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气相缩合法合成苯基三氯硅烷
被引量:
3
1
作者
黄云龙
刘彤
王金福
《化学反应工程与工艺》
CAS
CSCD
北大核心
2012年第2期164-167,共4页
以三氯氢硅和氯苯为原料,采用气相缩合法合成苯基三氯硅烷,探讨了反应温度、反应压力、反应空时和原料配比对苯基三氯硅烷收率和选择性的影响。结果表明,气相缩合法合成苯基三氯硅烷较好的工艺条件为反应温度600℃,反应压力不低于0.4 M...
以三氯氢硅和氯苯为原料,采用气相缩合法合成苯基三氯硅烷,探讨了反应温度、反应压力、反应空时和原料配比对苯基三氯硅烷收率和选择性的影响。结果表明,气相缩合法合成苯基三氯硅烷较好的工艺条件为反应温度600℃,反应压力不低于0.4 MPa(绝压),反应空时120~180 s,原料氯苯(C6H5Cl)和三氯氢硅(SiHCl3)物质的量之比为1.5~2.5。其中,当反应温度为600℃,反应压力为0.4 MPa(绝压),反应空时为120 s,C6H5Cl和SiHCl3物质的量之比为2.5时,苯基三氯硅烷收率和选择性均为73.33%。
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关键词
苯基三氯硅烷
有机硅
气相缩合法
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职称材料
题名
气相缩合法合成苯基三氯硅烷
被引量:
3
1
作者
黄云龙
刘彤
王金福
机构
清华大学化学工程系
出处
《化学反应工程与工艺》
CAS
CSCD
北大核心
2012年第2期164-167,共4页
文摘
以三氯氢硅和氯苯为原料,采用气相缩合法合成苯基三氯硅烷,探讨了反应温度、反应压力、反应空时和原料配比对苯基三氯硅烷收率和选择性的影响。结果表明,气相缩合法合成苯基三氯硅烷较好的工艺条件为反应温度600℃,反应压力不低于0.4 MPa(绝压),反应空时120~180 s,原料氯苯(C6H5Cl)和三氯氢硅(SiHCl3)物质的量之比为1.5~2.5。其中,当反应温度为600℃,反应压力为0.4 MPa(绝压),反应空时为120 s,C6H5Cl和SiHCl3物质的量之比为2.5时,苯基三氯硅烷收率和选择性均为73.33%。
关键词
苯基三氯硅烷
有机硅
气相缩合法
Keywords
phenylchlorosilane
organic silicon
gas phase condensation method
分类号
TQ203.3 [化学工程—有机化工]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
气相缩合法合成苯基三氯硅烷
黄云龙
刘彤
王金福
《化学反应工程与工艺》
CAS
CSCD
北大核心
2012
3
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