精神分裂症患者正反序工作记忆的脑磁图研究

目的:通过脑磁图影像学方法研究精神分裂症患者工作记忆受损情况。方法:分别对12例精神分裂症患者和10名正常人正反序记忆时同时采集脑磁图信号,与磁共振解剖像叠加形成磁源性成像,进行脑区活动分析。结果:正序记忆时患者右额上回激活较正常人明显增多(P<0.05),简单记忆任务时,就动员了较多的脑部资源,随着任务难度增大,额叶记忆能力将达到最大限度。反序记忆时二者比较未见明显差异。结论:精神分裂症患者正反序记忆受损主要表现在额叶功能。