利用轫致辐射X射线进行正电子分析的研究

针对现有的正电子分析方法无法分析材料内部缺陷的缺点,提出了一种新的正电子分析方法——光致正电子分析。利用加速器打靶产生的轫致辐射X射线照射样品,通过光子在材料内部发生的电子对效应来产生正电子,然后测量511 keV湮没光子进行正电子分析。通过模拟计算定量研究了该方法用于正电子分析的灵敏度、屏蔽条件等问题;建立了一套实验系统,在该系统上成功实现了对511keV湮没光子能谱的精确测量,并在低碳钢样品的缺陷含量与测量结果之间得到了对应关系。

一种基于Windows界面的正电子湮没谱分析软件包

在保留正电子寿命谱分析程序PATFIT和连续谱分析程序MELT主要优点的基础上研究开发了一个新的正电子湮没谱分析软件PASA。主要的改进包括:将PATFIT、MELT和多普勒展宽谱3种正电子湮没分析方法集成在Windows界面程序中,MELT程序脱离MATLAB环境独立运行;编写了完整的多普勒展宽谱分析程序,谱文件的读取、输入参数的调节和拟合结果的输出更加方便快捷,重点加强了正电子湮没实验谱和拟合结果的图形显示。介绍PASA软件的使用经验。

W-K合金的正电子湮没寿命谱研究

正电子湮没技术(PAT)是一种无损的材料探测技术,它可以反映正电子所在处电子密度信息,而电子密度信息能反映材料内部微尺寸变化,正电子对于纳米尺寸缺陷的变化非常敏感.本文用正电子湮没技术中的正电子湮没寿命谱分析技术(PLAS),对W-K混合粉体在不同温度和压强条件下烧结后的微尺寸缺陷变化进行了分析,表明压强对于W-K合金的缺陷变化没有明显的影响,而W-K合金的微尺寸缺陷随温度有明显变化.

HTPB固体推进剂老化性能检测新方法

引入了光致正电子湮灭分析方法 (PIPA,Photon Induced Positron Analysis),对HTPB固体推进剂老化性能进行检测研究。介绍了PIPA的原理、PIPA试验平台的搭建以及PIPA的数值处理方法,并用511KeV能谱的FWHM值ε(半高宽,Full Width Half Maximum)表征HTPB固体推进剂老化引起的微观变化,所得结论与固体推进剂的常规测试一致,证明了PIPA用于固体推进剂老化性能无损检测的可行性。

基于PIPA技术的固体推进剂无损检测研究

针对国内现有无损探伤方法无法检测固体推进剂微观缺陷的情况,引入光致正电子湮灭分析方法,即PIPA(Photon Induced Positron Annihilation)。该方法利用加速器产生的高能光子引发的正电子与固体推进剂作用来检测其缺陷,能在固体推进剂宏观缺陷出现前检测出其微观结构的变化。介绍了PIPA原理,并通过试验讨论了温度、拉伸速率及推进剂的力学性能等因素对利用PIPA进行固体推进剂探伤结果的影响,所得结论与固体推进剂的常规测试具有一致性,证明了PIPA用于固体推进剂无损探伤的可行性。

Ni/Al_2O_3石蜡加氢精制催化剂的研制与表征

采用化学分析正电子湮没谱(PA SCA),氨吸附-程序升温脱附(NH3-TPD),电子能谱(XPS),X光衍射(XRD)和低温氮物理吸附(BET)等技术,研究了A l2O3载体及N i/A l2O3石蜡加氢精制催化剂的制备过程和条件。研究表明:在制备A l2O3过程中加入淀粉及H3PO4,可以在相对低的焙烧温度下制备出大孔径的A l2O3,该A l2O3表面只含有弱酸中心和少量中等强度酸中心。再以含镍化合物溶液浸渍该A l2O3载体,制备出N i/A l2O3催化剂。实验考察了焙烧温度对镍在催化剂表面上分散的影响,发现在450°C的焙烧条件下,N i/A l2O3催化剂表面上形成了非晶态或无定型态金属镍。小型反应活性评价结果表明,该催化剂具有优良的石蜡加氢精制性能,还兼有脱除石蜡原料中含金属化合物的能力。