TFT-LCD液晶材料对显示残像的影响

分析了5种TFT-LCD液晶的组成,通过对这5种液晶所制成的TFT-LCD产品的"面残像"和"线残像"水平测定,分析了液晶的组成与"线残像"水平的关系。液晶的极性越大,其稳定性越差,"线残像"水平越差;含有丁烯基苯类的液晶材料,稳定性较差,"线残像"水平较差。

一种高可靠消除FFS模式TFT-LCD静电引起残像的方法

主要研究了FFS模式TFT-LCD(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display)于不同条件和环境下影像残留现象,简述了残像产生的原因,探讨了其产生的机理和对策方向,为改善相应的显示残像问题提供一种高可靠性的处理方案。

等离子体显示屏“万年残像”现象的研究

介绍了等离子显示器中两种类型的残像,对比分析了目前厂家预防残像的几种措施的优缺点。残像的产生与画面颜色,图像格式,亮度和对比度等有关,且可通过像素移动、色相位差互补和屏幕刷等方法预防和消除。提出了残像初步测试的方法,通过在PDP屏上显示易产生残像的三组典型画面及其对比画面,来分析残像产生的可能原因以及相应的处理方法。

PDP瞬时残像及其改善方法

针对等离子体显示器(PDP)显示静态图像时产生的瞬时残像,通过研究瞬时残像的形成原因及其自恢复过程中的光电特性,提出了一种动态调整维持波形改善瞬时残像的方法。该方法根据图像的平均值(APL)对图像的运动状态进行检测,并根据APL动态调整维持波形上升期的能量恢复时间。在显示静态图像时减缓维持放电,可有效减轻瞬时残像的产生;显示动态图像时增强维持放电,可加速瞬时残像的恢复。国际电工委员会标准残像测试图像实验结果表明,瞬时残像恢复时间从440 s减少到270 s,缩短了38.61%,该方法能够有效加速瞬时残像的恢复,显著提高PDP显示画质。

气体放电对PDP残像形成的影响及其改善研究

针对等离子体显示器维持期气体放电过程引起的PDP残像,研究了持续气体放电过程对残像可恢复性的影响以及相同放电条件下显示单元三基色亮度变化情况,分析了气体放电过程与PDP残像形成之间的关系,提出了通过调整PDP显示过程中工作气体的放电强度,补偿气体放电过程引起亮度差异的方法来减轻显示残像,改善残像对显示画质影响的方法。实验结果表明,该方法能够减少残像产生后的恢复时间,改善显示残像,提高显示图像画质。

负性液晶在FFS模式下的残像研究

图像残像是评价画面质量的最重要因素之一,大部分工程师研究了组合物的材料和液晶面板的制造工艺,以改善影像残留,但之前的研究主要是以正性液晶材料为基础进行探讨的,本文主要以负性液晶材料为基础研究了用边缘场驱动的面板残像。首先为了比较正性液晶与负性液晶,测量了离子密度及电压保持率(VHR),其次为了比较两种配向材料(PI)与液晶材料的搭配特性并选择合适的组合,量测了样品的直流残留(RDC)电压和Vcom电压随时间的变化。从量测结果可知,紫外(UV)光照前负性液晶离子密度是正性液晶的39倍,经过紫外光照,后负性液晶的离子密度为560Pc/cm,且其紫外光照后电压保持率变化量为2.7%;使用负性液晶搭配PI1的样品A-1的直流残留电压和Vcom(等效为交流驱动电压的中心值)随时间变化量都是最大的,分别为0.5V和250mV,负性液晶搭配PI2材料的面板和正性液晶的面板的直流残留电压均小于0.2V,其Vcom随时间变化量均在50mV以内。负性液晶材料的离子浓度含量高,且其稳定性比正性液晶材料差,负性液晶材料比正性液晶材料更容易发生残像;对于使用负性液晶材料,边缘场驱动模式的面板,搭配PI2配向膜材料能够保持低的直流残留电压及低的Vcom电压变化量,从而对改善残像现象有帮助。

依稀残像——忆老济南商埠的里弄民居

济南建城,距今已有四千六百余年了。济南的里弄大多存在于原商埠区的核心区,如经三路、经四路、纬三路、纬四路等路段。在商埠区逐渐繁荣的20世纪20年代,济南地图上开始出现数以百计的"里"的标注。

