化学气相沉淀法SiC连续纤维用炭芯的研究 Ⅲ.大直径中间相沥青纤维的氧化

为获得热固性大直径中间相沥青纤维 ,在高于软化点 2 0℃和不同恒温时间的条件下 ,对纺制的大直径中间相沥青纤维进行氧化 (不熔化 )处理。由于稠环芳烃的次甲基发生氧化而形成 C O 键合的大分子 ,以及氧化构成的醚型交联键 C—O— C的大分子的存在 ,使中间相沥青纤维不熔化。笔者初步考察了化学反应速率控制和扩散控制在常压和加压齐聚反应所得大直径中间相沥青纤维氧化过程中的作用 ,O、 C、 H在氧化过程中的变化 ,使用原子力显微镜得到的表面结构。结果表明 ,常压齐聚反应后中间相沥青纤维的化学反应速度低于加压齐聚反应后中间相沥青纤维的 。

金属有机化学气相沉淀反应器结构的模拟优化

研究了金属有机化学气相沉淀反应器的几何形状对于反应腔内的涡旋产生的影响,表明衬底上方的涡旋不仅会影响到薄膜生长的厚度,而且会影响到薄膜的纯度和成分的均匀性。通过改变反应器的结构和形状来优化反应器设计,从而消除衬底上方的涡旋,得到光滑而均匀的流场。根据模拟结果发现,流道高度在影响热对流涡旋的几何参数中起主要作用,而流道长度影响较小。对于优化后的反应器,引发自然对流的临界流道高度为H=2.5cm(D=20cm)。

化学气相沉淀法合成单晶金刚石膜实验探索

采用微波等离子体化学气相沉淀法合成了单晶金刚石膜,探索了化学气相沉淀法(CVD)单晶金刚石膜的生长机理。实验仪器采用石英管式微波等离子体化学气相沉积装置,种晶为3颗IaAB型天然金刚石原石,生长面近平行于(111)和(110)方向,生长温度为800℃,压力约为6 kPa,时间约为8 h。使用宝石显微镜和环境扫描电子显微镜观察分析了CVD单晶金刚石膜的生长表面形貌。结果表明,在生长面上可见明显的生长层,生长晶体无色透明,CVD单晶金刚石膜在生长面上横向外延生长,并形成定向的台阶状表面——"阶梯流"。在相同的条件下,(111)方向上生长的CVD单晶金刚石膜比(110)方向上的更有序。H2浓度的大小对CVD单晶金刚石膜的质量有影响。

话说化学气相沉淀法(也称CVD法)合成钻石

化学气相沉淀法，英文名称Chemical Vapor Deposition，简称CVD法，可以用于人工合成钻石。最近，南于技术的突破，可以生产出大颗粒的钻石，国检中心在近期日常委托检验中，陆续发现了两批次CVD合成钻石，证明CVD合成钻石已经进入国内市场，引起了大家的关切。笔者从宝石人工合成的角度，介绍一下化学气相沉淀法（也称CVD法）合成钻石的技术。

全面智能创新管理新范式下基于化学气相沉淀法的合成钻石模型

人工智能不同于传统技术,其在充当技术要素之外也承担了创新主体的部分功能,且存在着对人类的潜在安全威胁。目前关于人工智能参与创新活动的范式研究尚不多见,因此,本研究梳理相关文献,参考人机共享控制系统中的"人机共享"技术规范以及生态位理论,将人工智能参与创新活动的特点以及其对人类的潜在安全威胁纳入考虑,在全面创新管理范式的基础上提出了全面智能创新管理这一新范式,详细阐述了新范式下各个创新要素的内涵以及创新运作机制。最后,在钻石模型的基础上借鉴化学气相沉淀法的合成钻石工艺流程,提出了全面智能创新管理范式下基于化学气相沉淀法的合成钻石模型。

反应参数对以Cr/Cu为催化剂化学气相沉淀所制备CNTs/Cu复合粉末形貌的影响（英文）

采用化学共沉淀法制备了Cr/Cu复合粉体催化剂,并用化学气象沉淀法(CVD)原位合成CNTs/Cu复合粉末。利用SEM,TEM和Raman光谱分别对其微观形貌和结构进行表征。结果表明:采用化学气相沉淀法,使用10 wt%Cr/Cu的催化剂,在混合气体(Ar/H2/C2H4)流量2450/300 m L/min下,于1073 K温度生长30 min,可以得到优质、结晶良好的CNTs/Cu复合粉末。

