低噪声FET放大器及毫米波混频器测试

本文介绍了一种密封式匹配负载,以及将它置于冷、热态作为一种噪声源在低噪声FET放大器及毫米波混频器测试中的应用。叙述了一种新的毫米波混频器微波参数测试方法,特别适用于开放式结构的毫米波接收前端。

腔式毫米波混频器

介绍了一种腔式毫米波混频器的设计和研制结果

用于毫米波谐波混频器本振端口的带通滤波器设计

毫米波接收系统设计中,由于高频率的本振源获取难度大且成本高,因此毫米波频段的接收信号主要与本振信号的高次谐波分量而非本振信号进行混频,来获得基带信号。为保证本振信号及其谐波信号的质量,必须在混频器的本振端口加入滤波器,对其基本要求是通带宽、频率选择性好、变频损耗低。首先基于先进设计系统(advanced design systems,ADS)软件设计了一个用于Ka波段四次谐波混频器本振端的平行耦合带通滤波器,其中心频率为8. 5 GHz,通带宽2 GHz。然后用高频结构仿真(high frequency structures simulator,HFSS)软件进行了仿真验证,分析了基板厚度、铜箔厚度、介电常数对滤波器性能的影响。最后,对滤波器进行了加工与测试,将实际测试结果和HFSS仿真结果对比,发现两者基本一致,滤波器性能符合通带带宽、插入损耗和带外抑制的要求。

基于混合电路模型的亚毫米波谐波混频器的实现

针对亚毫米波频段混频二极管管对模型获取困难的问题,提出了利用全波电磁场分析算法提取管对无源结构参数,并与管对直流电流-电压特性参数结合获取混合电路等效模型的建模方法.分析了谐波混频器原理,设计并实现了一个工作于2mm波段的二次谐波混频器.测试结果显示在116～120GHz频率范围内,其变频损耗小于20dB,与仿真数据基本吻合,证明本文提出的混合电路建模方法及所提取模型的有效性.

毫米波接收机的研究与设计

由于毫米波在技术上的优势,使得工作在毫米波频段的接收机具有体积小、重量轻、携带信息容量大和抗干扰能力强等特点,受到越来越广泛的应用。论述了毫米波接收机主要工作原理、研制过程及研制结果。该毫米波接收机主要包括毫米波功和器、电调衰减器、开关、毫米波LNA以及毫米波混频器等多个单元。通过电路优化设计,研制出的毫米波接收机增益为23.2 dB;噪声系数为11 dB;开关隔离度为42 dB;开关速度为3 ns。

Ka频段宽带镜频抑制谐波混频器的设计

介绍了一种在Ka频段具有镜频抑制功能的四次谐波混合集成电路混频器的设计与实现。该混频器主要采用微带混合集成电路,由薄膜陶瓷基片制作。经测试,当中频固定在70 MHz,在射频大于4 GHz带宽内,变频损耗小于11.2 dB,镜频抑制度大于20 dB。

倍频器、分频器、混频器、变频器、移相器

Y2000-62591-439 0114947应用随机差分方程对 CMOS 开关混频器进行完全噪声分析=Complete noise analysis for CMOS switchingmixers via stochastic differential equations[会,英]/Ham,D.& Hajimiri,A.//2000 IEEE Custom Integrated Cir-cuits Conference.—439～442(EC)

测量技术与设备

Y98-61161-841 9900853单片毫米波混频器的基于异质结双极晶体管的 InP 肖特基二极管的1/f 噪声建模=1/f noise modeling of InPHBT-based Schottky diodes for monolithic millimeter-wave mixers[会,英]/Chung,Y.H.//1997 IEEEMTT-s International Microwave Symposium,Vol.2(Di-gest).—841～844(AG)本文介绍设计基于毫米波 InP HBT 的肖特基二极管的低频噪声模型的一种方法。这种模型对于分析混频器和检波器 MMIC 特别有用。文章重点阐述了采用 InP HBT 工艺制做的肖特基二极管的噪声模型,以及利用该模型进行的性能模拟结果同 W 波段混频器测量结果的比较。