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正入射量子点红外光电探测器
1
《光学仪器》 2004年第3期67-67,共1页
关键词 正入射量子点红外光电探测器 南加利福尼亚大学 得克萨斯大学 研制
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双波段量子阱红外光电探测器焦平面列阵
2
作者 高 《红外》 CAS 2006年第3期20-20,共1页
量子阱光电探测器可以用来制作对6μm～25μm红外辐射灵敏的量子阱红外光电探测器。量子阱是通过将第一种比较薄的半导体膜层（一般为GaAs）封装在两层邻近的第二种半导体膜层（一般为AlxGa1-xAs）之间构成的。这些半导体材料之间有一... 量子阱光电探测器可以用来制作对6μm～25μm红外辐射灵敏的量子阱红外光电探测器。量子阱是通过将第一种比较薄的半导体膜层（一般为GaAs）封装在两层邻近的第二种半导体膜层（一般为AlxGa1-xAs）之间构成的。这些半导体材料之间有一个带隙，它们可以用来在半导体中制作一种能量“阱”．该阱俘获由入射辐射产生的光子，然后再产生光致激发． 展开更多
关键词 量子阱红外光电探测器 焦平面列阵 美国专利 双波段 半导体材料 授权 红外辐射 入射辐射 光致激发 制作
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