正电子湮没寿命谱分析结果的正确表示

正电子湮没寿命的多寿命成分分析结果通常给出各成分的寿命τi及其零时相对湮没强度Ii(O).指出用零时相对或绝对湮没强度讨论分析结果并不合理,只有正电子在各湮没态上的零时相对占有数Ni(O)=τiIi(O)或占有率ni(O)=Ni(O)/∑Ni(O)才有明确的物理意义,因为正电子在态上的几率密度ni(O)与正电子湮没环境介质的结构特性密切相关.并以二态捕获模型为例对上述论点作了证明.

变温下油脂自由体积和晶型结构演化的正电子湮没寿命研究

甘油三酯具有独特的同质多晶现象,其结晶和熔化特性对油脂产品性能及工业应用至关重要。利用正电子湮没寿命谱(PALS)可在原子尺度对结晶态甘油三酯的微观结构变化进行特征化描述。当正电子进入分子材料时,会与周围的电子形成电子偶素(电子-正电子的束缚态),其寿命反映了材料中空洞(自由体积)的大小。该文使用PALS首次研究了5种饱和脂肪酸甘油三酯的多晶性和晶型转变过程,包括甘油三月桂酸酯、甘油三肉豆蔻酸酯、三棕榈酸甘油酯、三硬脂酸甘油酯、花生酸甘油三酯。正电子数据和由其他表征手段得到的晶型变化规律很好符合。用正电子观察到更长分子链甘油三酯固相收缩成更稳定的晶型时有空洞形成,以及α晶在固-固转化过程中形成了2种β晶形态。

正电子湮没寿命谱分析的快速傅里叶变换解法

对以离散数据形式表达的正电子湮没寿命谱、用快速傅里叶变换方法转换为频谱形式,使得分析结果直观、可靠。谱中每个真峰代表一种成分,峰位对应于湮没率,峰面积正比于该成分的强度。对该方法原理进行了详尽的阐述,充分考虑了仪器分辨函数和计数统计涨落的影响。在ALR-286微机上用TURBO C语言编写了相应的解谱程序,对计算机模拟的正电子湮没寿命谱进行的分析均达到预想结果。该方法具有原理简单、解谱速度快、不需预先设定成分参数、降低了仪器分辨函数的影响等特点。

低温下含Zn，Ag或Sc的8090合金正电子寿命谱分析

在２５—２７５Ｋ范围内，测量了正电子在８０９０合金和含Ｚｎ，Ａｇ或Ｓｃ的８０９０合金的湮没寿命．结果表明，τ１＝１７５—１８７ｐｓ是典型的正电子在共格粒子δ＇（Ａｌ３Ｌｉ）上的湮没寿命；τ２对温度Ｔ有明显的依赖关系．只要同时考虑空位、晶界对τ２的影响，就可以很好地对这四种样品的τ２－Ｔ曲线作出解释，并可对空位的存在形式作出推断．

正电子湮没技术(PAT)的开发与应用(五)——样品测试与正电子湮没寿命谱的解谱分析

一、正电子源和样品实验中所用正电子源为^(22)Na,^(22)Na的β^+衰变放出一个正电子,过3PS后放出1.28Me_v的γ射线,因为3PS相对于正电子寿命来说可以忽略,所以用1.28Mev的γ射线产生的时刻作为所研究事件的起始时间是合理的.正电子进入样品后的热化时间也只有几个PS,所以用1.28Mev和0.511Mev的两种γ射线间的时间间隔代表正电子湮没寿命也是合理的.由于^(22)Na有起始γ射线作为时间零点,加上^(22)Na的半衰期长,约为2.6年,使用方便,β^+衰变效率高,所以是理想的正电子源.本实验用的^(22)Na源,系用^(22)NaCl密封于几个μm厚的镍箔或密勒(Mylar)膜内,再将源夹于两个相同的样品之间,形成所谓的“夹层”排到.这样会有一部分正电子在镍箔或密勒膜中湮没,精确测量时,可在计算机程序中扣除^(22)Na源的载体效应.本实验源强为8μci.

