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0.15μm GaN HEMT及其应用
被引量:
5
1
作者
任春江
陶洪琪
+5 位作者
余旭明
李忠辉
王泉慧
王雯
陈堂胜
张斌
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2013年第3期215-219,共5页
报道了毫米波应用的0.15μm场板结构GaN HEMT。器件研制采用了76.2mm(3英寸)SiC衬底上外延生长的AlGaN/GaN异质结构材料,该材料由MOCVD技术生长并引入了掺Fe GaN缓冲层技术以提升器件击穿电压。器件栅脚和集成了场板的栅帽均由电子束光...
报道了毫米波应用的0.15μm场板结构GaN HEMT。器件研制采用了76.2mm(3英寸)SiC衬底上外延生长的AlGaN/GaN异质结构材料,该材料由MOCVD技术生长并引入了掺Fe GaN缓冲层技术以提升器件击穿电压。器件栅脚和集成了场板的栅帽均由电子束光刻实现,并采用栅挖槽技术来控制器件夹断电压。研制的2×75μm栅宽GaN HEMT在24V工作电压、35GHz频率下的负载牵引测试结果显示其输出功率密度达到了4W/mm,对应的功率增益和功率附加效率分别为5dB和35%。采用该0.15μm GaN HEMT技术进行了Ka波段GaN功率MMIC的研制,所研制的功率MMIC在24V工作电压下脉冲工作时(100μs脉宽、10%占空比),29GHz频点处饱和功率达到了10.64W。
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关键词
铝镓氮
氮化镓
高电子迁移率晶体管
场板
毫米波功率单片
下载PDF
职称材料
题名
0.15μm GaN HEMT及其应用
被引量:
5
1
作者
任春江
陶洪琪
余旭明
李忠辉
王泉慧
王雯
陈堂胜
张斌
机构
南京电子器件研究所
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2013年第3期215-219,共5页
文摘
报道了毫米波应用的0.15μm场板结构GaN HEMT。器件研制采用了76.2mm(3英寸)SiC衬底上外延生长的AlGaN/GaN异质结构材料,该材料由MOCVD技术生长并引入了掺Fe GaN缓冲层技术以提升器件击穿电压。器件栅脚和集成了场板的栅帽均由电子束光刻实现,并采用栅挖槽技术来控制器件夹断电压。研制的2×75μm栅宽GaN HEMT在24V工作电压、35GHz频率下的负载牵引测试结果显示其输出功率密度达到了4W/mm,对应的功率增益和功率附加效率分别为5dB和35%。采用该0.15μm GaN HEMT技术进行了Ka波段GaN功率MMIC的研制,所研制的功率MMIC在24V工作电压下脉冲工作时(100μs脉宽、10%占空比),29GHz频点处饱和功率达到了10.64W。
关键词
铝镓氮
氮化镓
高电子迁移率晶体管
场板
毫米波功率单片
Keywords
AlGaN/GaN
HEMT
field plate
millimeter-wave power MMIC
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
TN43 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
0.15μm GaN HEMT及其应用
任春江
陶洪琪
余旭明
李忠辉
王泉慧
王雯
陈堂胜
张斌
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2013
5
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职称材料
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