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LICVD法纳米硅制备过程中的成核及生长 被引量:5
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作者 尹衍升 刘英才 李静 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第1期1-5,共5页
自行设计制备了激光诱导化学气相沉积法(LICVD)纳米制粉装置,利用该装置制备的纳米硅粉其粒度波动在30~60nm之间。通过对不同反应气体流量条件下的激光能量阈值研究表明,随反应气体流量的增加,所需激光能量阈值大致成线性增加。利用透... 自行设计制备了激光诱导化学气相沉积法(LICVD)纳米制粉装置,利用该装置制备的纳米硅粉其粒度波动在30~60nm之间。通过对不同反应气体流量条件下的激光能量阈值研究表明,随反应气体流量的增加,所需激光能量阈值大致成线性增加。利用透射电镜和高分辨电镜对其形貌进行了表征,并对其成核与生长进行了分析,在成核长大初期,晶核周围的Si原子浓度较高,纳米硅晶应以层状长大方式为主。当纳米晶中有螺型位错等晶体缺陷形成时,会为Si原子的"落座"提供生长所需的台阶源,晶粒将以螺旋状生长方式长大。在长大过程中,纳米晶会发生跳跃式长大现象。以跳跃方式长大的晶粒通常在两晶粒的结合面处伴有晶体缺陷发生或亚晶界产生。较低的反应气体流速条件下,纳米硅的择优生长方向为<112>晶向;而在较高的反应气体流速条件下其择优生长方向变为<111>晶向。 展开更多
关键词 LICVD法 纳米硅 激光诱导化学相沉积法 激光能量阈值 体流量 亚晶界 气相成核 晶粒
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环气溶胶的形成机理及应用分析
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作者 谢秉正 《科技视界》 2023年第6期108-111,共4页
在核电站的日常运行、核材料的日常生产以及核恐怖袭击中释放的你气溶胶,是一种会对环境和人体产生极大危害的物质。因氏,掌握钵气溶胶的性质是对其进行妥善处理的先决条件。你气溶胶的形成机理是其性质的重要部分。文章介绍你气溶胶的... 在核电站的日常运行、核材料的日常生产以及核恐怖袭击中释放的你气溶胶,是一种会对环境和人体产生极大危害的物质。因氏,掌握钵气溶胶的性质是对其进行妥善处理的先决条件。你气溶胶的形成机理是其性质的重要部分。文章介绍你气溶胶的研究现状,从气相成核及以氧化为主的不同场景下对钵气溶胶的形成机理进行简要概述,并对其在工程应用方面进行总结。 展开更多
关键词 溶胶 研究现状 气相成核 氧化 形成机理
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化学气相沉积合成石英玻璃中二氧化硅团簇形成分子动力学模拟
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作者 周鸣飞 黄耀松 《信息记录材料》 2021年第5期17-19,共3页
本文采用ReaxFF力场开展气相SiO2分子冷却形成团簇过程的分子动力学模拟,研究讨论了体系在初始温度为2500K、2414K和2326K下,经过1000K下降后的成核过程,结果表明在一定温度和压力条件下分子自发形成团簇是可以发生的,团簇形成过程是由S... 本文采用ReaxFF力场开展气相SiO2分子冷却形成团簇过程的分子动力学模拟,研究讨论了体系在初始温度为2500K、2414K和2326K下,经过1000K下降后的成核过程,结果表明在一定温度和压力条件下分子自发形成团簇是可以发生的,团簇形成过程是由Si-O键断裂开始,经历分子吸附后不断长大,这个过程伴随着能量及饱和比的突变。 展开更多
关键词 二氧化硅 团簇 气相成核 分子动力学模拟 REAXFF
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钨化学气相沉积工艺过程中的缺陷研究
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作者 季连涛 《集成电路应用》 2022年第1期38-42,共5页
阐述在半导体制造过程中,钨化学气相沉积工艺由于其在接触孔/通孔中优良的填孔能力而被广泛应用于芯片制造中,在钨薄膜淀积过程中会出现因硅烷(SiH_(4))/氟化钨(WF_(6))比例不同而造成的缺陷问题。探讨硅烷(SiH_(4))过量而产生的气相成... 阐述在半导体制造过程中,钨化学气相沉积工艺由于其在接触孔/通孔中优良的填孔能力而被广泛应用于芯片制造中,在钨薄膜淀积过程中会出现因硅烷(SiH_(4))/氟化钨(WF_(6))比例不同而造成的缺陷问题。探讨硅烷(SiH_(4))过量而产生的气相成核(GPN)颗粒缺陷及氟化钨(WF6)扩散至氮化钛薄膜下底与钛和硅反应生成钛氟化物(TiF_(3)/TiF_(4))或者硅氟化物(SiF_(4))的腐蚀缺陷(火山效应)以及对其产生机理进行了简要概述,并对其缺陷的产生提出了有效的改善方法。 展开更多
关键词 集成电路制造 钨薄膜 化学相沉积 气相成核颗粒 “火山效应”缺陷
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Study on Synchro-Epitaxy of Poly-and Single Crystal Silicon
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作者 胡冬青 李思渊 王永顺 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第11期1381-1385,共5页
