钟.采用TSMC0.25μm CMOS工艺参数,用Cadence的spectre软件进行仿真,在2.5V电压下,工作频率为5GHz时,偏离主频1MHz处相位噪声为-87dBc/Hz.功耗:16.7mW. 展开更多
关键词 二级振荡器 叉耦合 等效电感 锁相环 相位
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一种宽带正交振荡器中子频带的精确设计方法 被引量:1
12
作者 潘杰 杨海钢 杨立吾 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2010年第2期204-207,239,共5页
设计了一个应用于3.5 GHz频段锁相环的低电压宽带正交压控振荡器。通过对开关电容阵列进行功能划分和优化设计,从而精确地将锁相环的频道点逐一映射到了振荡器的子频带中,进而消除了频道切换时子频带的选择过程时间。该芯片采用0.18μm ... 设计了一个应用于3.5 GHz频段锁相环的低电压宽带正交压控振荡器。通过对开关电容阵列进行功能划分和优化设计,从而精确地将锁相环的频道点逐一映射到了振荡器的子频带中,进而消除了频道切换时子频带的选择过程时间。该芯片采用0.18μm CMOS工艺实现,测试结果表明:振荡器的频率覆盖范围从3.04~3.58 GHz,并且所有的子频带均一一准确地覆盖了目标频道点;调谐增益从86 MHz/V变化至132 MHz/V,其平均值仅比设计值高6%;最高子频带的中心频率为3.538 GHz,其偏离载波1 MHz处的相位噪声为-121.6 dBc/Hz;在1.2 V电源电压下,振荡器核心的功耗约为14 mW。 展开更多
关键词 锁相环 宽带 振荡器 开关电容阵列 子频带
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一种低相噪压控振荡器的设计与实现
13
作者 张振宇 索瑞隆 +1 位作者 杨爱军 赵凡 《无线电工程》 2017年第2期74-77,82,共5页
基于短波通信系统低噪声、小型化需求,提出了一种低相噪压控振荡器(VCO),其频率范围46~76 MHz,调谐电压2.5~9.5 V,采用表面贴的封装结构,体积12.7 mm×12.7 mm×4.3 mm。设计采用改进型电容三点式克拉泼振荡器电路,与LC调谐带... 基于短波通信系统低噪声、小型化需求,提出了一种低相噪压控振荡器(VCO),其频率范围46~76 MHz,调谐电压2.5~9.5 V,采用表面贴的封装结构,体积12.7 mm×12.7 mm×4.3 mm。设计采用改进型电容三点式克拉泼振荡器电路,与LC调谐带宽电路共同产生正弦波频率信号的设计方法,通过线路设计、高Q元器件的应用及精细的工艺加工,逐步提高性能指标,实现了低噪声压控振荡器(VCO)制造的目的。测试结果表明,振荡器单边带相位噪声10 k Hz、100 k Hz处分别达到了-125 d Bc/Hz、-145 d Bc/Hz,较同类压控振荡器产品降低了-15 d Bc/Hz左右。 展开更多
关键词 振荡器(VCO) 相位噪声 LC谐振电路 电阻衰减网络 输出匹配网络
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M675S02:压控振荡器
14
《世界电子元器件》 2012年第4期37-37,共1页
IDT公司推出低抖动硅锗(SiGe)声表面(SAW)压控振荡器(VCSO)产品系列。IDT的M675S02系列是针对低抖动和低相位噪声时钟生成的单频、单输出VCSO,可支持从500MHz-1GHz的基频。新器件可提供更高的频率,低抖动和相位噪声可帮助减少... IDT公司推出低抖动硅锗(SiGe)声表面(SAW)压控振荡器(VCSO)产品系列。IDT的M675S02系列是针对低抖动和低相位噪声时钟生成的单频、单输出VCSO,可支持从500MHz-1GHz的基频。新器件可提供更高的频率,低抖动和相位噪声可帮助减少整体误码率。 展开更多
关键词 振荡器 IDT公司 相位噪声 低抖动 输出 新器件 误码率 硅锗
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5GHz0.18μm CMOS工艺正交输出VCO
15
作者 陈莹梅 王志功 +2 位作者 朱恩 冯军 章丽 《光通信研究》 北大核心 2004年第2期39-41,共3页
文章采用全开关状态的延时单元和双延时路径两种电路技术设计了一种高工作频率、低相位噪声的环形振荡器.环路级数采用偶数级来获得两路相位相差90℃的正交输出时钟.采用TSMC0.18μmCMOS工艺进行流片,电压控制振荡器(VCO)的频率范围为4.... 文章采用全开关状态的延时单元和双延时路径两种电路技术设计了一种高工作频率、低相位噪声的环形振荡器.环路级数采用偶数级来获得两路相位相差90℃的正交输出时钟.采用TSMC0.18μmCMOS工艺进行流片,电压控制振荡器(VCO)的频率范围为4.9~5.5GHz,模拟的相位噪声为-119.3dBc/Hz@5M,采用1.8V电源电压,核芯电路的功耗为30mW,振荡器核芯面积为60μm×60μm. 展开更多
关键词 CMOS 相位噪声 环形振荡器 振荡器 VCO 输出 光纤通信
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优化耦合方式的低相位噪声宽带正交压控振荡器设计 被引量:1
16
作者 黄德平 李巍 +1 位作者 李宁 任俊彦 《复旦学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2010年第2期249-256,共8页