TFT-LCD公共电压耦合畸变的影响因素及与线残像关系的研究

为了解决TFT-LCD的线残像不良,对信号线与公共电极之间的电压耦合的大小和影响因素进行了研究。利用金属熔接技术,测量了屏内公共电极电压在信号线电压作用下发生的耦合畸变的大小,并将其与线残像的严重程度进行了对比。同时通过对不同的影响因素,即版图设计、信号线电压及反转方式、TFT工艺流程、TFT膜质调整分别进行了研究和测试。结果显示信号线和公共电极及绝缘层构成了MIS结构的电容,电容容值的变化导致的公共电压耦合程度与线残像的严重程度呈现明显的对应关系。通过改变非晶硅半导体层的介电常数或者尺寸设计,可以减小信号线与公共电极间的寄生电容(包括信号线金属与公共电极线金属的交叠电容和信号线与像素公共电极间的侧向电容),降低公共电极电压的耦合程度,改善线残像不良。其中提高信号电压转换频率和用紫外光照射半导体层的改善效果最为明显,耦合电压分别下降了55%和62%,线残像的消失灰阶从L172或更高转变为低于L127。研究成果对于大尺寸、高分辨率、高亮度、低功耗的TFT-LCD产品的设计和性能改善,有着重要的指导和参考意义。

TFT-LCD中驱动信号对线残像的改善研究

通过对TFT-LCD去隔行扫描输入信号易产生线残像的问题进行分析,考察线残像产生的原因与驱动信号之间的关联。结果表明,通过改变驱动信号的极性反转方式可以改善线残像,但改善线残像同时却带来了闪烁问题。经过进一步研究分析,通过增加预充电信号以及控制TFT特性的开关比可以有效解决改善输入信号后带来的闪烁问题,并给出了相应的原理解释。为线残像的分析和改善提供了解决方法和理论依据。

LCD面板TFT特性相关残像研究

残像是影响TFT-LCD画面品质的重要因素,也是发生原因最为复杂的一种不良。本论文提出了一种定量测量残像水平的方法,同时对TFT特性引起的残像不良进行了实验研究,得到了由TFT特性引起的交流(AC)残像发生规律及发生机理。本文通过对比研究残像画面黑白格亮度与TFT漏电流变化曲线,同时结合像素充放电计算公式进行电压差模拟,发现黑白格像素放电差异导致的像素保持电位差异(ΔV>12.5mV)是发生残像的根本原因。根据以上机理,本论文提出了两种方法改善此类残像。第一种是通过改善TFT a-Si成膜工艺减小漏电流(<50pA),同时提升TFT特性的稳定性,可以减小棋盘格画面残像评价导致的TFT转移特性曲线偏移;第二种是通过改变栅压低电平,避开关态时不同显示区域的TFT漏电流差异峰值;以上两种方法均可以有效改善残像(ΔL<0.5cd/m^2)。

TFT-LCD背板设计对线残像改善的研究

线残像一直是TFT-LCD行业中一个重点改善的不良之一。为了解决该不良,本文通过对不同样品进行线残像评价及测试公共电极电压的畸变情况,从TFT-LCD背板设计方面研究了公共电极电压的畸变对线残像的影响。首先,通过激光熔接的方法将屏内的公共电极电压信号引出,然后测出在信号线电压作用下的公共电极电压发生畸变的幅值,最后将该幅值和实测的线残像水平进行了对比,同时对不同信号线数量、信号线和公共电极的交叠面积、信号线与公共电极的距离、外围电路补偿等相关设计的测试和研究。结果表明:公共电极电压的畸变程度与线残像水平具有对应性;信号线数量与公共电极电压畸变幅值成比例关系;信号线与公共电极线的单位交叠面积从66μm^2降到37μm^2时,其公共电极电压畸变程度降低了63%;增大公共电极与信号线之间的距离有助于改善甚至消除线残像,当距离从1.49μm增大到2.39μm时,公共电极电压畸变幅值减小了28%。通过降低信号线数量、降低信号线和公共电极线的交叠面积、增大信号线和公共电极的距离、外围电路补偿等方案均可改善线残像水平,对TFT-LCD画面显示品质的提高具有重要指导意义。

液晶组分以及V-T曲线漂移与线残像关系研究

线残像是液晶显示不良的一种表现,对在Cell中短时间内判断液晶线残像的强弱进行了研究。本文使用了4种介电各向异性相同的液晶,对这4款混晶所制成的TFT-LCD屏进行了线残像水平测定,系统分析了混晶的组分与线残像的关系,并使用了一种通过加直流电压测试V-T曲线的漂移来判断液晶残像强弱的方法,对4款混晶做了V-T曲线漂移实验。组分分析表明,介电各向异性相同的情况下,液晶中-CF2O-类单体和-COO-类单体的使用会导致线残像的发生。V-T漂移实验结果表明,Vth变化率小于5%时,液晶显示线残像轻微,Vth变化率大于10%时,线残像严重。这种方法可以在Cell中进行,并且使测试时间明显缩短,这对提高液晶的研发效率具有指导意义。

