高能氩离子辐照SiO_2玻璃的正电子寿命谱学研究

用 1.15GeV的氩离子在室温下对二氧化硅玻璃样品进行了辐照 ,并通过正电子寿命测量技术研究了辐照后材料微观结构的变化。结果表明 ,在未辐照二氧化硅玻璃中有近 81%的正电子是以正电子素的形式湮灭的 ;根据o -Ps的撞击湮灭寿命确定出未辐照样品的自由体积分布在0 .0 2— 0 .13nm3的区域里 ,平均自由体积半径约为 2 .5nm。辐照后材料的自由体积分布函数变窄 ,峰位下移 ,显示样品经辐照后有密度增大的现象。随着剂量的增大 ,第二正电子寿命成分的强度逐渐增加 ,而相应于o -Ps的寿命成分的强度逐渐减小 ,这被认为是由于辐照产生的电离电子在自由体积中漫游 ,使正电子与这些漫游电子发生湮灭的几率增大 ,从而减小了正电子素的形成几率。

Al-Li合金中缺陷和电子密度的正电子寿命谱

在深低温到室温不同温度下，测量了不同时效状态的Ａｌ-Ｌｉ-Ｃｕ-Ｍｇ-Ｚｒ合金和含Ｚｎ、Ａｇ或Ｓｃ的合金的正电子寿命谱。分析表明：峰值时效使热空位大量回复并使基体电子密度提高。在深低温下，空位主要以单空位形式存在且随温度升高而激活并运动复合成多空位。Ｚｎ和Ａｇ对空位的运动有束缚作用，Ｓｃ有助于空位的运动。样品在低温下基体电子密度升高，对合金低温强度产生重要影响。

Sol-gel方法制备ZnO陶瓷材料的正电子寿命谱研究

利用正电子寿命谱（PAS）对Sol－gel法制备的ZnO压敏陶瓷材料进行了研究，分析了寿命参数与材料致密度和非线性系数a之间的关系，讨论了不同的烧结温度及时间对ZnO压敏特性的影响。

退火温度对Fe_(73.5)Cu_1Nb_3Si_(13.5)B_9合金磁后效和正电子寿命的影响

测量了制备态和经不同温度（ｔａ ＝ ４５０ ～７５０ ℃） 退火的Ｆｅ７３－５Ｃｕ１Ｎｂ３Ｓｉ１３－５Ｂ９ 合金的室温磁后效和正电子寿命·发现在６００ ℃以下退火，随着退火温度升高，磁后效和正电子寿命都单调下降；在６５０ ℃以上退火，磁后效基本被抑制，正电子寿命出现两个值，它们分别对应自由体积和空位聚集体，且后者显着增大·实验结果表明，磁后效主要由材料中的非晶相所贡献，这是由于非晶相中存在大量自由体积的缘故·

烧结时间对YBa_2Cu_3O_(7-δ)超导体的正交结构及正电子寿命参数的影响

报告了利用X射线衍射 (XRD)、扫描电镜 (SEM )和正电子湮没等实验对YBa2 Cu3 O7-δ(Y- 12 3)体系正交畸变度和正电子寿命谱随烧结时间变化的研究结果。发现在 95 0℃温度的烧结条件下 ,在 12— 72h这一相当宽的烧结时间范围内 ,正电子实验具有足够的稳定性和可靠性 ,实验表明足够的烧结时间在Y - 12 3多晶材料制备方面是必须的。

重掺Te的GaSb中缺陷的正电子寿命研究

用正电子寿命谱技术研究了重掺Te的GaSb原生样品、电子辐照样品和质子辐照样品.室温正电子寿命测量揭示出原生重掺Te的GaSb样品中存在VGa相关缺陷,其寿命大小约为298 ps.电子辐照会使该缺陷发生变化,导致平均寿命值减小,VGa相关缺陷从-3价变为-2价.质子辐照后,产生了寿命值较大的缺陷.在10-300K变温实验中,观测到3种样品都存在浅捕获缺陷,该浅捕获缺陷是GaSb反位缺陷.

云母钛珠光颜料的正电子寿命谱研究

用正电子湮没技术测量了云母钛珠光颜料的正电子寿命和强度与煅烧温度、包覆量等的关系，并与Ｘ射线衍射。

等离子体喷涂并经压缩处理的铁合金涂层的正电子寿命谱研究

用正电子寿命谱方法结合硬度测试手段，对等离子体喷涂Ｆｅ合金涂层压缩处理后的微观结构及缺陷进行了研究，提出了该涂层材料压缩致密的微观机制。

高温超导体YBaCuO正电子寿命谱源修正的研究

本文以高温超导体 YBa Cu O为研究对象 ,以对高斯函数进行卷积的数学模型为基础 ,系统地研究了正电子寿命谱的数学迭代过程和拟合方法 ,阐明了源修正的重要意义 。

掺杂TiO_2的ZnO压敏电阻正电子寿命谱研究

利用正电子湮灭技术(PAS)和扫描电子显微镜(SEM),分析了掺杂TiO2的ZnO压敏电阻的晶界缺陷,以及不同降温速率对晶界特性的影响。实验结果表明,向样品中掺杂TiO2或者快速冷却样品,都能使得样品晶界处Zn空位团尺寸变大,浓度减小。

