通过理论计算,对比分析了不同界面层对金属与n型锗(Ge)接触的影响。结果表明,界面层有利于降低费米能级钉扎效应,使金属与n型Ge接触的电子势垒高度降低。然而,由于界面层与Ge的导带之间存在带阶,界面层额外增加了不利的隧穿电阻。优化...通过理论计算,对比分析了不同界面层对金属与n型锗(Ge)接触的影响。结果表明,界面层有利于降低费米能级钉扎效应,使金属与n型Ge接触的电子势垒高度降低。然而,由于界面层与Ge的导带之间存在带阶,界面层额外增加了不利的隧穿电阻。优化选择合适的界面层材料,降低电子势垒高度的同时减小隧穿电阻,有利于减小比接触电阻率。采用厚度为1.5 nm的Zn O作界面层,电子势垒高度为0.075 e V,比接触电阻率为2×10-8Ω·cm2,比无界面层的0.26Ω·cm2降低了7个数量级。展开更多
针对SOI(Silicon on Insulator,绝缘体上的硅)高温压力传感器,在真空环境下使用退火的热处理方法,减小了p-Si与Ti/Pt/Au的接触电阻,得到了合适的电阻值和小的比接触电阻率。通过单一因素控制法研究了退火时间和退火温度两个关键因素对...针对SOI(Silicon on Insulator,绝缘体上的硅)高温压力传感器,在真空环境下使用退火的热处理方法,减小了p-Si与Ti/Pt/Au的接触电阻,得到了合适的电阻值和小的比接触电阻率。通过单一因素控制法研究了退火时间和退火温度两个关键因素对样品电阻值和接触表面形貌的影响。采用半导体分析仪、扫描电镜(SEM)和高低温探针台等测试设备以及传输线模型测试方法对样品的欧姆接触性能进行分析,得出了不同温度和时间与欧姆接触的关系。实验结果表明:样品在退火条件为570℃,80 min时电阻的I-V(伏安特性)曲线呈线性,阻值符合设计值,比接触电阻率小,在0～400℃测试环境下电阻值比较稳定。展开更多
近年来,石墨烯材料由于优异的光电性能获得了广泛关注,并应用于发光二极管的透明电极以取代昂贵的铟锑氧化物(indium tin oxide,ITO)透明电极,但由于石墨烯与p-GaN功函数不匹配,二者很难形成好的欧姆接触,因而造成器件电流扩展差和电压...近年来,石墨烯材料由于优异的光电性能获得了广泛关注,并应用于发光二极管的透明电极以取代昂贵的铟锑氧化物(indium tin oxide,ITO)透明电极,但由于石墨烯与p-GaN功函数不匹配,二者很难形成好的欧姆接触,因而造成器件电流扩展差和电压高等问题.本文将ITO薄层作为石墨烯透明电极与p-Ga N间的插入层,以改善石墨烯与p-Ga N层的欧姆接触.所制备的石墨烯透明电极的方块电阻为252.6Ω/□,石墨烯/ITO复合透明电极的方块电阻为70.1Ω/□;石墨烯透明电极与p-Ga N层的比接触电阻率为1.92×10^–2Ω·cm^2,ITO插入之后,其比接触电阻率降低为1.01×10^–4Ω·cm^2;基于石墨烯透明电极的发光二极管(light emitting diode,LED),在20 m A注入电流下,正向电压为4.84 V,而石墨烯/ITO复合透明电极LED正向电压降低至2.80 V,且光输出功率得到提高.这归因于石墨烯/ITO复合透明电极与p-Ga N界面处势垒高度的降低,进而改善了欧姆接触;另外,方块电阻的降低,使得电流扩展均匀性也得到了提高.所采用的复合透明电极减少了ITO的用量,得到了良好的欧姆接触,为LED透明电极提供了一种可行方案.展开更多
文摘通过理论计算,对比分析了不同界面层对金属与n型锗(Ge)接触的影响。结果表明,界面层有利于降低费米能级钉扎效应,使金属与n型Ge接触的电子势垒高度降低。然而,由于界面层与Ge的导带之间存在带阶,界面层额外增加了不利的隧穿电阻。优化选择合适的界面层材料,降低电子势垒高度的同时减小隧穿电阻,有利于减小比接触电阻率。采用厚度为1.5 nm的Zn O作界面层,电子势垒高度为0.075 e V,比接触电阻率为2×10-8Ω·cm2,比无界面层的0.26Ω·cm2降低了7个数量级。
文摘针对SOI(Silicon on Insulator,绝缘体上的硅)高温压力传感器,在真空环境下使用退火的热处理方法,减小了p-Si与Ti/Pt/Au的接触电阻,得到了合适的电阻值和小的比接触电阻率。通过单一因素控制法研究了退火时间和退火温度两个关键因素对样品电阻值和接触表面形貌的影响。采用半导体分析仪、扫描电镜(SEM)和高低温探针台等测试设备以及传输线模型测试方法对样品的欧姆接触性能进行分析,得出了不同温度和时间与欧姆接触的关系。实验结果表明:样品在退火条件为570℃,80 min时电阻的I-V(伏安特性)曲线呈线性,阻值符合设计值,比接触电阻率小,在0～400℃测试环境下电阻值比较稳定。
