用化学气相沉积方法在石墨表面沉积钨涂层的研究

研究了在一定温度的石墨基体表面上用化学气相沉积钨涂层的方法。通过调节氢气、氯气的气流量,控制流量比,得到了具有一定厚度、晶粒均匀致密的钨涂层,并对试验中仍需解决的问题做了讨论。

羰基金属气相沉积方法进行Al_2O_3基片表面合金化研究

利用羰基金属气相沉积的方法 ,以Fe (CO) 5和Mo(CO) 6为源 ,在Al2 O3 陶瓷基片上 ,制备了具有一定的化学组成和稳定的显微结构的Fe/Mo表面合金化层 ,大大提高了材料的表面性能 .作为表面改性的新技术 。

用气相搅动方法强化环烷酸萃取铜的质量传递(英文)

研究了氮注射对环烷酸萃取溶液中铜离子的质量转移速率的影响 .研究的因素包括 :氮流速、铜离子浓度及萃取温度 .结果发现 ,铜离子萃取的质量转移速率与气体流速有关 ,并遵守如下方程 :K =aU ,温度对质量转移速率的影响遵循阿列纽斯方程 ,其活化能为 2 875卡路里 ;

适用于有水气藏的新型水驱特征曲线应用

水驱特征曲线在有水气藏动态储量和可采储量计算上的应用饱受争议,传统水驱特征曲线认为地层压力保持不变的假设条件与有水气藏地层压力下降的事实不符,且相对渗透率曲线在低、高含水饱和度时拟合不准确。为解决上述两大问题,对气水相渗比与含水饱和度半对数曲线进行了重新拟合,提出了气水相渗表征新方法,提高曲线拟合精度。在此基础上,从气水两相渗流规律与物质平衡原理出发,考虑有水气藏水体活跃程度,引入水侵常数,推导出了适合有水气藏的新型水驱特征曲线,采用遗传算法自动拟合确定水侵常数与动态储量。根据拟合得到的水侵常数与动态储量,结合废弃水气比,还能实现生产水气比预测和可采储量标定。通过涩北气田4口真实产水气井的生产数据对新型水驱特征曲线的准确性进行论证,结果表明气水相渗表征新方法更加准确,新型水驱特征曲线拟合相关系数大于0.85;新型水驱特征曲线计算得到的动态储量与物质平衡法误差为3.52%,且避免了有水气藏水侵后压降曲线下掉造成的计算误差。可见新型水驱特征曲线对有水气藏储量计算及生产预测具有一定的指导意义。

一种金刚石薄膜微波等离子体化学气相沉积方法及装置

本发明提供了一种利用磁控技术提高金刚石薄膜微波等离子体化学气相沉积设备沉积速率的方法和装置。该方法包含以下步骤:在微波等离子体化学气相沉积工艺中利用磁场形成电子捕集阱,电子在捕集阱的约束下,在衬底上方固定区域作封闭的曲线运动,电子在运动过程中碰撞反应气体碰撞生成前驱反应基团和石墨组织抑制基团,从而提高反应基团浓度,实现金刚石薄膜沉积速率的提高。使用该方法的反应腔装置由微波源、螺钉调配器、定向耦合器、同轴天线、波导装置、调节活塞、谐振腔、石英罩、磁场发生装置等组成。本发明优点是可以显著提高金刚石微波等离子体化学气相沉积工艺的薄膜沉积速率,工艺和装置简单,便于实施。

基于汽相/液相界面跟踪方法的弯管内空化流动的数值预测

采用发展的基于Reynolds-Averaged Navier-Stokes方程和液相/气相界面跟踪方法的单相空化模型和数值迭代算法,数值预测了二维弯管内空化空泡的形状和相应的压力系数分布。将发展的二维空化模型和算法推广到三维空化流动的数值模拟,预测了三维非对称弯管内的三维空泡形状和流动特性。数值预测三维非对称弯管内空化流动时的空泡位置和相应压力系数分布符合理论分析结论。研究结果证明了所发展的空化模型和算法能够应用于三维空化流动时的数值预测。

气相色谱法测定3-氯-7-氨基去乙酰氧基头孢烷酸中残留溶剂

目的:建立3-氯-7-氨基去乙酰氧基头孢烷酸(7-ACCA)中丙酮、甲醇、二氯甲烷、乙酸乙酯、异丁醇、吡啶、甲苯残留量的测定方法。方法:采用气相色谱法,载气为氮气,FID检测器,色谱柱为Agilent INNOWAX毛细管柱,柱温为程序升温:起始温度70℃,保持6 min,以10℃/min升温至160℃,保持1 min;进样量1.0μl,分流进样,分流比10∶1,外标法检测7-ACCA中丙酮、甲醇、二氯甲烷、乙酸乙酯、异丁醇、吡啶、甲苯的含量。结果:在本研究建立的色谱条件下,丙酮、甲醇、二氯甲烷、乙酸乙酯、异丁醇、吡啶、甲苯的最低检出质量浓度分别为2.5μg/ml、1.5μg/ml、15μg/ml、2.5μg/ml、2.5μg/ml、2.5μg/ml、11μg/ml。样品中仅检测到丙酮,且其残留量远在药典规定的限量以下。结论:建立的方法能有效控制7-ACCA中丙酮、甲醇、二氯甲烷、乙酸乙酯、异丁醇、吡啶、甲苯的残留量。