无氢硅烷常压化学气相沉积SiO_(x)薄膜在晶体硅太阳能电池制造中的应用

本研究主要探讨晶体硅太阳能电池制造工业中,对无氢硅烷常压化学气相沉积SiO_(x)薄膜的有效应用。通过三组样品分析了常压化学气相沉淀 SIO_(X)薄膜内存在的结构缺陷与耐久性,室温下,在热板中开展退火实验,对比常压化学气相沉淀 SIO_(X)薄膜在1%HF溶液与1.5%KOH的腐蚀速率和未退火样品,从而明确耐受腐蚀溶液的温度最低值。研究结果显示,化学气相沉淀 SIO_(X)中的PERC细胞正面涂层区并没有寄生镀层出现,且未检测到划痕和镀金痕迹,金字塔更未检测出金属颗粒,因此该技术能够被应用于晶体硅太阳能电池制造中。

化学气相沉淀法合成钻石简介

20世纪50年代，美国通用电气公司(G.E.)首先以面温高压法合成出人工钻石，使人类合成钻石的梦想成为现实。

化学气相沉积法制备多壁碳纳米管研究

根据实验结果 ,讨论了反应管直径、催化剂组分、反应温度及反应气体对多壁碳纳米管的产量和质量的影响。反应管直径大小将影响多壁碳纳米管的单位产量并对多壁碳纳米管质量产生影响。通过改变混合反应气体导入反应管的方式 ,可以提高多壁碳纳米管产量和改进质量。催化剂是影响多壁碳纳米管产量和质量的重要因素。在 70 0～80 0℃ ,反应温度仅对多壁碳纳米管的产量造成影响。

电池级无水磷酸铁生产工艺研究

现阶段,在电池级无水磷酸铁生产工艺中包含一个完整、全面的循环周期。首先,工程师需要对原材料进行准备,之后需要完成对溶液的制备,并且对晶体生长进行管控,对晶体进行初步处理,紧接着再通过粉体制备、烧结处理、粉体处理、产品检测等多元化举措,完成对电池级无水磷酸铁的生产。整个工艺程序较为复杂,涉及较多指标,工程师需要制定精细化的生产程序,同时要求每一位技术人员严格参照工艺指标来开展生产活动,从而提高生产水平和效率。文章研究了电池级无水磷酸铁的生产工艺,通过优化反应条件、原料选择及生产流程控制,实现了高质量无水磷酸铁的制备,满足锂离子电池正极材料的需求,提高了产品的电化学性能和市场竞争力。

石墨烯及其功能纺织品的制备方法

总结石墨烯及其功能纺织品的制备方法。介绍了石墨烯的性能;分别阐述了当前石墨烯功能纺织品的制备方法,包括直接浸轧法、喷涂法、复配液整理法、交联改性法、紫外光固化法、化学气相沉淀法等。介绍了应用于石墨烯功能纺织品的新技术,包括电泳沉积技术、层层自组装技术等。认为:石墨烯材料具有优异的导电性能、导热性能、抑菌性能和防紫外线性能等,在功能纺织品领域具有广阔的应用前景。

CVD法制备硅基氮化镓薄膜

利用化学气相沉积法(CVD),分别以三氧化二镓(Ga2O3)和氨气(NH3)为镓源和氮源在硅衬底合成了一种由片状微晶构成的氮化镓(GaN)薄膜,实验中没有使用缓冲层。通过场发射扫描电子显微镜(FESEM)、电子能量散射谱(EDS)、X射线衍射(XRD)、高分辨电镜(HRTEM)和光致发光谱(PL)对样品进行分析,生成物为质量较好的富镓的纯氮化镓薄膜。片状氮化镓微晶表面大小约数百纳米,厚度数十纳米,薄膜表面平整、致密,没有裂纹或龟裂现象,与Si衬底结合紧密。氮化镓薄膜的带边峰位于367nm处,同时出现了黄光发射峰。并对此种氮化镓薄膜的生长机理进行了探讨。

