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碳化硅压敏电阻非线性机理研究
被引量:
3
1
作者
王豫
胡一帆
陈敏
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
1995年第6期521-523,共3页
基于碳化硅压敏电阻的实验结果,提出了其中非线性电输运的物理模型,计算了非线性系数,阐明了组分和显微结构与性能的关系,与实验结果较好符合。讨论了建立统一的在压敏电阻传导物理模型的可能性。
关键词
碳化硅
压敏电阻
正离子迁移
晶界
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职称材料
题名
碳化硅压敏电阻非线性机理研究
被引量:
3
1
作者
王豫
胡一帆
陈敏
机构
华中理工大学物理系
出处
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
1995年第6期521-523,共3页
基金
华中理工大学理科基金
文摘
基于碳化硅压敏电阻的实验结果,提出了其中非线性电输运的物理模型,计算了非线性系数,阐明了组分和显微结构与性能的关系,与实验结果较好符合。讨论了建立统一的在压敏电阻传导物理模型的可能性。
关键词
碳化硅
压敏电阻
正离子迁移
晶界
Keywords
SiC varistor,positive ions drift,grain bourdary
分类号
TN304.24 [电子电信—物理电子学]
TM546.03 [电气工程—电器]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
碳化硅压敏电阻非线性机理研究
王豫
胡一帆
陈敏
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
1995
3
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职称材料
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