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题名新型硅基3D异构集成毫米波AiP相控阵列
被引量:1
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作者
沈国策
周骏
陈继新
师建行
杨驾鹏
沈亚
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机构
南京国博电子股份有限公司
东南大学微波毫米波国家重点实验室
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出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
北大核心
2021年第5期323-329,共7页
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文摘
基于硅基3D异构集成工艺,提出了一种低剖面、轻质化2×2硅基毫米波AiP阵列,内部集成了微带贴片天线阵列、单通道Ga As收发放大芯片、四通道SiGe幅相多功能芯片和电源调制电路等。采用硅片与低介电常数材料相结合的方式,降低天线衬底的复合介电常数,提升辐射效率和增益。通过高深宽比TSV和高密度微凸点,实现微波信号、数字信号和电源的垂直传输,对外采用标准的BGA端口。测试结果表明:在34~36 GHz内,2×2硅基AiP的等效全向辐射功率大于31.5 dBm,接收增益大于22 dB,射频输入口回波损耗小于-13 dB,具有5位移相、5位衰减功能,外形尺寸为12.0 mm×14.0 mm×2.6 mm,重量仅为0.75 g,可实现±30°的波束扫描。
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关键词
硅基
3D异构集成
毫米波aip
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Keywords
silicon-based
3D heterogeneous integrated technology
millimeter-wave aip
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分类号
TN45
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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