金刚石晶形显露的化学控制

采用热丝化学气相沉积法（HPCV），研究了N2、O2对金刚石晶形显露的影响。发现微量的氮气的加入（[N2]／[CH4]＜1％）有利于金刚石（100）晶面的显露，且不会降低金刚石晶形的完整性；微量氧的加入有利于金刚石（111）面显露．采用氧辅助控制金刚石膜（111）织构生长，可以使X射线（111）峰摇摆曲线的半宽降到6．2°．氮或氧的加入扩大了织构生长金刚石（100）或（111）膜的基片温度范围．

纳米MoS_2的制备与研究进展

纳米二硫化钼具有优异性能,应用广泛。介绍了纳米二硫化钼的液相法、化学气相沉淀法的制备研究进展,及几种方法中存在的问题,指出了纳米二硫化钼制备方法的发展趋势。

掺Fe高阻GaN缓冲层特性及其对AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管器件的影响研究

利用金属有机物化学气相沉积技术在蓝宝石衬底上制备了掺Fe高阻Ga N以及Al Ga N/Ga N高电子迁移率晶体管(HEMT)结构.对Cp_2Fe流量不同的高阻Ga N特性进行了研究.研究结果表明,Fe杂质在Ga N材料中引入的Fe^(3+/2+)深受主能级能够补偿背景载流子浓度从而实现高阻,Fe杂质在Ga N材料中引入更多起受主作用的刃位错,也在一定程度上补偿了背景载流子浓度.在一定范围内,Ga N材料方块电阻随Cp_2Fe流量增加而增加,Cp_2Fe流量为100 sccm(1 sccm 1mL min)时,方块电阻增加不再明显;另外增加Cp_2Fe流量也会导致材料质量下降,表面更加粗糙.因此,优选Cp_2Fe流量为75 sccm,相应方块电阻高达×10?/,外延了不同掺Fe层厚度的Al Ga N/Ga N HEMT结构,并制备成器件.HEMT器件均具有良好的夹断以及栅控特性,并且增加掺Fe层厚度使得HEMT器件的击穿电压提高了39.3%,同时对器件的转移特性影响较小.

基于统计矩的轮廓缺陷检测

金刚石膜片在切割成样品的过程中,在样品边缘和切割线处可能产生具有轮廓缺陷的残次品。本文探讨了轮廓缺陷产生的原因,设计了基于不变矩的轮廓缺陷检测系统。在检测过程中采用了待检测样品与标准样品轮廓匹配的方式,在获取待测样品轮廓信息之后,计算其与标准样品的不变矩信息,在此基础上判定其是否为轮廓缺陷样品。经实验,轮廓缺陷检测系统取得了较好的检测效果,并且提高了生产效率。

纳米粒子的新应用—纳米润滑添加剂的发展现状

总结了当前用于润滑油领域的纳米添加剂的类型、所能达到的润滑效果以及在摩擦过程中起抗磨性的原理。特别介绍了纳米氢氧化物、纳米硼酸盐等的润滑性能。叙述了纳米粒子及其抗磨性的检测手段 。

氮流量对热丝制备富硅-氮化硅薄膜的结构及性质影响

采用热丝化学气相沉积法,以Si H4、NH3、N2作为反应气源,通过改变氮气流量来制备富硅-氮化硅薄膜材料。通过傅里叶红外变换谱、紫外-可见光吸收谱、光致发光谱、扫描电镜分别对薄膜的结构、带隙宽度、发光特性及表面形貌进行表征与分析。实验结果表明,随着氮气流量增加,薄膜中N原子含量减少,镶嵌在氮化硅母质中的硅团簇增大,Si-N键的键密度逐渐减少,薄膜的光学带隙Eg和带尾能EU呈现减小的趋势,薄膜有序度增加,且由氮悬挂键所引起的缺陷态发光峰增强。当氮气流量为30sccm时,Si-N键的非对称伸缩模式和Si-H键伸缩振动模发生了蓝移,当[N2]/[NH3]流量比小于5:1时,氮气流量对薄膜中氮含量的影响非常明显,适当地降低氮流量有利于制备出富硅-氮化硅薄膜。

GaN纳米棒的合成与表征

利用化学气相沉淀法（CVD）以Ga2O3和NH3为原料在沉积有乙酸镍的硅衬底上合成出了GaN纳米棒,纳米棒直径在50-200nm，长度在2-10μm，表面比较光滑,利用场发射扫描电镜（FESEM），X射线衍射仪（XRD），能量散射谱（EDS）对样品进行了成分和结构分析，表明GaN纳米棒是单晶的纤锌矿结构，同时对其生长机理进行了探讨。