金属有机物气相外延生长InAlGaN薄膜及其性能表征(英文)

在不同的生长温度和载气的条件下 ,采用低压金属有机物气相外延方法生长了系列的InAlGaN薄膜 ,通过能量色散谱 (EDS) ,高分辨X射线衍射 (HRXRD)和光致发光谱 (PL)对样品进行表征与分析 ,研究了生长工艺对InAlGaN外延层结构和光学性能的影响。发现当以氮气做载气时 ,样品的发光很弱并且在 5 5 0nm附近存在一个很宽的深能级发光峰 ;当采用氮气和氢气的混合气做载气时 ,样品中的深能级发光峰消失且发光强度明显提高。以混合气做载气 ,InAlGaN薄膜中铟的组分随生长温度的升高而降低 ,而薄膜的结构和光学性能却提高。结合PL和HRXRD的测试结果得到了较佳的生长参数 :即载气为氢气和氮气的混合气以及生长温度在 85 0℃到 870℃。

物理气相传输法制备层状MoS_2薄膜

以化学气相沉积(CVD)方法在蓝宝石衬底上沉积一层较厚的MoS_2膜作为前驱体,使用物理气相传输(PVT)方法制备了层状MoS_2薄膜。用光学显微镜、扫描电子显微镜、喇曼光谱和光致发光光谱对制备的层状MoS_2膜表面形貌、层数、光学特性进行了研究。分析了源和衬底距离对MoS_2薄膜沉积的影响,发现距离较近有利于成核概率增大,形成连续膜,但是易引入不稳定因素导致立体生长的MoS_2纳米片,同时观察到出现树枝状生长,这是由于前驱体质量过剩引起的部分晶面生长速率过高导致的。喇曼光谱测试表明,薄膜大部分为单层膜和双层膜,有少量的多层膜,膜的光致发光光谱强度与层数有关,单层膜光致发光光谱强度最强。

镨气相扩渗PbTiO_3陶瓷的制备及其电性能

采用气相化学热扩渗方法制备了Pr改性的PbTiO3陶瓷,并对扩渗后PbTiO3陶瓷的组成、结构及电性能的变化进行了研究。通过XRD,SEM及Pr元素的面扫描分析证实Pr元素已经渗入到PbTiO3陶瓷体相,且分布均匀,并生成了Pr2Ti2O7等新的化合物,由此导致了PbTiO3陶瓷导电性的显著增强。在Pr扩渗PbTiO3陶瓷的实验中,通过正交试验法确定了扩渗的最佳工艺条件,即Pr元素的扩渗质量分数为0.015,扩渗时间为3 h,扩渗温度为860℃,此时PbTiO3陶瓷的导电性最好,其室温电阻率从2.0×1010下降为9.487Ω·m。对改性的PbTiO3陶瓷进行了交流复阻抗分析,随着温度的升高,扩渗后的PbTiO3陶瓷的导电性更强,其晶粒电阻和晶界电阻均随温度升高而呈逐渐下降的趋势,已不存在PTC效应,有向导电体过渡趋势。

化学气相沉积(CVD)金刚石技术及产业分析——21世纪新材料CVD金刚石

20世纪80年代以来，世界范围内掀起了一股利用化学气相沉积（Cheroical Vapor Deposition-CVD）方法制备金刚石材料的科技研发浪潮，新方法制备的金刚石材料几乎实现了天然单晶金刚石的全部特性，被认为是未来最具发展前景、能够实现金刚石全方位功能应用的新金刚石材料。利用化学气相沉积方法合成金刚石材料的技术最早起源可追溯到20世纪50—60年代，

化学气相沉积

20030401 化学气相沉积Ti-Si-C-N新型涂层——Kao D H.TheSolid Film,2002,419(11):11(英文) 探讨了常压下TiCl_4,SiCl_4,C_2H_2,NH_3和Ar作反应气体,用化学气相沉积方法制备的Ti-Si-C-N四元复合涂层。为了降低沉积温度,改变了过去常用的工艺条件,以NH_3取代N_2。在不同的沉积温度和SiCl_4流量的工况下,研究了四元涂层的沉积过程。当涂层厚度为4.5～20.0μm时,生长速率较快(9.0～40.0μm/h),且与工艺参数有关。值得注意的是:在各种温度下SiCl_4的流量会影响涂层的组织、成分和生长动力学。涂层硬度为11.5～20.3GPa时,且与沉积温度和SiCl_4供量有关。

