PN结正向伏安特性曲线随温度的变化

介绍了在不同温度下 ,PN结正向伏安特性曲线的自动测量方法 ,讨论了 PN结伏安特性与温度的关系 .由于正向结电压小于内建电势差 ,温度升高或正向结电压增加 ,正向结电流将增大 ,温度升高反向结电流也相应增加 .当温度趋向 0 K时 ,正向结电压趋向内建电势差 .

平面第二类曲线积分的一种简便计算方法

第二类曲线积分的计算在微积分学中是一个难点,其中概念既多又抽象,计算既繁又难以判断;而在研究生入学考试的命题中,曲线积分的出题率却又非常高,同时又伴随着题目难度大、解题正确率低的现象。但是,若将格林公式进行转化,就可得到平面第二类曲线积分计算的一种简便方法。它无需更多的判别就可直接进行计算,给正确理解、准确计算平面第二类曲线积分提供了一种思路。

曲线积分在二重积分中的应用

给出把一类二重积分化为曲线积分的一个定理 ,讨论定理的一些应用 .

对二极管特性曲线的再认识

通过对二极管实测正向特性曲线分段进行一元线性回归处理，证明了二极管伏安特性的数学表示公式，只适用于特性曲线的指数弯曲阶段，并不适用于整条曲线。

一个有意义的电学设计性物理实验

综合学生所做的几个电学实验,以"用示波器观察二极管伏安特性曲线"设计性实验为例,探讨如何提高学生综合运用所学知识和解决实际问题的能力.

The Convergence Characteristic of the Forward I-V Characteristic Curves of a Semiconductor Silicon Barrier at Different Temperatures

The /-V-（T） characteristic curves of p-n junctions with the forward voltage as the independent variable, the logarithm of forward current as the dependent variable, and the junction temperature as the parameter, almost converge at one point in the first quadrant. The voltage corresponding with the convergence point nearly equals the bandgap of the semiconductor material. This convergence point can be used to obtain the I-V characteristic curve at any temperature.

谈谈用通用示波器定量测量晶体管的方法

晶体管的定量测量通常是用专门仪器晶体管特性图示仪测斌观察。实际上我们在掌握其测试原理之后,完全可以利用一般通用示波器来进行测量,以提高现有仪器设备使用率。下面我们就以ST——16型示波器为例谈谈如何定量测量晶体管的方法。