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题名用于GaN半桥驱动器的高速电平移位电路
被引量:2
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作者
李亮
周德金
黄伟
陈珍海
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机构
苏州市职业大学电子信息工程学院
清华大学无锡应用技术研究院
复旦大学微电子学院
黄山学院智能微系统安徽省工程技术研究中心
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出处
《半导体技术》
CAS
北大核心
2022年第11期873-878,890,共7页
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基金
江苏省高职院校教师专业带头人高端研修项目(2021GRFX058)
智能微系统安徽省工程技术研究中心开放项目(MSZXXM2001)。
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文摘
设计了一种GaN半桥驱动器高性能电平移位电路,一方面采用短脉冲控制的高速镜像噪声电流与噪声电流相互抵消的方法消除共模噪声,另一方面采用脉冲宽度调制(PWM)控制的正反馈互锁电路,该电路不含RC滤波,用来消除由于工艺偏差造成的差模噪声,以保证输出信号稳定。抗负压电路采用降压电平移位电路实时监测高侧电压浮动状态并反馈回自举充电回路,使充电时间避开负压时间。在0.18μm 85 V BCD工艺下完成设计,工作频率达到5 MHz,上升时间为4.1 ns,下降时间为3.8 ns,满足高频GaN栅驱动应用需求。
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关键词
GAN
半桥驱动器
电平移位
瞬态噪声抑制
正反馈互锁
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Keywords
GaN
half-bridge driver
level shift
transient noise immunity
positive feedback interlock
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分类号
TN786
[电子电信—电路与系统]
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