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气相扩镓的杂质Rs效应分析
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作者 刘秀喜 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1994年第3期24-27,共4页
在确定的开管扩镓装置中,以氢气做为镓源Ga_2O_3的反应和输运气体,凭借准确的控制扩散条件,镓在SiO_2/Si系统中扩散,可获得良好的扩散均匀性和重复性。根据镓在Si和SiO_2中扩散行为,分析讨论了镓在裸Si系... 在确定的开管扩镓装置中,以氢气做为镓源Ga_2O_3的反应和输运气体,凭借准确的控制扩散条件,镓在SiO_2/Si系统中扩散,可获得良好的扩散均匀性和重复性。根据镓在Si和SiO_2中扩散行为,分析讨论了镓在裸Si系和SiO_2/Si系扩散所产生的杂质R_s效应,及其氧化膜质量和厚度对R_s的影响。 展开更多
关键词 杂质 Rs效应 氧化膜质量 气相扩镓
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