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单负双负磁导率和电容率介质中的Goos-Hnchen位移
被引量:
2
1
作者
曾伦武
《大学物理》
北大核心
2007年第4期12-15,共4页
推导了Goos-Hnchen位移的表达式,讨论了光线从双正介质(电容率ε>0,磁导率μ>0)或双负介质(ε<0,μ<0)中入射到双正介质、双负介质或单负介质(ε>0,μ<0或ε<0,μ>0)界面的Goos-Hnchen效应.
关键词
Goos-Hanchen效应
全反射
正负磁导率
正负
电容率
下载PDF
职称材料
题名
单负双负磁导率和电容率介质中的Goos-Hnchen位移
被引量:
2
1
作者
曾伦武
机构
南京农业大学工学院
出处
《大学物理》
北大核心
2007年第4期12-15,共4页
基金
江苏省农机局科研基金资助项目(gxs04017)
南京农业大学大学物理重点课程资助项目
南京农业大学大学物理实验重点课程资助项目
文摘
推导了Goos-Hnchen位移的表达式,讨论了光线从双正介质(电容率ε>0,磁导率μ>0)或双负介质(ε<0,μ<0)中入射到双正介质、双负介质或单负介质(ε>0,μ<0或ε<0,μ>0)界面的Goos-Hnchen效应.
关键词
Goos-Hanchen效应
全反射
正负磁导率
正负
电容率
Keywords
Goos- Hanchen effect
total reflection
negative permittivity
negative permeability
分类号
O431 [机械工程—光学工程]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
单负双负磁导率和电容率介质中的Goos-Hnchen位移
曾伦武
《大学物理》
北大核心
2007
2
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