期刊导航
期刊开放获取
河南省图书馆
退出
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
1
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式:
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
热处理温度对Hf_(0.5)Zr_(0.5)O_(2)薄膜结构和性能的影响
被引量:
1
1
作者
许亦琳
辛天骄
+3 位作者
郑赟喆
高兆猛
郑勇辉
成岩
《功能材料与器件学报》
CAS
2022年第2期109-114,共6页
新型氧化铪基铁电薄膜由于其优越的极化特性、良好的尺寸微缩性以及与新型CMOS工艺的高度兼容性,成为了近年来的研究热点。采用原子层沉积方法(ALD)制备的Hf_(0.5)Zr_(0.5)O_(2)(HZO)薄膜,经过快速热处理(RTP),在上下电极的应力作用下...
新型氧化铪基铁电薄膜由于其优越的极化特性、良好的尺寸微缩性以及与新型CMOS工艺的高度兼容性,成为了近年来的研究热点。采用原子层沉积方法(ALD)制备的Hf_(0.5)Zr_(0.5)O_(2)(HZO)薄膜,经过快速热处理(RTP),在上下电极的应力作用下会产生铁电性。本文研究了不同热处理温度对HZO薄膜结构和性能的影响,内容包括:沉积态的HZO薄膜为非晶态,经过快速热处理后,薄膜晶化;对比快速热处理温度为500℃和600℃的电容结构器件单元性能,发现600℃退火后HZO铁电器件的剩余极化更大,矫顽电场更大;对500℃和600℃热处理的器件截面进行结构分析,发现500℃热处理后会有四方相和正交相出现,热处理温度600℃时出现单斜相和正交相。
展开更多
关键词
铪基
铁
电
薄膜
退火温度
电
滞回线
正交铁电相
原文传递
题名
热处理温度对Hf_(0.5)Zr_(0.5)O_(2)薄膜结构和性能的影响
被引量:
1
1
作者
许亦琳
辛天骄
郑赟喆
高兆猛
郑勇辉
成岩
机构
华东师范大学
出处
《功能材料与器件学报》
CAS
2022年第2期109-114,共6页
基金
国家自然科学基金资助项目(62174054,92064003,62104071,12134003)
上海市青年科技英才扬帆计划资助项目(21YF1410900)
重庆市自然科学基金资助项目(cstc2021jcyj-msxmX0750)
文摘
新型氧化铪基铁电薄膜由于其优越的极化特性、良好的尺寸微缩性以及与新型CMOS工艺的高度兼容性,成为了近年来的研究热点。采用原子层沉积方法(ALD)制备的Hf_(0.5)Zr_(0.5)O_(2)(HZO)薄膜,经过快速热处理(RTP),在上下电极的应力作用下会产生铁电性。本文研究了不同热处理温度对HZO薄膜结构和性能的影响,内容包括:沉积态的HZO薄膜为非晶态,经过快速热处理后,薄膜晶化;对比快速热处理温度为500℃和600℃的电容结构器件单元性能,发现600℃退火后HZO铁电器件的剩余极化更大,矫顽电场更大;对500℃和600℃热处理的器件截面进行结构分析,发现500℃热处理后会有四方相和正交相出现,热处理温度600℃时出现单斜相和正交相。
关键词
铪基
铁
电
薄膜
退火温度
电
滞回线
正交铁电相
Keywords
Hf_(0.5)Zr_(0.5)O_(2)(HZO)films
Annealing temperature
Electric hysteresis loop
Orthorhombic ferroelectric phase
分类号
TB383.2 [一般工业技术—材料科学与工程]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
热处理温度对Hf_(0.5)Zr_(0.5)O_(2)薄膜结构和性能的影响
许亦琳
辛天骄
郑赟喆
高兆猛
郑勇辉
成岩
《功能材料与器件学报》
CAS
2022
1
原文传递
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部