正铌酸镧陶瓷的形状记忆效应及其畴结构

采用热压烧结工艺制备了多晶正铌酸镧(LaNbO_4)陶瓷。对LaNbO_4陶瓷的形状记忆效应进行了测量,结果表明:在室温加压变形的试样,在加温到单斜至四方相相变温度以上再冷却后,其形状将回复到其原始状态。透射电镜分析显示,在多晶LaNbO_4陶瓷晶粒内大量存在均匀平行排列的畴结构,畴宽50nm左右。通过选区电子衍射分析鉴定了畴结构和畴间位向关系。X射线衍射分析发现,通过表面打磨施加切应力能使LaNbO_4陶瓷发生显著的畴切换。对有关机理进行了讨论,提出陶瓷多晶体中晶界与畴界之间的交互作用导致了其形状记忆效应。