HPGe探测器死层厚度及点源效率函数研究

在层析γ扫描分析方法的效率矩阵求解过程中,建立准确尺寸的HPGe晶体计算模型对所求的探测器效率矩阵准确性有很大影响。在使用原始的实验探测器晶体尺寸建立的模型进行探测效率计算时,发现计算与实验所得的探测效率最大误差达19%。调整探测器计算模型的死层厚度可使计算结果准确度得到很大改善。研究发现,死层厚度与各测量点相对误差平均值存在线性关系,在此基础上提出一种可快速确定最优死层厚度的修正方法。使用调整后探测器晶体尺寸,计算出不同位点源位置不同射线能量下的探测效率,拟合出探测效率与点源位置及射线能量的函数关系,用于快速求得探测效率矩阵。

蒙特卡罗方法调整探测器死层厚度和冷指尺寸的研究

目的 用蒙特卡罗(MC)方法计算效率和实测效率的比较,调整HPGe探测器死层厚度和冷指尺寸,提高MC方法计算HPGe探测器γ射线探测效率的准确度。方法 在理论分析探测器死层厚度和冷指尺寸对γ射线探测效率影响的基础上,用^(137)Cs刻度源在不同距离处实际测量HPGe探测器的效率,并将探测器死层厚度和冷指尺寸调节前、后计算效率与实测效率进行比较。结果 探测器死层厚度和冷指尺寸调节前与调节后相比,理论计算与实测效率相对偏差的平均值由5.301％提高到3.937％。结论 相对偏差的明显改善,不仅增强了MC软件的模拟计算功能,也提高了放射性测量结果的准确度。

H_n^+(n≤7)团簇在Au-Si面垒探测器死层中的能损

利用Ａｕ－Ｓｉ面垒探测器灵敏区前的死层作为靶物质，研究了Ｈ＋ｎ（ｎ≤７，２５０ｋｅＶ／ｐ～４５０ｋｅＶ／ｐ）团簇在其中的能损，得到能损比Ｒｎ＞１，且随团簇大小ｎ和平均每核子能量增加而增大。

同轴型HPGe探测器死层厚度和冷指尺寸的调整

利用蒙特卡罗模拟计算和实验测量相结合的方法,对晶体死层厚度及冷指尺寸进行了修正。结果表明,当探测器的死层厚度为0.22 cm,冷指半径和长度分别为0.301和1.00 cm时,模拟效率与实验效率、模拟能谱与实验能谱符合很好。

“死层”掺杂浓度和厚度对太阳能电池性能的影响

通过金属辅助化学刻蚀及碱修饰方法制备纳米结构多晶硅太阳能电池,按照"死层"模型运用PC1D模拟软件拟合样品的内量子效率曲线。以"死层"掺杂浓度和厚度变化,分析"死层"结构参数对纳米结构多晶硅太阳能电池的内量子效率曲线、开路电压、短路电流和电池效率的影响。研究表明,当掺杂浓度减少到与第2层发射区相同时,拟合电池效率可达18.10%,比样品电池效率提高0.35%;当"死层"厚度变为0时,拟合电池效率可达18.31%,比样品电池效率提高0.56%。

EDAX9100能谱仪探头Be窗和Si死层厚度的测量

ＥＤＡＸ９１００能谱仪探头Ｂｅ窗和Ｓｉ死层厚度的测量吉关华，郭世亮（电子部第五研究所，广州５１０６１０）在无标样定量计算相对纯元素强度，以及定量分析本底函数过程中，都要使用探测器的效率，而效率直接受Ｂｅ窗、Ｓｉ死层和Ａｕ层厚度值的影响。在定量计算中运...