硅橡胶中的正电子湮没寿命谱实验分析

本文用硅橡胶材料做正电子湮没的实验,实验的结果得到了硅橡胶中正电子湮没三种成份的寿命均随分子量增大而减小,以及生胶在高温硫化前后的正电子湮没三种成份寿命和相应的强度有显著变化。根据硅橡胶大分子的结构来分析影响正电子湮没三种成份寿命的因素,随着分子量的增大,大分子链变长,单位体积中链的自由末端减小,使得硅橡胶的密度增大,乙烯基的密度增大,正电子湮没第一寿命减小;单位体积大分子链间的缠绕和交叠也随分子量增大而增多,使正电子湮没第二寿命减小;大分子间的额外空隙随着聚合物的密度增大而减小,使正电子湮没第三寿命减小。用这个观点对实验结果作了解释。

正电子湮没寿命谱技术应用于聚合物微观结构研究的进展

聚合物的晶区堆砌密度、无定形区自由体积的尺寸和数量、晶区-非晶区的界面等微观结构,对其宏观性能,如渗透性能、力学性能、松弛行为等有重要影响。正电子湮没寿命谱技术是一种强有力的微观结构探测与表征技术,能够灵敏有效地探测聚合物的晶区堆砌密度、无定形区自由体积以及两相界面等信息,从而提供了一种直接、简单的研究聚合物微观结构的途径。文中介绍了该技术的基本原理和应用理论,综述了该技术在聚合物研究领域的应用,如:聚合物本征特性与自由体积之间的关系,应力、辐照、外界压力、物理老化等外界因素对聚合物微观结构的影响,以及聚合物共混物、复合材料的相容性和界面特性等。最后总结了正电子湮没寿命谱技术在聚合物微观结构研究中存在的问题。

纳米TiO_2粉晶的正电子湮没寿命谱研究

用溶胶 -凝胶法 (sol -gel)制备了纳米TiO2 微粉。应用正电子湮没寿命谱 (PAT)研究了纳米TiO2 的界面结构。PAT研究表明 ,sol-gel法制备的纳米TiO2 微粉中只存在两类缺陷 ,即与短寿命成分τ1对应的单空位尺寸的自由体积缺陷 ,以及与中等寿命成分τ2 对应的微孔洞缺陷。其缺陷数目及浓度随着粒子尺寸的改变有着显著的改变 ,表现出尺寸效应。

用正电子湮没寿命谱研究热处理对TATB基高聚物粘结炸药微结构的影响

用正电子湮没寿命谱仪测试了TATB基高聚物粘结炸药在热处理前后的正电子湮没寿命谱,并就热处理对其内部微结构的影响进行了探讨和分析。结果表明:正电子在TATB基PBX中的湮没模式主要为自由态湮没和捕获态湮没,热处理后其内部微孔隙的数量明显减少,但孔隙的平均尺寸却出现了一定程度的增大。

应用于聚合物中的正电子湮没寿命谱技术

正电子湮没寿命谱技术是一种新型聚合物结构探测与表征技术 ,针对此技术在聚合物自由体积研究中的应用 ,首先介绍了该技术的基本原理和应用理论 ,接着针对寿命谱数据的处理手段和计算方法 ,对国内外的研究进展进行了概述和总结 ,最后展示了该技术在聚合物材料研究中用于基本理论。

手性丙烯酸酯侧链液晶共聚物的正电子湮没寿命谱研究

用正电子湮没寿命谱研究了手性丙烯酸酯侧链液晶共聚物分子主链与介晶基元侧链的运动行为及相互作用。结果表明，侧链液晶基元的取向随磁场强度增加而增加，当磁场强度达到一定值后则趋于恒定。侧链介晶基元受磁场的诱导取向对分子主链运动的影响为非线性效应。

基于遗传算法的正电子湮没寿命谱拟合

正电子湮没谱学是无损探测材料中纳米缺陷的有效手段,通过正电子湮没寿命谱可获得正电子在材料中的湮没状态以及材料内部电子密度分布的信息。本工作基于遗传算法(GA)的全局搜索、随机产生初值的特点,对正电子湮没理论寿命谱进行了多指数函数拟合的尝试,并用MATLAB语言编程实现了曲线拟合,得到的各组分寿命及相应强度。与LifeTime9.0的解谱结果比较,遗传算法求解寿命谱待估参数,具有不用赋经验性初值也不会陷入局部最优的优点。

