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新型^(68)Ge/^(68)Ga发生器研究——Ⅰ.三个^(68)Ge/^(68)Ga发生器体系的比较 被引量：1
1
作者 宋明 包伯荣 《同位素》 CAS 北大核心 1994年第4期220-224,共5页
为了制备性能更好的^(68)Ge/^(68)Ga发生器,以满足正电子断层显象技术发展的需要,调查了多种载体的Ge、Ga吸附性质,建立了三个^(68)Ge/^(68)Ga发生器体系:CaCO_3-Ca(OH)_2、活性炭—Ca(OH)_2和CeO_2-HCI.其中以 CeO_2.支持体的性能最好,... 为了制备性能更好的^(68)Ge/^(68)Ga发生器,以满足正电子断层显象技术发展的需要,调查了多种载体的Ge、Ga吸附性质,建立了三个^(68)Ge/^(68)Ga发生器体系:CaCO_3-Ca(OH)_2、活性炭—Ca(OH)_2和CeO_2-HCI.其中以 CeO_2.支持体的性能最好,3ml 0.02 mol/I HCI淋出液的^(68)Ga产率>60%,^(68)Ge的流穿<0.05%. 展开更多
关键词 发生器 支持体 锗68 镓68 正电子核表
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