一种基于0.18 μm SiGe工艺的毫米波带通滤波器设计

毫米波带通滤波器的设计现在是一个热点,提出一个新颖的毫米波带通滤波器结构,并得以在0.18μm Si Ge工艺上实现。仿真结果表明,该滤波器带宽为20 GHz,插入损耗小于3 d B,回波损耗在带内好于10 d B。

基于UV-LIGA工艺的超窄带毫米波三频带通滤波器

针对当前6G无线通信系统对3 mm毫米波器件的需求急速增加,为了提前应对在这一频段的通信协议划分,利用金属谐振腔和矩形波导设计出一款中心频率为102.03 GHz的单频带通滤波器。然后,基于多模传输理论将其优化为一款中心频率分别为96.83和106.31 GHz的单通道双频带通腔体滤波器。采用交叉耦合的方式引入传输零点,设计出一款在98~105 GHz的工作范围内,具有98.49、99.79和104.20 GHz三个中心频率的超窄带三频带通腔体滤波器,其3 dB相对带宽分别为0.32%、0.63%和0.30%。采用基于SU-8负性光刻胶的UV-LIGA工艺对样品进行加工,并使用搭建的W波段电磁性能测试平台完成对样品射频性能的测试,测试结果与仿真结果具有良好的一致性。

基于U型和L型谐振器的毫米波微带带通滤波器

针对发夹型毫米波微带带通滤波器工作通带窄、寄生通带高的问题,提出了基于U型和L型谐振器的毫米波微带带通滤波器。该滤波器通过改变发夹型毫米波微带带通滤波器的谐振器形状,使用U型与L型谐振器交替级联的结构,以增强级间耦合、降低结构重复度的方式达到了拓宽工作带宽,抑制寄生通带的效果。仿真结果表明,与4阶发夹型毫米波微带带通滤波器相比,使用同阶的UL型谐振滤波器,它的相对带宽展宽了48.5%,寄生通带抑制增强15.1dB。与仿真波形相比,实物测量时滤波器的中心频率略有降低,带内衰减略有增加,这是由介质不均匀以及加工精度等原因带来的误差,并不影响对此结构滤波器优势的验证。