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气相扩镓的杂质Rs效应分析
1
作者
刘秀喜
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1994年第3期24-27,共4页
在确定的开管扩镓装置中,以氢气做为镓源Ga_2O_3的反应和输运气体,凭借准确的控制扩散条件,镓在SiO_2/Si系统中扩散,可获得良好的扩散均匀性和重复性。根据镓在Si和SiO_2中扩散行为,分析讨论了镓在裸Si系...
在确定的开管扩镓装置中,以氢气做为镓源Ga_2O_3的反应和输运气体,凭借准确的控制扩散条件,镓在SiO_2/Si系统中扩散,可获得良好的扩散均匀性和重复性。根据镓在Si和SiO_2中扩散行为,分析讨论了镓在裸Si系和SiO_2/Si系扩散所产生的杂质R_s效应,及其氧化膜质量和厚度对R_s的影响。
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关键词
杂质
Rs效应
氧化膜质量
气相扩镓
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职称材料
题名
气相扩镓的杂质Rs效应分析
1
作者
刘秀喜
机构
山东师范大学半导体研究所
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1994年第3期24-27,共4页
文摘
在确定的开管扩镓装置中,以氢气做为镓源Ga_2O_3的反应和输运气体,凭借准确的控制扩散条件,镓在SiO_2/Si系统中扩散,可获得良好的扩散均匀性和重复性。根据镓在Si和SiO_2中扩散行为,分析讨论了镓在裸Si系和SiO_2/Si系扩散所产生的杂质R_s效应,及其氧化膜质量和厚度对R_s的影响。
关键词
杂质
Rs效应
氧化膜质量
气相扩镓
分类号
TN305.4 [电子电信—物理电子学]
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题名
作者
出处
发文年
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1
气相扩镓的杂质Rs效应分析
刘秀喜
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1994
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