基于蒙特卡罗模拟研究锗死层对高纯锗探测效率的影响

为了更精确方便地分析测量样品的放射性含量,本文提出了利用蒙特卡罗应用软件工具(Geant4)获取高纯度锗(HPGe)探测器的全能峰效率曲线,进行放射性样品测量中全能峰效率的模拟及修正。测量距离高纯锗探头25 cm处探测器对点源中不同特征能量γ射线的实验探测效率,与模拟探测效率进行对比,采用Geant4模拟方式研究了高纯锗晶体表面死层对探测器效率的影响。通过修正上、下死层厚度依次分段对模型探测效率进行校正,优化探测器蒙特卡罗几何模型参数。将优化模型的模拟计算效率与点源的实测效率进行比较,得到了高纯锗探测器在59.54~1406 keV范围内的全能峰效率曲线。实验结果表明,蒙特卡罗模拟结果与实验测量结果有很好的一致性,相对误差在5%之内,并证实高纯锗晶体表面死层厚度随探测器的老化而发生变化,在7年后死层厚度从0.5 mm增加到约为1.40 mm±0.05 mm。

FeSi/Si成份调制膜的二维磁性和死层效应

成功地制成了FeSi/Si非晶态成分调制膜,固定Si层厚度,系统改变FeSi层厚度d_m发现,随d_m下降,饱和磁化强度M_s单调减小,这主要是死层效应的贡献,OK下死层厚度约为5.8A,随d_m减小,调制膜逐渐由三维磁性转变为二维磁性,表现为出现低磁滞和无磁滞效应,线性的M_s(T)-T关系和Curie温度T_c的单调下降,T_c满足如下关系:△T_c∝d_m^(-1)其中λ=1.6。

大型高炉炉缸合理死铁层深度理论分析

通过高炉炉缸破损调查分析,提出了大型高炉炉缸合理死铁层深度的理论计算方法,为大型高炉炉缸设计合理死铁层提供依据。

高炉象脚侵蚀成因及最佳死铁层深度的探讨

对高炉象脚侵蚀的成因进行了探讨,指出由于风口回旋区遮断了其下部焦炭所受上部炉料的压力,其下方对应的位置相对易形成间歇性及经常性的缺焦区。而较厚的经常性缺焦区是形成象脚侵蚀的必要条件。从理论上推导出了死铁层内能够产生间歇性及经常性缺焦区的位置,并提出了最佳死铁层深度的计算公式。分析了国外高炉倾向于加大死铁层深度的原因,并提出了预防象脚侵蚀的方法。

关于死铁层深度的讨论

对高炉死铁层相关问题进行了讨论,希望能取得一些共识,以利炼铁生产的发展。

关于高炉死铁层深度的计算方法

对高炉死铁层深度计算公式进行了讨论,推出一组简便易行的计算公式,并得出死铁层深度应与高炉有效高度相关的结论。

非晶多层膜Fe/SnO_2的磁特性

采用高频溅射制备了Fe/SnO2 非晶多层膜 .当SnO2 层厚度ds 固定为 5nm时 ,样品的饱和磁化强度Ms 随Fe层厚度dm 的减小而降低 ,这主要受死层效应和维度效应的影响 .样品在dm 很小时 ,呈现准二维磁性 .样品的居里温度Ic 随dm 的减小而单调下降 .当Fe层固定为 2nm时 ,Ms随ds

超高真空电子束蒸镀Fe/Ru多层膜的结构和磁性

采用超高真空电子束蒸镀方法制备了Fe/Ru多层膜,Ru层厚度固定为2 nm,Fe层厚度为0.6～5 nm,研究了Fe层厚度的变化对薄膜结构及其磁性能的影响.Fe层厚度小于5 nm时,受Ru层HCP结构的影响,Fe层生长为六方晶格的亚稳相.多层膜呈现明显的平面易磁化特性,并随Fe厚度降低而减弱.Fe的平均原子磁矩和Fe层厚度的倒数存在线性关系,与死层理论预言的结果相一致.实验结果证实,亚稳相六方晶格的Fe具有铁磁性,其平均原子磁矩计算值为1.9μB,略低于BCC Fe,Fe/Ru界面层的死层厚度为0.25 nm.

