质子辐照空间级硅橡胶的正电子淹没寿命谱研究

用正电子淹没寿命谱方法 (PAL S)研究了质子辐照对空间级硅橡胶 KH- L - Y微观结构的影响。试验结果表明 ,PAL S谱所揭示的最长寿命成分的 τ3 ,I3 及自由体积分数 Vf 随辐照剂量的增加开始明显下降 ;而当辐照剂量大于 10 1 5cm- 2 后 ,随剂量的增加平缓上升。辐照剂量小于 10 1 5cm- 2 时 ,质子辐照使硅橡胶自由体积减小 ,分子链间堆砌紧密 ;辐照剂量大于 10 1 5cm- 2时 ,质子辐照使硅橡胶自由体积增大。交联密度及 DMA测试结果同样表明 ,质子辐照在剂量较小时硅橡胶的交联密度及玻璃化转变温度增加 ,辐照以交联效应为主 ;而剂量较大时辐照降解占优势。

中子掺杂直拉单晶硅的正电子淹没特征

中子掺杂直拉单晶硅的正电子淹没特征左开芬张纯孟祥提苏庆善陆余发（清华大学核能技术设计研究院１０００８４）关键词：中子辐照直拉单晶硅正电子淹没点缺陷（一）前言因为正电子对物质中电子状态具有极端敏感性，正电子淹没技术（ＰＡＴ）已成为研究材料中微观缺陷的有...

正电子湮没技术在GaAs研究中的应用

本文综述了近几年来用正电子湮没技术对化合物的半导体Ｇａ Ａｓ进行的以下几方面研究：生长缺陷、掺杂效应、温度效应、辐照效应和形变缺陷．