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题名化学亚胺化程度对正性光敏聚酰亚胺影响
被引量:2
- 1
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作者
朱丹阳
金锐
吴作林
韩宝春
杨正华
张春华
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机构
中国科学院长春应用化学研究所
全球能源互联网研究院
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出处
《应用化学》
CAS
CSCD
北大核心
2017年第3期276-281,共6页
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基金
国家电网公司科技项目:高压IGBT芯片表面钝化工艺研究(5455DW150005)~~
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文摘
选用2,2′-双三氟甲基-4,4′-联苯二胺(TFDB)与二苯醚四甲酸二酐(ODPA)作为聚合物的基本骨架进行缩聚反应生成聚酰胺酸,再经过化学亚胺化得到可溶性聚酰亚胺(PI)。通过调节2-甲基吡啶在亚胺化试剂中的含量以达到控制酰亚胺化程度的目的,探讨不同亚胺化程度的PI胶的显影性能。结果表明,当n(2-甲基吡啶)∶n(乙酸酐)=1∶5时,所合成的光敏聚酰亚胺的显影性能最优。
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关键词
正性光敏聚酰亚胺
化学亚胺化
溶解性
光刻
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Keywords
positive photosensitive polyimide
chemical imidization
solubility
photolithography
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分类号
O633.2
[理学—高分子化学]
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题名正性光敏聚酰亚胺研究与应用进展(二)
被引量:3
- 2
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作者
刘金刚
袁向文
尹志华
左立辉
杨士勇
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机构
高技术材料实验室
北京波米科技有限公司
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出处
《电子与封装》
2009年第1期7-11,23,共6页
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基金
北京市科委资助项目(编号:Z08080302110801)
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文摘
正性光敏聚酰亚胺(p-PSPI)是一类重要的集成电路(IC)封装材料,广泛用于IC器件的应力缓冲、表面钝化以及层间绝缘。与传统的负性光敏聚酰亚胺(n-PSPI)相比,p-PSPI无论在光刻精度还是环境友好性方面均表现出了更为优良的品质。文章综述了国内外p-PSPI电子封装材料的最新研究与应用进展状况。系统阐述了p-PSPI的光化学机理。对目前商业化p-PSPI产品的特性、在微电子以及光电子领域的应用和未来发展趋势进行了介绍。最后对国内高性能p-PSPI电子材料的研发工作提出了建议。
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关键词
正性光敏聚酰亚胺
光刻
微电子封装
光电器件
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Keywords
positive-working photosensitive polyimides
photolithography
microelectronic packaging
optoelectronic devices
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分类号
TN304
[电子电信—物理电子学]
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题名正性光敏聚酰亚胺研究与应用进展(一)
被引量:2
- 3
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作者
刘金刚
袁向文
尹志华
左立辉
杨士勇
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机构
高技术材料实验室
北京波米科技有限公司
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出处
《电子与封装》
2008年第12期1-6,共6页
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基金
北京市科委资助项目(编号:Z08080302110801)
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文摘
正性光敏聚酰亚胺(p-PSPI)是一类重要的集成电路(IC)封装材料,广泛用于IC器件的应力缓冲、表面钝化以及层间绝缘。与传统的负性光敏聚酰亚胺(n-PSPI)相比,p-PSPI无论在光刻精度还是环境友好性方面均表现出了更为优良的品质。文章综述了国内外p-PSPI电子封装材料的最新研究与应用进展状况。系统阐述了p-PSPI的光化学机理。对目前商业化p-PSPI产品的特性、在微电子以及光电子领域的应用和未来发展趋势进行了介绍。最后对国内高性能p-PSPI电子材料的研发工作提出了建议。
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关键词
正性光敏聚酰亚胺
光刻
微电子封装
光电器件
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Keywords
positive-working photosensitive polyimides
photolithography
microelectronic packaging
opto- electronic devices
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分类号
TN304
[电子电信—物理电子学]
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题名光敏聚酰亚胺的合成与应用
被引量:1
- 4
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作者
李元勋
唐先忠
韩丽坤
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机构
电子科技大学微电子与固体电子学院
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出处
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
2004年第4期40-42,36,共4页
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基金
国家"863"资助项目(编号:2002AA325110)
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文摘
光敏聚酰亚胺以其优良的性能在许多高新技术领域中得到了广泛的应用,是当今材料科学研究的热点之一。综述了光敏聚酰亚胺的分类和主要合成方法,并提出了新的合成思路,同时简要地介绍了各类光敏聚酰亚胺的性能及在高新技术中的应用。
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关键词
光敏聚酰亚胺
材料合成
热稳定性
光敏材料
负性光敏聚酰亚胺体系
正性光敏聚酰亚胺体系
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Keywords
photosensitive polyimides
synthesis
properties
application
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分类号
TB381
[一般工业技术—材料科学与工程]
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