金属基表面复合材料的制备方法及研究现状

金属基表面复合材料结合金属基体和表面增强体各自的优异性能,扩大了材料的使用范围,被广泛用于众多高尖端领域,并受到国内外学者的关注,是最具有发展前景的复合材料。综述了金属基表面复合材料的应用、制备方法,介绍了该复合材料制备方法的研究进展及其优缺点,并展望了金属基表面复合材料的发展方向。

PECVD布气装置气流场的模拟分析

采用Fluent、Templot等相关软件对PECVD布气装置气流的流动过程进行模拟,并进行可视化分析;得出气流入口采用直口开孔方式,同时,气流入口到布气板距离L=4.5mm时布气最均匀,这为均匀布气装置的研制提供了依据。

基于PECVD方法制备的透明硅氧烷(SiOxCyHz)阻隔薄膜特性研究

柔性、透明的高阻隔性薄膜在有机太阳能薄膜电池、柔性有机发光二极管、电子纸和真空绝热板等领域都有需求。采用对电极辊结构的等离子体增强化学气相沉积方法,卷对卷的方式在聚酯(PET)基膜上,以硅醚(HMDSO)为单体,氧气(O;)为反应气体,制备了柔性硅氧烷(SiOxCyHz)薄膜。研究了膜厚,氧气/单体比例、压力等参数对透水率(WVTR)的影响规律、测试了膜层的组分、透射光谱、应力等特性。研究结果表明,透水率随硅氧烷薄膜厚度增大而减小,随氧气/单体比例增大而减小,随压力减小而增大。500 nm厚的硅氧烷薄膜透水率低于5×10;g/(m;·day),可见光谱段(380-760 nm)透光率达到88.6%,表面粗糙度为1.8 nm,薄膜应力随薄膜厚度增加显著增大。

数值模拟两相汽蚀流动的新模型和算法

提出了数值模拟两相汽蚀流动现象的新汽蚀模型和算法.提出的汽蚀模型和算法耦合了考虑紊流粘性效应的Reynolds-Averaged Navier-Stokes方程求解方法,可以自动模拟空泡起始点、空泡长度和汽蚀空泡形状.在流场计算和界面修正的迭代计算过程中,跟踪并得到液相/气相界面.数值模拟了圆锥形圆柱体和半球形圆柱体在不同汽蚀系数下的汽蚀流动现象,得到了与实验值完全吻合的数值模拟结果,并且与已发表的数值研究结果进行了比较.计算结果表明提出的汽蚀模型和算法能够有效地模拟汽蚀流动中的气泡界面和气泡长度,汽蚀模型和算法的正确性和实用性得到了相应的验证.

基于界面跟踪方法的汽蚀模型和算法的有效性验证

针对两相附着汽蚀流动机理,基于界面跟踪方法发展了新的汽蚀模型和算法。所发展的汽蚀模型和算法不仅考虑了液相／气相界面处的压力差,而且考虑了耦合Reynolds-Averaged Navier-Stokes方程求解技术得到的流场压力梯度信息来迭代计算附着汽蚀形状。采用具有试验数据的半球形头部圆柱体汽蚀绕流作为算例来验证所提出的汽蚀模型和算法的有效性。采用不同的网格数和松弛因子数值验证了发展的汽蚀模型和算法的有效性。三种汽蚀数下的数值计算结果得到的压力系数分布与试验数据完全吻合。结果表明所提出的汽蚀模型和算法能够准确模拟出汽蚀发生点和汽蚀长度。

用ECR-CVD方法制备定向碳纳米管

以Fe3O4纳米粒子为催化剂,CH4和:H2为气源,采用电子回旋共振微波等离子体化学气相沉积技术(ECR-CVD)在多孔硅基底上制备出定向生长的碳纳米管.研究了气氛组成、气压、温度和反应时间对碳纳米管生长特性的影响.使用扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)和拉曼光谱(Raman spectrum)表征了样品的形貌和结构.结果表明:气氛组成和气压影响了反应腔内离解碳的浓度,从而影响碳纳米管的成核、生长速度及定向生长;温度的变化改变催化剂的尺寸从而改变碳纳米管的直径,在过低的温度下碳纳米管不能实现定向生长;碳纳米管随着反应时间的延长而不断增长,但超过一定时间后催化剂颗粒被碳包覆而失去催化作用,生长停止.