OLED显示残像研究进展

有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode,OLED)显示技术通过有机材料的自主发光,展现出广色域、低能耗、柔性化等优点,是最具发展潜力的显示技术之一。目前OLED显示仍存在寿命短、亮度低和可靠性差等问题,这些问题最终导致残像现象的发生,本文旨在分析和总结OLED显示残像问题的研究进展和相关解决方案。首先,阐释了OLED显示残像问题与OLED材料寿命和薄膜晶体管(Thin Film Transistor,TFT)稳定性的关联,关注柔性与刚性OLED器件的结构差异,进一步总结、归纳了OLED残像的产生机制。其次,针对不同的残像诱发原因,讨论了缓解和补偿OLED显示残像的方法,包括提升OLED有机材料寿命和TFT阈值电压稳定性、外部补偿电路等方案。最后,对OLED显示残像问题的进一步解决办法进行了展望。

TFT-LCD中驱动信号与线残像的关系研究

通过对薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD)产品易产生线残像的问题进行研究,考察了不同驱动信号电压及反转方式与线残像之间的关系。结果表明,通过减小驱动信号线电压,或提高驱动信号的反转频率,均可降低公共电极与信号线的耦合程度。当灰阶电压由L255减小为L46,耦合电压幅值由240mV降为34.8mV;当驱动信号方式由帧反转变为点反转时,耦合电压幅值由112.6mV降为63.1mV,有效地改善了线残像,并利用德拜弛豫公式分析了驱动信号反转对线残像的作用机理,为线残像的分析和改善提供了理论依据和解决方向。

TFT-LCD残像原理与分析(基础篇)

残像是TFT-LCD的一种显示特性,主要表现为当液晶显示器长时间显示同一个画面,在把画面切换到下一个画面时,原先的画面会残留在下一个画面中。文章基础篇系统地介绍TFT-LCD残像的分类、发生机理、试验条件、判定方法和对策方向,为改善相应的显示残像问题提供较佳的处理方案。

TFT-LCD残像原理与分析-加强篇二

残像是TFT-LCD的一种显示特性,主要表现为当液晶显示器长时间显示同一个画面,在把画面切换到下一个画面时,原先的画面会残留在下一个画面中。本文的加强篇二从材料面的彩膜、液晶、配向膜及工艺面的配向膜工程、ODF工程导致的残像具体分析了其原因和改善方法。

TFT-LCD残像原理与分析-加强篇一

残像是TFT-LCD的一种显示特性,主要表现为当液晶显示器长时间显示同一个画面,在把画面切换到下一个画面时,原先的画面会残留在下一个画面中。本文的加强篇一从设计面的Feedthrough DC成分、非对称像素结构、TFT相关的特别是Leak系导致的残像,具体分析了其原因和改善方法。

色阻对残像影响的研究

本文通过色阻是否有离子析出,进而产生残像的验证,得出了色阻有离子的析出,从而对残像造成影响的结论。通过引入电压保持率VHR评价色阻材料,验证不同VHR色阻残像的表现,得出了电压保持率VHR越高,产品残像表现越好的结论。为实际生产应用色阻材料的选用提供了参考。

TFT-LCD高温残像的改善

为了消除TFT-LCD的高温残像,改善液晶屏的影像残留状态,采用非对称调整正负Gamma电压的方法进行量化研究。针对液晶屏残像不良问题,阐述了产生残像的基本电路原理,提出一种快速调整正负Gamma电压的方法。通过预先测试液晶屏的常温和高温Flicker值,来确定液晶屏的Vcom电压变化值。依据Vcom电压变化的值调整液晶屏的正负Gamma电压,从而实现量化调整正负Gamma电压的理论值,最终达到消除残像的效果。实验结果表明,此方法测试验证的残像等级从L1降到L0.5,基本上可以达到量化调整正负Gamma电压,降低残像等级的目的。

通过非对称伽马调整改善面残像的理论分析和方法

对显示面板非对称伽马调整对残像影响的理论和相关机理进行分析,通过实际面板的残像评价验证了非对称伽马调整对残像的影响。通过实际的验证结果发现,相较于灰阶127通过调整不同的灰阶电压中心来补偿跳变电压的差异,直流残留引起的残像得到显著改善。其中短、中、长期残像的等级平均分别下降2,0.8,0.6。结果充分表明,通过非对称伽马调整的方式可有效改善直流残留引起的残像。此方案可应用于实际产品中以降低残像发生的风险和等级。