一种纳米材料制备方法的介绍:气相-转移-氧化-沉积法

详细回顾并介绍气相-转移-氧化-沉积法的实验方法。其中详细介绍了实验装置、实验过程、实验条件的选择及产物生长的机理,并以α-和β-Bi2O3纳米线的制备为例,对实验条件,例如,氮气气流、样品收集区域、氧气进气位置与方式、蒸发温度和反应时间等进行系统的回顾。

VTD法制备不同基底倾角的硒化锑薄膜及太阳电池

硒化锑(Sb_(2)Se_(3))具有较高丰度及良好的光电特性,是当前热门太阳电池材料之一。目前,在Sb_(2)Se_(3)的多种制备方法中,气相转移沉积法(VTD)因工艺简单且可大面积制备而备受关注。采用VTD法制备Sb_(2)Se_(3)薄膜的影响因素有多种,如腔体气压、反应温度、蒸发源与衬底的位置以及生长角度等。本文利用VTD法以不同的生长角度(30°、45°、60°、90°)制备了Sb_(2)Se_(3)薄膜,对其进行XRD、Raman、SEM、近红外-紫外反射表征。结果表明不同生长角度对薄膜的结构以及光学特性具有明显的影响。晶粒尺寸随着生长角度的增加而先增大后减小,同时薄膜的形貌由棒状生长转变为片状生长,在基底倾角为90°时,薄膜变得最为致密。近红外-紫外反射光谱表明倾角60°的样品在波长小于1100 nm的范围具有最低的反射率,在该角度下制备的FTO/CdS/Sb_(2)Se_(3)/C器件获得了2.38%的转换效率。