ZnSe单晶CVT法生长与系统优化

采用热力学数值计算的方法,分析了ZnSe-I_2、H_2、HCl和NH_4Cl化学气相输运系统的特性.对比计算结果表明,ZnSe-NH_4Cl系统具有压力高、输运反应焓变适中的特点.NH_3分解产生的H_2起着调节输运组分H_2Se分压的作用.以ZnSe-I_2输运系统中实际输运组分分压值为参考,确定了ZnSe-NH_4Cl系统中单晶生长工艺参数范围:温度在1000℃左右,NH_4Cl的浓度范围在0.5～1.0mg/mL之内.采用该工艺生长了尺寸约为8mm×6mm×4mm的ZnSe单晶,生长态(111)面摇摆曲线半峰宽为60.48″,蚀坑密度(EPD)为(4.5～5.0)×10~4/cm^2.