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制备条件对Ge掺杂二氧化硅膜溶胶粒径和氢气渗透与分离性能的影响
被引量:
2
1
作者
郝润秋
韦奇
+2 位作者
宋霖
李群艳
聂祚仁
《膜科学与技术》
CAS
CSCD
北大核心
2012年第5期13-18,26,共7页
以正硅酸乙酯(TEOS)和乙氧基锗(Ge(OC2H5)4)为前驱体通过溶胶-凝胶法制备Ge掺杂的二氧化硅溶胶,采用浸渍提拉法在γ-Al2O3/α-Al2O3多孔陶瓷支撑体上成膜,通过动态光散射(DLS)技术和气体渗透法,研究制备条件对Ge掺杂二氧化硅膜溶胶粒径...
以正硅酸乙酯(TEOS)和乙氧基锗(Ge(OC2H5)4)为前驱体通过溶胶-凝胶法制备Ge掺杂的二氧化硅溶胶,采用浸渍提拉法在γ-Al2O3/α-Al2O3多孔陶瓷支撑体上成膜,通过动态光散射(DLS)技术和气体渗透法,研究制备条件对Ge掺杂二氧化硅膜溶胶粒径和氢气渗透与分离性能的影响.结果表明溶胶胶粒随着温度、Ge的掺杂量、醇比例的增大而变大,且分布变宽;随着硝酸比例的增大呈现先减小后增大的趋势,在HNO3/TEOS=0.085时达到最小.溶胶粒径平均大小从2.3nm到91nm时H2的渗透率从4.4×10-7 mol/(m2.s.Pa)上升到8.2×10-7 mol/(m2.s.Pa),H2和CO2的通过率都随着胶粒的增大而呈增大的趋势;但是气体的分离系数呈减小的趋势,只有溶胶胶粒平均值小于4.5nm的溶胶涂膜后,才具有分子筛分效应,其H2/CO2值大于努森扩散的理想分离系数.
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关键词
Ge掺杂
溶胶粒径
气体渗透和分离性
下载PDF
职称材料
题名
制备条件对Ge掺杂二氧化硅膜溶胶粒径和氢气渗透与分离性能的影响
被引量:
2
1
作者
郝润秋
韦奇
宋霖
李群艳
聂祚仁
机构
北京工业大学材料科学与工程学院
出处
《膜科学与技术》
CAS
CSCD
北大核心
2012年第5期13-18,26,共7页
基金
国家"863"计划课题(2009AA03Z213)
国家自然科学基金项目(21171014
50502002)
文摘
以正硅酸乙酯(TEOS)和乙氧基锗(Ge(OC2H5)4)为前驱体通过溶胶-凝胶法制备Ge掺杂的二氧化硅溶胶,采用浸渍提拉法在γ-Al2O3/α-Al2O3多孔陶瓷支撑体上成膜,通过动态光散射(DLS)技术和气体渗透法,研究制备条件对Ge掺杂二氧化硅膜溶胶粒径和氢气渗透与分离性能的影响.结果表明溶胶胶粒随着温度、Ge的掺杂量、醇比例的增大而变大,且分布变宽;随着硝酸比例的增大呈现先减小后增大的趋势,在HNO3/TEOS=0.085时达到最小.溶胶粒径平均大小从2.3nm到91nm时H2的渗透率从4.4×10-7 mol/(m2.s.Pa)上升到8.2×10-7 mol/(m2.s.Pa),H2和CO2的通过率都随着胶粒的增大而呈增大的趋势;但是气体的分离系数呈减小的趋势,只有溶胶胶粒平均值小于4.5nm的溶胶涂膜后,才具有分子筛分效应,其H2/CO2值大于努森扩散的理想分离系数.
关键词
Ge掺杂
溶胶粒径
气体渗透和分离性
Keywords
Ge-doped
sol particle size
permeation and separation
分类号
TQ028.8 [化学工程]
TB383.2 [一般工业技术—材料科学与工程]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
制备条件对Ge掺杂二氧化硅膜溶胶粒径和氢气渗透与分离性能的影响
郝润秋
韦奇
宋霖
李群艳
聂祚仁
《膜科学与技术》
CAS
CSCD
北大核心
2012
2
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职称材料
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