SOI-LIGBT器件正偏安全工作区的研究

研究了高压SOI-LIGBT器件的单脉冲正偏安全工作区(FBSOA)的绘制方法。首先,分别提取器件的热阻与热容,并借助热阻抗公式计算器件的瞬态热阻抗,进而根据热阻抗与最大允许功率之间的关系,获得直流与脉冲条件下的正偏安全工作区。同时,还对其二次击穿边界与安全工作区的相互关系做了进一步分析,为更加准确地确定高压LIGBT器件的单脉冲安全工作区提供理论指导。