本文对传统正交压控振荡器(QVCO)耦合方式进行了改进,提出了在耦合管的源端引入相移网络的方法,从而改善了QVCO电路的相位噪声性能以及减小输出相位失配,并依此设计了一个低相位噪声,输出相位关系稳定的宽带正交压控振荡器.QVCO电路采用... 本文对传统正交压控振荡器(QVCO)耦合方式进行了改进,提出了在耦合管的源端引入相移网络的方法,从而改善了QVCO电路的相位噪声性能以及减小输出相位失配,并依此设计了一个低相位噪声,输出相位关系稳定的宽带正交压控振荡器.QVCO电路采用TSMC 0.13 μm CMOS工艺进行设计,输出频率范围为3.4~5.48 GHz,即调谐范围达46.8%.测试表明,输出频率4.2 GHz时在频偏1 MHz处,相位噪声为-120 dBc/Hz.在整个输出频率范围内电路FOM值介于179.5~185.2 dB,电路功耗为7.68~18mW. 展开更多
关键词 振荡器 相位噪声 多相振荡器 宽带输出 频率综合器
原文传递
超宽带无线收发机中的正交LC VCO设计
17
作者 王勇 黄风义 +2 位作者 程嘉 唐旭升 汪小军 《电子器件》 CAS 2009年第4期749-752,共4页
基于SMIC0.18μm CMOS工艺设计了一种可应用于MB-OFDM UWB无线收发机的宽带正交压控振荡器(QV-CO,Quadrature VCO)。在研究VCO的相位噪声理论的基础上,采用了优化噪声的电路结构。此外,鉴于片上螺旋电感在VCO设计中的重要性,采用了一... 基于SMIC0.18μm CMOS工艺设计了一种可应用于MB-OFDM UWB无线收发机的宽带正交压控振荡器(QV-CO,Quadrature VCO)。在研究VCO的相位噪声理论的基础上,采用了优化噪声的电路结构。此外,鉴于片上螺旋电感在VCO设计中的重要性,采用了一种快速选取工艺库螺旋电感的方法。仿真结果显示,QVCO的频率调谐范围为3.4-4.5GHz,在1MHz频率偏移处,相位噪声小于-119.6dBc/Hz。在1.8V电源电压下,电路总功耗为27mW。 展开更多
关键词 CMOS MB-OFDM UWB 电感电容振荡器(LC VCO) 相位噪声
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2.645GHz正交本振产生电路
18
作者 高海军 阴亚东 +2 位作者 郭桂良 杜占坤 阎跃鹏 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2009年第4期511-515,共5页
介绍了一个基于0.25μmCMOS工艺的2.645GHz正交本振产生电路。该电路由LC-压控振荡器,高频缓冲放大器和二阶无源多相滤波器组成。差分高频缓冲放大器采用电流复用技术降低功耗;同时,这种电路结构只需一组LC谐振网络作负载,可以大... 介绍了一个基于0.25μmCMOS工艺的2.645GHz正交本振产生电路。该电路由LC-压控振荡器,高频缓冲放大器和二阶无源多相滤波器组成。差分高频缓冲放大器采用电流复用技术降低功耗;同时,这种电路结构只需一组LC谐振网络作负载,可以大大减小芯片面积。为了提高正交信号的匹配精度,提出一种新的二阶无源多相滤波器的版图布局;这种布局实现了器件之间的精确匹配,减小了寄生电容和电阻。测试结果显示,VCO振荡范围为2.46~2.78GHz;在输出频率为2.645GHz时的相位噪声为-120dBc/Hz@1MHz;当二阶无源多相滤波器的输出幅度为0.86dBm时,高频放大器消耗的电流仅为5mA。测试得到I/Q四路的最大幅度失配为1.1%,后仿真的相位误差为0.6°。 展开更多
关键词 本振 振荡器 高频缓冲放大器 电流复用 无源多相滤波器
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高性能超低功耗的4.224GHz正交LC VCO 被引量:1
19
作者 郑剑钦 李巍 +1 位作者 李宁 任俊彦 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2009年第2期220-225,共6页
采用Jazz 0.18 μmRF CMOS工艺设计并实现应用于MB-OFDM超宽带频率综合器的4.224GHz电感电容正交压控振荡器。通过解析的方法给出了电感电容正交压控振荡器的模型,并推导出简洁的公式解释了相位噪声性能与耦合因子的关系。测试结果... 采用Jazz 0.18 μmRF CMOS工艺设计并实现应用于MB-OFDM超宽带频率综合器的4.224GHz电感电容正交压控振荡器。通过解析的方法给出了电感电容正交压控振荡器的模型,并推导出简洁的公式解释了相位噪声性能与耦合因子的关系。测试结果显示,核心电路在1.5V电源电压下,消耗6mA电流,频率调谐范围为3.566-4.712GHz;在主频频偏1MHz处的相位噪声为-119.99dBc/Hz,对应的相位噪声的FoM(Figure-of-Merit)为183dB;I、Q两路信号等效的相位误差为2.13°。 展开更多
关键词 振荡器 振荡器 相位噪声 相位误差
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一种2.4/3.2GHz正交锁相环的设计与实现
20
作者 郑超 《信息通信》 2014年第12期53-55,共3页
基于SMIC 65nm CMOS工艺,设计并实现了一款中心频率为2.4/3.2GHz的正交锁相环。该设计针对电源噪声,压控振荡器噪声等诸多问题进行了性能优化。经充分的仿真验证,锁相环的输出频率覆盖范围为2.14-3.97G Hz,正交VCO在1M Hz处的相位噪声为... 基于SMIC 65nm CMOS工艺,设计并实现了一款中心频率为2.4/3.2GHz的正交锁相环。该设计针对电源噪声,压控振荡器噪声等诸多问题进行了性能优化。经充分的仿真验证,锁相环的输出频率覆盖范围为2.14-3.97G Hz,正交VCO在1M Hz处的相位噪声为-106d B c,正交时钟相位误差仅0.5度,1.2V电压供压下功耗为20m W。 展开更多
关键词 振荡器 锁相环 时钟产生
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