含Zn，Ag或Sc的Al－Li－Cu－Mg－Zr合金正电子寿命谱研究

在深低温到室温的不同温度下，测量了不同时效状态的Ａｌ－Ｌｉ－Ｃｕ－Ｍｇ－Ｚｒ合金和含Ｚｎ，Ａｇ或Ｓｃ的Ａｌ－Ｌｉ－Ｃｕ－Ｍｇ－Ｚｒ合金的正电子寿命谱。对ｅ＋寿命谱特征参数的分析表明：峰值时效使热空位大量回复，缺陷的数目减少。在深低温下，空位主要以单空位形式存在且随温度升高而激活并运动复合成多空位。Ｚｎ或Ａｇ的加入对空位的运动复合有束缚作用，而Ｓｃ却有助于空位的运动复合。所有实验样品低温下基体电子密度都比室温的高，δ＇相析出长大使合金基体的电子密度提高，而Ｓ＇相析出则使合金基体的电子密度降低。Ｚｎ，Ａｇ或Ｓｃ的加入都增加了基体电子密度，有利于合金强度的提高。

钆铁磁－顺磁相变的正电子寿命研究

通过测量金属钆在居里点附近的正电子湮没寿命谱随温度变化的关系，发现钆的正电子湮没寿命在居里点近邻Ｔ＜ＴＣ一侧随温度有显著变化。

YBa_2Cu_（3－x）Sn_xO_y超导体系的正电子寿命谱研究

研究了Ｓｎ作Ｃｕ位元素替代的ＹＢａ２Ｃｕ３－ｘＳｎｘＯｙ超导体系（ｘ＝０－１．５）的正电子寿命谱，计算了局域电子密度和缺陷浓度的变化；发现了存在于高浓度替代区域（ｘ＝０．８－１．０）的正电子湮没特征；讨论了对超导电性的影响以及相应的物理机制。

不同P含量DZ17G合金的正电子寿命谱

用正电子湮没技术研究了不同Ｐ含量的ＤＺ１７Ｇ合金的正电子寿命谱。结果表明，当合金中Ｐ含量≥０．０３ｗｔ％时，形成金属键的自由电子密度明显下降，其缺陷浓度明显增加，从而使合金力学性能下降，当Ｐ含量≤０．０１５ｗｔ％时，合金的体电子浓度变化不大，对合金性能影响较小。认为从不同Ｐ含量对合金缺陷组态和电子结构的影响出发，控制ＤＺ１７Ｇ合金的Ｐ含量≤０．

ZnO压敏陶瓷晶界缺陷的正电子寿命谱研究

用正电子寿命谱（ＰＡＳ）研究了ＺｎＯ压敏陶瓷的晶界缺陷，用简单捕获模型解释ＰＡＳ结果并估算正电子捕获速率，主要的正电子陷阱是晶粒边界带负电的Ｚｎ空位。详细分析了材料制备过程中降温快慢对晶界特性的影响。

NiAl超塑性变形的正电子寿命研究

研究了B2型多晶NiAl的晶界结构对缺陷态正电子寿命的影响,并结合正电子谱探讨了热挤压及超塑性变形过程后的晶界结构.热挤压后的NiAl合金具有完全的再结晶组织,而超塑性变形过程中的动态回复和再结晶是一种不完全再结晶过程,所得到的晶界仍属于亚晶界或小角度晶界范畴,再结晶晶界在超塑性变形过程中不产生滑动.

YBa_2Cu_3O_（7－δ）超导体的正电子寿命谱研究

研究了ＹＢａ＿２Ｃｕ＿３Ｏ＿（７－δ）超导体的正电子寿命谱，利用两态捕获模型对实验结果进行了分析，并与非超导的同类样品作了比较，研究了各寿命参数及电子结构和缺陷浓度的变化，观察到了样品内部ＰＳ及ＰＳ￣（－）束缚态的形成现象．

超高分子量聚苯乙烯中的正电子寿命谱

以２，３－二氰基－２，３－二（ｐ－Ｘ取代苯基）丁二酸二乙酯（Ｘ＝Ｈ，ＣＨ＿３，Ｃｌ）为引发剂，用本体法合成了超高分子量聚苯乙烯。研究了不同引发剂对苯乙烯聚合物正电子湮没寿命谱的影响，通过比较聚合物的分子量和自由体积，表明引发剂的分解速率对自由体积有较大的影响，而浓度对自由体积的影响不大。

氧化锌导电陶瓷钇掺杂效应的正电子寿命谱研究

用正电子湮没谱方法 ,研究了掺杂Y2 O3 的ZnO导电陶瓷在不同掺杂量、不同烧结温度和烧结时间对材料结构的影响 .实验结果表明 :Y2 O3 掺杂量增加 ,ZnO导电陶瓷材料完整性变差 ;烧结温度增加 ,ZnO陶瓷产生微空洞为主的缺陷 ;烧结时间增加 ,微空洞缺陷数目明显增加 .

甲基两烯酸甲酯-甲基丙烯酸共聚物/梯形聚苯基硅倍半氧烷原位共混物的正电子寿命谱研究

用正电子湮没技术研究了甲基丙烯酸甲酯－甲基丙烯酸共聚物（Ｐ（ＭＭＡ－ＭＡＡ））／梯形聚苯基硅倍半氧烷（ＰＰＳＱ）原位共混体系的自由体积孔穴尺寸及浓度与其组成的关系。具有两种不同配比的该共混物的正电子寿命温度谱表明：该共混物有两种结构转变，即：Ｔｂ、Ｔｇ，因含５％ＰＰＳＱ的共混试样Ｃ５中的自由体积分数较大，其Ｔｐ、Ｔ均小于含１％ＰＰＳＱ的共混试样．Ｃ１。研究了热历史对Ｐ（ＭＭＡ－ＭＡＡ）／梯形ＰＰＳＱ共混物结构的影响。