基于气体绝缘层的FET式室温NO_2传感器

采用电子束刻蚀、机械探针贴膜等方法,构筑了基于气体绝缘层结构的单根酞菁铜纳米线FET式NO_2气体传感器。结果发现,在室温条件下,器件的检测极限为1×10^(–6)(NO_2体积分数),其灵敏度高达2 172%,该结果相比于薄膜气体传感器检测极限降至十分之一。除此之外,该器件在室温条件下可以恢复至基线,在低浓度、室温监测方面有着较好的优势。

基于单根酞菁铜纳米线的FET式H_2S气体传感器

结合FET和一维微纳材料的优势,构筑了具有高灵敏度和低检测极限的FET式H2S气体传感器。研究结果发现,在室温条件下,器件对体积分数5×10–6至50×10–6的H2S具有良好的灵敏度和低检测极限(5×10–6)。相比于薄膜FET传感器,检测极限降至原来的1/20。与PMMA绝缘层比较研究结果显示:引起器件对H2S的高器件性能的原因主要归因于被暴露的导电沟道和微纳材料的性质。