Pt插层对NiFe/FeMn薄膜交换耦合的影响

采用磁控溅射方法制备了以Pt为缓冲层和保护层的NiFe/FeMn薄膜。在NiFe/FeMn界面插入Pt,发现交换偏置场(Hex)随着插层Pt厚度(tPt)的增加而减小。一个重要的现象是当Pt插层厚度为0.4nm时,在Hex-tPt衰减曲线并非单纯指数下降,而是出现一个"凸起"。通过对样品磁矩随Pt插层厚度的变化规律进行分析,发现随Pt插层厚度的增加,样品的磁矩先逐渐增大,然后又有所下降,并且稳定在某一值;表明在样品制备过程中,NiFe与FeMn之间的相互作用(如界面反应),使得在NiFe/FeMn界面存在磁死层,Pt的插入抑制了NiFe/FeMn界面磁死层的产生,有利于交换耦合;另一方面,Pt的插入隔离了NiFe和FeMn的直接接触,使得FeMn对NiFe的钉扎作用减弱,不利于交换耦合。两个方面的共同作用,使得当Pt插层为某一合适厚度时,Hex-tPt曲线出现"凸起"。

Mo覆盖层对MgO/CoFeB/Mo结构磁各向异性的影响

研究了Mo覆盖层厚度对MgO/CoFeB结构磁各向异性的影响.研究发现,加平行磁场生长出来的MgO/CoFeB/Mo样品表现为面内各向异性,并且随着CoFeB的厚度减小,面内各向异性逐渐减弱;在CoFeB厚度减小到1.1nm时,仍可以保持面内各向异性,垂直方向的外加饱和场逐渐减少;厚度在0.9nm及以下的情况下,面内各向异性消失.改变Mo覆盖层厚度,当tMo=1.6nm时,垂直方向的饱和场最小.当生长过程的磁场变为垂直磁场时,不同厚度的Mo覆盖层对MgO/CoFeB的磁各向异性影响不同.Mo厚度在1nm及以下时MgO/CoFeB/Mo样品表现为面内各向异性,Mo覆盖层厚度在1.2和5nm之间时样品出现了垂直磁各向异性;并且垂直方向的矫顽力也发生了变化,Mo覆盖层厚度为1.4nm时样品的磁滞损耗会大一些.

过套管地层电阻率测井及其应用

过套管地层电阻率测井 (CHFR)是斯伦贝谢公司的一种新的套管井电阻率测井仪器。介绍了CHFR测井的测量原理、仪器指标及水泥对CHFR测量值的影响和校正 ;详细叙述了CHFR测井在中国部分油田的应用 ,这些应用包括识别死油气层、定性评价油层水淹情况及定量计算剩余油饱和度等方面。通过实例分析显示了CHFR测井较好的应用效果及在套管井测井评价方面的应用前景。

基于死焦堆受力模型的高炉炉缸炉底温度差异

调研国内2座大型高炉,发现炉缸与炉底温度关系存在差异,高炉A炉缸、炉底温度变化趋势相反,而高炉B炉缸与炉底温度变化趋势一致。利用死焦堆受力平衡模型,分析国内4座高炉的死焦堆浮起状态、炉缸炉底温度或者侵蚀的差异。研究结果发现,高炉内部死焦堆浮起高度会影响炉缸侧壁、炉底温度关系,进而影响其侵蚀形貌。高炉A死焦堆浮起高度明显大于高炉B死焦堆浮起高度,导致高炉A和B炉缸、炉底温度变化关系不一致。渣液面高度和死焦堆的空隙率会影响死焦堆的浮起高度,分析不同因素导致空隙率减小时的死焦堆浮起状态。死焦堆沉坐炉底时,炉缸、炉底温度变化趋势相反;死焦堆小幅度浮起时,炉缸、炉底温度变化一致;死焦堆大幅度浮起时,炉缸、炉底温度变化趋势相反。

Fe/Mo,Co/Mo多层膜的结构与磁性研究

利用离子束溅射方法制备了具有不同调制周期的Fe/Mo和Co/Mo金属磁性多层膜,并比较系统地研究了它们的结构和磁性。通过结构研究发现,Fe/Mo和Co/Mo系统的多层膜都具有良好的周期调制结构;当多层膜的调制周期比较大时,多层膜样品表现出一定的择优取向关系,而多层膜调制周期比较小时,多层膜内部的结晶状态变差甚至变为微晶(Fe/Mo系统)或非晶态(Co/Mo系统)。结合磁性测量的结果发现,对于Co/Mo系统多层膜样品,在Co-Mo界面处存在有金属中间化合物构成的“死层”,它的存在使得多层膜的饱和磁化强度随着Co的单层厚度的减小而下降。