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题名正性光致抗蚀剂的合成与应用
被引量:2
- 1
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作者
付川
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机构
重庆三峡学院化工生物系
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出处
《重庆三峡学院学报》
2001年第2期93-94,共2页
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文摘
正性光致抗蚀剂,能在短时间的光照下分解为可溶性物质,被广泛应用于光刻工艺,是一类新型的电子信息化学品,现介绍正性光致抗蚀剂性的合成原理及施工应用方法。
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关键词
正性光致抗蚀剂
光刻工艺
邻叠氮醌化合物
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Keywords
ortho-photororesist
photosculpture
(o)-nitrine quinone compound
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分类号
O623.626
[理学—有机化学]
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题名正性光致抗蚀剂用酚醛树脂的制备
被引量:3
- 2
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作者
夏伟如
林保平
夏敏
潘英
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机构
东南大学化学化工系
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出处
《化工时刊》
CAS
2002年第4期21-24,共4页
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文摘
采用4-甲基苯酚、3-甲基苯酚与甲醛,经两步法反应制备了一系列正性光致抗蚀剂用酚醛树脂.制备的酚醛树脂的重均相对分子质量及相对分子质量分布分别在(5~17)×103和2.75~11.67范围内.探讨了甲醛用量、反应时间、催化剂用量、水选对相对分子质量及相对分子质量分布的影响.增加甲醛和催化剂用量将使相对分子质量增大、相对分子质量分布变宽.延长反应时间也将使相对分子质量分布变宽.但增加水洗次数将使相对分子质量减小相对分子质量分布变窄.结果表明,通过改变反应条件可有效地控制酚醛树脂的相对分子质量及相对分子质量分布.
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关键词
正性光致抗蚀剂
酚醛树脂
制备
相对分子质量
甲醛
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Keywords
Photoresist, Cresol - formaldehyde resin, Molecular weight, Formaldehyde
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分类号
TQ323.1
[化学工程—合成树脂塑料工业]
TQ320.4
[化学工程—合成树脂塑料工业]
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题名一种重氮萘醌系光致抗蚀剂的制备与性质研究
被引量:1
- 3
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作者
李源纯
汪宇浩
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机构
北京师范大学化学学院
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出处
《山东工业技术》
2015年第18期226-227,共2页
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文摘
本实验采用2,3,4-三羟基二苯甲酮作为接枝化母体,与2,1,4-重氮萘醌磺酰氯进行酯化,合成感光化合物,得到产物1.46g,测得熔点为143℃,并测定其红外光谱,之后再制得酚醛树脂-重氮萘醌磺酸酯正性抗蚀剂,然后进行成像实验,发现最佳曝光时间为90s,最小分辨率为10μm.
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关键词
重氮萘醌磺酸酯-酚醛树脂正性光致抗蚀剂
光化学腐蚀法
合成
成像实验
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分类号
TQ421
[化学工程]
TB37
[一般工业技术—材料科学与工程]
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题名具有优良粘结性能的层压材料
- 4
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作者
吴良义
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出处
《网络聚合物材料通讯》
2003年第1期11-11,共1页
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关键词
粘结性能
层压材料
正性光致抗蚀剂
组成物
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分类号
TB383
[一般工业技术—材料科学与工程]
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题名高衍射效率全息光栅的制作与复制工艺研究
被引量:7
- 5
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作者
臧甲鹏
王朝阳
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机构
北京市计量科学研究所
清华大学光测力学研究室
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出处
《现代科学仪器》
1999年第5期46-48,共3页
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文摘
本文根据正性光致抗蚀的感光显影特性,推导出了全息光栅沟槽深度公式,分析了影响光栅糟型结构的因素,建立了光栅沟槽模型。并根据论理论制作出了衍射效率高达65%的 2400线/毫米的全息平面反射光栅。本文还介绍了全息光栅复制技术,解决了高质量光栅昂贵的生产成本和大批量生产问题。
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关键词
正性光致抗蚀剂
光栅沟槽
衍射效率
光栅复制
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Keywords
Positive photoresist Groove profile of grating diffraction efficiency Replication of grating.
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分类号
TH741.6
[机械工程—光学工程]
TN25
[电子电信—物理电子学]
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题名精确控制大数值孔径微透镜列阵面形的显影阈值方法
被引量:3
- 6
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作者
董小春
杜春雷
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机构
中国科学院光电技术研究所微细加工光学技术国家重点实验室
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出处
《光学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004年第7期869-872,共4页
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基金
中国科学院知识创新工程项目资助
国防预研项目资助课题
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文摘
提出了一种可对大矢高、非球面微透镜阵列面形进行精确控制的新方法。针对不同面形的微透镜阵列 ,该方法首先对光致抗蚀剂表面的曝光分布进行设计 ,然后 ,利用光致抗蚀剂显影过程中的阈值特性 ,对微透镜的面形实行控制。当抗蚀剂显影速率接近 0时 ,即可获得设计的微透镜面形。该方法不仅大大提高了微透镜阵列矢高的加工范围 ,而且还减小了光刻材料显影特性对微透镜面形的影响 ,提高了微透镜阵列的面形控制精度 ,在实验中获得了矢高达 114 μm的微透镜阵列。最终实现了大浮雕深度、大数值孔径、非球面微列阵光学元件的面形控制。
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关键词
显影阈值
正性光致抗蚀剂
光刻模型
面形控制
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Keywords
developing threshold
positive photoresist
lithography model
profile control
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分类号
TN305.7
[电子电信—物理电子学]
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