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GaAs/AlAs异质谷间转移电子器件微波振荡特性的研究
1
作者
薛舫时
邓衍茂
张崇仁
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1996年第2期17-21,共5页
本文介绍了应用直接带隙GaAs和间接带隙AlAs构成的量子阱产生异质谷间转移电子效应来制作新毫米波振荡器件一异质谷间转移电子器件,概述了器件的结构和基本的微波工作特性。器件已在8mm波段输出320mW连续波功率,最高...
本文介绍了应用直接带隙GaAs和间接带隙AlAs构成的量子阱产生异质谷间转移电子效应来制作新毫米波振荡器件一异质谷间转移电子器件,概述了器件的结构和基本的微波工作特性。器件已在8mm波段输出320mW连续波功率,最高振荡效率8%,脉冲工作时输出功率达2W,效率10%,然后着重介绍该器件的振荡频率,输出功率随偏压的变化关系,突出它与常规耿氏器件之间的差异。最后简要描述器件计算机模拟中求出的器件内的电场结构和两能谷电流分布以及正反向偏压下器件交流工作中的电场结构,由此解释了实验中观察到的种种工作特性。从而深化了对异质谷间转移电子器件及其工作机理的研究。
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关键词
异质谷间转移
电子
器件
正反向偏置器件
振荡
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职称材料
题名
GaAs/AlAs异质谷间转移电子器件微波振荡特性的研究
1
作者
薛舫时
邓衍茂
张崇仁
机构
北京半导体超晶格国家重点实验室
出处
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1996年第2期17-21,共5页
基金
国家自然科学基金
文摘
本文介绍了应用直接带隙GaAs和间接带隙AlAs构成的量子阱产生异质谷间转移电子效应来制作新毫米波振荡器件一异质谷间转移电子器件,概述了器件的结构和基本的微波工作特性。器件已在8mm波段输出320mW连续波功率,最高振荡效率8%,脉冲工作时输出功率达2W,效率10%,然后着重介绍该器件的振荡频率,输出功率随偏压的变化关系,突出它与常规耿氏器件之间的差异。最后简要描述器件计算机模拟中求出的器件内的电场结构和两能谷电流分布以及正反向偏压下器件交流工作中的电场结构,由此解释了实验中观察到的种种工作特性。从而深化了对异质谷间转移电子器件及其工作机理的研究。
关键词
异质谷间转移
电子
器件
正反向偏置器件
振荡
Keywords
Heterostructure intervalley transferred electron device,Oscillating behavior for forward and reverse biased devices,Operation model of heterostructure intervalley transferred electron device
分类号
TN103 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
GaAs/AlAs异质谷间转移电子器件微波振荡特性的研究
薛舫时
邓衍茂
张崇仁
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1996
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