死区时间控制在等离子体电源中的应用

死区时间选择的不合理会使逆变器件产生过高的浪涌电压和电流甚至损坏。针对这一问题提出了动态的零电压延迟控制技术,它监测输入供电电压和负载电流,当逆变器功率管达到期望的零电压开关(zero voltage switching,ZVS)条件时,控制功率开关管,使变换器几乎在整个工作条件下都能实现ZVS,而不需考虑输入电压、输出负载和元器件的容差,实现最佳的导通延迟时间。应用该技术的等离子体高频高压电源在纺织材料中的实际应用结果表明:该技术在进一步提高了电源效率的同时,减小了因不合理的死区时间带来的过高的浪涌电压和电流,改善了纺织材料表面改性涂层的性能。

自适应死区时间控制的数字控制ACF变换器

为了提高有源箝位反激(ACF)变换器的转换效率,提出基于自适应死区时间控制(ADTC)的数字控制ACF变换器设计技术.通过副边采样检测2个原边功率管的零电压开关(ZVS)信息,实现对死区时间的自适应控制和功率管的ZVS,副边采样使采样器件的耐压要求降低.基于CoolMOS功率管,开发ACF变换器的45 W(20 V/2.25 A)样机验证系统设计,用现场可编程门阵列(FPGA)实现数字控制.测试结果表明,变换器在300 kHz开关频率下正常工作,在155 V直流电压输入和不同负载条件下自适应控制死区时间,实现原边功率管的ZVS,系统最高和最低效率分别为97.48%和92.86%.

应用于无滤波级D类音频功放的新型死区时间控制系统

设计实现了一种可集成于无滤波级D类音频功率放大器内部的新型死区时间控制系统,通过全新的死区控制系统以及辅助功率管栅级电压分段式驱动电路的采用,有效改善了功放的总谐波失真。采用0.35μm CMOS工艺实现了集成这种新型死区时间控制系统的2.1 W单声道无滤波级全差分D类音频功放。在3.0 V^5.5 V电源电压范围、增益设置为单位增益、8Ω喇叭负载下,输出功率1 W时,该D类音频功的总谐波失真(THD+N)为0.03%。

适用于GaN栅极驱动的自适应死区时间控制电路

设计了一种适用于GaN栅极驱动的自适应死区时间控制电路,该电路具有低延时、低功耗、高速、高开关频率的特点。电路通过单脉冲产生电路检测开关节点电压,以实现零静态功耗;加入互锁电路以防误触发,消除了由开关节点毛刺导致的上下管直通的现象。电路基于SMIC 0.18μm BCD工艺设计,仿真结果表明,死区时间可随负载变化而自适应调整,且当最坏情况开关节点电压的dv/dt=48 V/ns时,电路高低侧死区时间误差仅为1.59 ns和2.69 ns。

基于单片机死区时间控制方法研究

单片机在嵌入式中应用十分广泛。随着时代的发展,单片机的功能越来越强大。本篇文章是基于stm32系列单片机来产生的死区时间,占空比以及频率可调制的互补输出PWM波。脉冲宽度调制(PWM)是一种模拟的控制方式。利用单片机微处理器的数字输出对模拟电路进行控制的技术。本文利用STM32的高级定时器TIME1进行可调制的PWM波互补输出。

采用ZVS条件控制的DC-DC同步整流技术

以 Buck结构 DC-DC为例 ,结合仿真波形分析了 DC-DC一个开关周期 4个阶段的电流电压情况 ,证明由 ZVS条件控制 MOS管的导通和断开是损耗最小的。由此提出了两种实现 ZVS控制的电路拓扑 :同步反馈控制以及由程序综合的控制电路。并与自适应控制进行了比较。同步反馈控制利用时钟和 ZVS条件 ,结合 MUX实现了导通和关断的理想波形。由程序综合的控制电路以 PWM控制和 ZVS控制为目标 ,并由时钟同步 。

新型高效同步整流式DC-DC开关电源芯片的设计

随着计算机和半导体技术的发展,低电压大电流开关电源成为目前一个重要的研究课题。同步整流技术是目前开关电源中一种新型的转换效率提升技术,应用十分广泛。文中提出了一种同步整流式DC-DC电源管理芯片的结构,具有大电流、高效率、低功耗等特点。提出了设计思想,对电路各功能模块在Cadence软件中进行了仿真分析,最后采用0.6μm CMOS工艺实现。

单片同步整流芯片中功率MOSFET分析及电路仿真

同步整流技术是目前开关电源中一种新型的转换效率提升技术。遵循转换效率最高原则,使用器件结构仿真软件Medici对同步整流DC-DC变换器中的功率MOSFET进行结构分析,并得出选择建议。同时在Cadence中对同步整流技术相关电路进行仿真分析,得到了同步整流技术中的功率器件优化结果和外围线路结构。

一种低功耗高效率DC-DC转换器的设计实现

开关变换器由于其低功耗,输出电压可变等优势,广泛应用于电源管理领域,然而随着工艺的发展,为了提高变换器的转换效率.使用动态偏置技术与死区时间控制技术,结合一款基于电压模式的BUCK DC-DC转换器进行仿真验证.降低开关变换器中功率管的导通损耗与交叠损耗,降低整体功耗,提高整体转换效率.实现了输入3.6V,负载电流200mA情况下最优,转换效率为91.67%,改善了性能指标.

简单实用的微功率多通道隔离开关电源的设计

开关电源已经普遍应用于工业电子、消费类电子产品中。文章结合监控采集设备的实际需要、从低成本、体积小、易生产采购的角度,探讨了一种简单实用的微功率多通道隔离开关电源的设计案例。并在数据采集服务器产品开发中得到良好应用。

基于双极工艺的高速MOSFET栅驱动电路

基于2μm双极工艺设计了全新的高速功率栅驱动电路,并内置了死区时间控制电路,该电路可以防止驱动器内部电源接地形成短路而烧毁器件。工作电压范围为5~35 V,传输上升延迟时间不大于25 ns,下降延迟时间不大于32 ns,上升、下降建立时间不超过12 ns,工作电流不超过45 mA。

瑞萨电子100V半桥驱动器为12V-48V汽车混合动力系统的双向电源控制器MOSFET提供安全驱动

先进的ISL784x4 MOSFET系列驱动器可实现大电流DC/DC电压转换,并实现可调节的死区时间和最高效率2018年11月7日,日本东京讯–全球领先的半导体解决方案供应商瑞萨电子株式会社(TSE:6723)今日宣布推出全新汽车应用级的100V、4A半桥N-MOSFET系列驱动器——ISL784x4。