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过渡金属掺杂铈中晶格氧的活化
1
作者
Ya-Qiong Su
Long Zhang
+1 位作者
Valery Muravev
Emiel J.M.Hensen
《Chinese Journal of Catalysis》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2020年第6期977-984,共8页
采用密度泛函理论计算研究了在铈表面掺杂的过渡金属(TM)离子对表面晶格氧原子活化的影响.为此,测定了经TM离子修饰的CeO2最稳定(111)表面终端的结构和稳定性.除了保持八面体氧配位的锆和铂掺杂剂外, TM掺杂剂在取代表面Ce离子时更倾向...
采用密度泛函理论计算研究了在铈表面掺杂的过渡金属(TM)离子对表面晶格氧原子活化的影响.为此,测定了经TM离子修饰的CeO2最稳定(111)表面终端的结构和稳定性.除了保持八面体氧配位的锆和铂掺杂剂外, TM掺杂剂在取代表面Ce离子时更倾向于正方形平面配位.除了Pt(1.14 eV)和Zr(正方形平面配位不稳定)外,所有TM掺杂剂的表面结构从八面体到正方形平面都很容易.通常,四价TM阳离子的离子半径比Ce^4+的小得多,从而导致了显著的拉伸应变晶格,并解释了氧空位形成能量的降低.除Zr外,当产生一个氧空位时,优先形成正方形平面结构.热力学分析表明, TM掺杂CeO2表面在典型环境催化条件下存在氧缺陷.一个具有实际意义的例子是锆掺杂CeO2(111)中的晶格氧容易活化,从而有利于CO氧化.研究结果强调了晶格氧活化的本质和TM掺杂剂在TM-铈固溶催化剂中的优选位置.
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关键词
晶格氧活化
过渡金属掺杂CeO2(111)
密度泛函理论计算
氧空
位
正方形平面配位
配
位
转换
一氧化碳氧化
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职称材料
题名
过渡金属掺杂铈中晶格氧的活化
1
作者
Ya-Qiong Su
Long Zhang
Valery Muravev
Emiel J.M.Hensen
机构
埃因霍温理工大学
出处
《Chinese Journal of Catalysis》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2020年第6期977-984,共8页
基金
supported by The Netherlands Organization for Scientific Research(NWO)through a Vici grant and Nuffic funding
funding from the European Union’s Horizon 2020 research and innovation programme under grant No.686086(Partial-PGMs)。
文摘
采用密度泛函理论计算研究了在铈表面掺杂的过渡金属(TM)离子对表面晶格氧原子活化的影响.为此,测定了经TM离子修饰的CeO2最稳定(111)表面终端的结构和稳定性.除了保持八面体氧配位的锆和铂掺杂剂外, TM掺杂剂在取代表面Ce离子时更倾向于正方形平面配位.除了Pt(1.14 eV)和Zr(正方形平面配位不稳定)外,所有TM掺杂剂的表面结构从八面体到正方形平面都很容易.通常,四价TM阳离子的离子半径比Ce^4+的小得多,从而导致了显著的拉伸应变晶格,并解释了氧空位形成能量的降低.除Zr外,当产生一个氧空位时,优先形成正方形平面结构.热力学分析表明, TM掺杂CeO2表面在典型环境催化条件下存在氧缺陷.一个具有实际意义的例子是锆掺杂CeO2(111)中的晶格氧容易活化,从而有利于CO氧化.研究结果强调了晶格氧活化的本质和TM掺杂剂在TM-铈固溶催化剂中的优选位置.
关键词
晶格氧活化
过渡金属掺杂CeO2(111)
密度泛函理论计算
氧空
位
正方形平面配位
配
位
转换
一氧化碳氧化
Keywords
Lattice oxygen activation
TM-doped CeO2(111)
Density functional theory calculations
Oxygen vacancy
Square-planar coordination
Coordination transformation
CO oxidation
分类号
O643.36 [理学—物理化学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
过渡金属掺杂铈中晶格氧的活化
Ya-Qiong Su
Long Zhang
Valery Muravev
Emiel J.M.Hensen
《Chinese Journal of Catalysis》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2020
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