LaCl_3:Ce^(3+)闪烁体正电子湮没寿命谱仪

对国内最新研制出的LaCl3:Ce3+闪烁晶体时间特性进行了测试,用该种晶体尝试组建了正电子湮没寿命谱仪,时间分辨率达到了350ps。由于LaCl3:Ce3+探头在具有快速时间响应特性的同时还具有较高的能量分辨率,用该探头组建正电子湮没寿命谱仪将具有许多潜在的优势。

TATB基PBX纳米孔隙的正电子湮没寿命谱

为研究压制参数对TATB基高聚物粘结炸药（PB X）微观结构的影响,压制了密度为1.6~1.9 g·cm-3的PBX,采用了正电子湮没寿命谱（PALS）技术表征了其微观结构,讨论了不同压制密度PBX的纳米孔隙的变化。结果显示：压制密度越大,PBX中纳米孔隙浓度越小,平均尺寸越大,这表明压制过程中,PBX界面孔隙不断减小,TATB晶体内部孔隙却不断增大。

用CONTIN(PALS2)程序计算正电子湮没寿命谱

对基于Laplace变换的大型正电子寿命解谱程序CONTIN（PALS2）的原理和使用作了简要说明，在实验基础上，对用CONTIN（PALS2）程序计算的结果进行了分析，并与用POSITRONFIT程序的结果进行了比较。

富勒烯晶体的正电子湮没寿命

系统研究了室温下石墨及富勒烯晶体的正电子湮没寿命，发现Ｃ６０及Ｃ６０／Ｃ７０的寿命值分别为３７９ｐｓ和３８８ｐｓ，并给出纯Ｃ７０的双寿命拟合值为２５８ｐｓ和４１０ｐｓ．

用正电子湮没寿命谱法研究锡镀层缺陷

光亮镀锡工艺由于成本低、无毒、镀层稳定性好而广泛应用于电子元器件引线的电镀.但因锡镀层与基体之间会发生原子的相互扩散,致使产品在储存、焊接或使用期间因温度效应而使某些重要的物理和化学性能,如钎焊性、导电性和防腐性变差。金属界面原子的热扩散行为与金属晶体的结构缺陷密切相关,因此应用正电子湮没寿命谱法研究锡镀层在热处理过程中缺陷的运动规律,在理论和工艺方面都具有重要的意义。

聚乙烯的多重弛豫与正电子湮没寿命谱

在143～373K用正电子湮没寿命谱(PALS)方法研究了高密度聚乙烯(HDPE)中的自由体积与温度 的关系.对实验谱分别进行了三寿命成分和四寿命成分分析,并对实验拟合结果作了微分的尝试.发现经这种方 法处理后的结果对温度变化十分灵敏,并且从四寿命分析的微分曲线可以完整地观察到HDPE在该温度区间的 三重α弛豫和表观双玻璃化转变过程,而用三寿命分析的微分曲线将难以解释这些转变.这说明对部分结晶的 聚合物而言,用四寿命拟合比三寿命拟合更符合实际的物理过程;讨论了正电子在HDPE中的湮没机制,证实正 电子在HDPE的结晶区和非晶区都可能形成电子偶素(Ps),而且正电子所处的空间大小对Ps产额有影响;最后 根据PALS实验的结果直接估算了HDPE在不同温度下的热膨胀系数.

用Monte-Carlo方法计算正电子湮没寿命谱中的衬底效应

用Monte－Carlo方法模拟计算了22Na源的正电子在不同厚度Mylar膜、Ni膜衬底中的湮没几率，得出Si、Fe、PE、PP4种样品在不同Mylar膜厚度下的衬底效应。结果显示，对PE、PP样品衬底效应较Si、Fe等样品强。表明用Monte－Carlo方法计算衬底效应是可行的。

用正电子湮没寿命谱学法研究BBO单晶缺陷

低温相偏硼酸钡(BBO)单晶是一种新型的非线性光学晶体。本文用正电子湮没寿命谱学法首次研究了它的缺陷,分析了它的缺陷类型及其成因。为克服缺陷、生长高质量的晶体提供科学依据。