电阻箱的残余电阻对实验的影响

通过对电阻箱的残余电阻的具体测量,结合实验教学分析电阻箱残余电阻对实验的影响.

关于电阻箱残余电阻的检定问题

《直流电阻箱检定规程》JJGl26—84中要求对电阻箱的残余电阻进行检定,并且规定了残余电阻的允许值。在数据处理时,还要求除末盘外其余各盘不应包括残余电阻值,我认为这些要求是不合理的。下面以ZX21型电阻箱各盘第一点示值为例说明。设该电阻箱的残余电阻为10mΩ。各盘第一点的示值及允许误差如下表:

数字表直接测量直流电阻箱的方法

从直流电阻箱检定的烦琐性着手,通过分析现行的直流电阻箱检定规程,对其检定方法进行了研究和探讨,并总结了一种简单实用的方法。

一种用数字表检定直流电阻箱的方法

从直流电阻箱检定的繁琐性着手,通过分析现行的直流电阻箱检定规程,对其检定方法进行了研究和探讨,并总结了一种简单实用的方法。

绝缘电阻测量仪检定装置的校准

本文针对国内绝缘电阻测量仪检定装置现状,提出了对该装置的校准问题。基于绝缘电阻测量仪检定装置的工作原理及计量特性,从校准的准备、校准项目、校准方法及对标准器的要求展开论述,提出了高压高值电阻器及高压高值电阻箱校准项目及校准方法的异同,形成了一套科学、系统的校准方案,对提高绝缘电阻测量仪检定装置的可靠性及可操作性有积极的意义。

三维编织复合材料弯曲承载下嵌入碳纳米线的特性分析

为实现三维编织复合材料实时承载监测,基于碳纳米线嵌入三维编织复合材料预制件的方法,研究了嵌入碳纳米线三维编织复合材料制件在三点弯曲试验中碳纳米线的应变特性。结果表明:在三点弯曲过程中,制件加载至断裂碳纳米线的电阻变化具有单调一致性,碳纳米线电阻变化符合一定指数函数关系;在大负荷加载后碳纳米线产生电阻滞后现象;制件卸载后,碳纳米线传感器产生残余电阻。研究结果证明:碳纳米线传感器在弯曲承载下能够实时监测三维编织复合材料结构健康状况,为三维编织复合材料结构健康监测系统的构建提供了参考。

关于直流高压高阻箱检定的几个问题

本文根据JJG16 6 - 93《直流电阻器检定规程》 ,针对直流高压高阻箱 (以下简称高阻箱 )检定的特点 ,就规程中的几个问题谈谈几点看法 ,包括 :残余电阻和开关接触电阻变差的要求与测量 ,一般检查的要求 ,基本误差的检定方法 。

工业射频超导腔用高纯铌锭制备工艺综述

介绍了C、N、H、O和Ta杂质质量分数对金属铌残余电阻率(RRR)的影响关系,认为要获得RRR值大于300的铌锭,C、N、O质量分数需小于20×10^(-6),H质量分数需小于2×10^(-6),Ta质量分数需小于500×10^(-6);对碳热还原法和铝热还原法制备铌坯的工艺进行了比较,认为射频超导腔用高纯铌原料必须以铝热还原法制备。同时,重点介绍了2种精炼铌锭的方式:电子束悬浮区域熔炼有利于制备单晶高纯铌,但由于单晶铌中位错密度较高,因而不易获得高RRR值的高纯铌锭;工业中更常见的熔炼方式为电子束熔炼,并发现熔炼次数越多,N、O、H质量分数越低,但经过2次电子束熔炼后,C质量分数不再降低,而坩埚直径越大,RRR值越大。今后,在工业射频超导腔用铌锭制备方面,越来越倾向于利用电子束熔炼技术获取直径更大、晶粒尺寸也更大的高纯铌锭。

BCP表面处理对超导铌材性能影响的研究

超导铌高射频腔作为X射线自由电子激光装置直线加速器的核心部件,在2.0 K下工作,加速电子达到所需的能量。超导高射频腔的加速腔胞是采用高纯度铌材加工而成,这种铌材经电子束熔炼、锻造、轧制、真空退火及BCP化学抛光处理后,性能达到超导高射频腔的使用要求,并经深冲压和电子束焊接的方法加工而成。高纯铌材在具备较高的残余电阻比RRR值和优良的机械性能同时,也要求铌材拥有良好的表面质量,因此选择合适的BCP化学表面处理方法是制备高质量超导铌材加工过程中重要的研究内容。

镀铜膜工艺在高功率输入耦合器中的应用

高功率输入耦合器是为自由电子激光装置的超导腔传输微波功率的部件。为了提高传输性能,需要在耦合器上镀铜膜。本研究基于2种不同镀铜膜工艺实验,通过EDS线扫描、粗糙度、XRD和残余电阻率(RRR)对比分析在室温(25℃)以及200、400、600和910℃等4种不同温度退火后镀铜膜的性能变化,确定出适合特殊环境条件下高功率输入耦合器波纹管内壁镀铜膜工艺。将这一工艺应用于1.3 GHz高功率输入耦合器镀铜膜。结果表明,铜膜与耦合器内表面的结合力、高低温适应性和微波能量传输效率都能很好地满足实际应用的要求。