Synchro-epitaxy is introduced and a “two periods epitaxy” process is proposed.The influence of the flows of SiH 4 N 1,N 2,deposition time t 1,t 2,and epitaxial temperature T on epilayer quality (embodied by α)... Synchro-epitaxy is introduced and a “two periods epitaxy” process is proposed.The influence of the flows of SiH 4 N 1,N 2,deposition time t 1,t 2,and epitaxial temperature T on epilayer quality (embodied by α) is reported.The shorter initial inducing time t 1 and larger flows of SiH 4 are,the wider single crystal strips are.But the quality of epilayer may be poor.The optimum conditions are:N 1=13.1~17.5sccm,N 2=7.0~7.88sccm,and t 1=30~50s.The influence of temperature is complex:when T is lower than 980℃,single crystal strips increase with T ;when T is higher than 980℃,single crystal strips decrease with T.It reaches maximum near 980℃. 展开更多
关键词 synchro-epitaxy NUCLEATION CVD
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Insight into the rapid growth of graphene single crystals on liquid metal via chemical vapor deposition 被引量:8
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作者 Shuting Zheng Mengqi Zeng +4 位作者 Hui Cao Tao Zhang Xiaowen Gao Yao Xiao Lei Fu 《Science China Materials》 SCIE EI CSCD 2019年第8期1087-1095,共9页
Previous reports about the growth of large graphene single crystals on polycrystalline metal substrates usually adopted the strategy of suppressing the nucleation by lowering the concentration of the feedstock, which ... Previous reports about the growth of large graphene single crystals on polycrystalline metal substrates usually adopted the strategy of suppressing the nucleation by lowering the concentration of the feedstock, which greatly limited the rate of the nucleation and the sequent growth. The emerging liquid metal catalyst possesses the characteristic of quasi-atomically smooth surface with high diffusion rate. In principle, it should be a naturally ideal platform for the lowdensity nucleation and the fast growth of graphene. However,the rapid growth of large graphene single crystals on liquid metals has not received the due attention. In this paper, we firstly purposed the insight into the rapid growth of large graphene single crystals on liquid metals. We obtained the millimeter-size graphene single crystals on liquid Cu. The rich free-electrons in liquid Cu accelerate the nucleation, and the isotropic smooth surface greatly suppresses the nucleation.Moreover, the fast mass-transfer of carbon atoms due to the excellent fluidity of liquid Cu promotes the fast growth with a rate up to 79 μm s^-1. We hope the research on the growth speed of graphene on liquid Cu can enrich the recognition of the growth behavior of two-dimensional(2 D) materials on the liquid metal. We also believe that the liquid metal strategy for the rapid growth of graphene can be extended to various 2 D materials and thus promote their future applications in the photonics and electronics. 展开更多
关键词 GRAPHENE single crystal rapid growth liquid metal chemical vapor deposition
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