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低聚型气相缓蚀剂YC-1的研究
被引量:
4
1
作者
刘淑坤
彭乔
王海潮
《腐蚀与防护》
CAS
2002年第8期346-348,共3页
研究开发了一种羧酸盐类低聚型气相缓蚀剂YC 1,采用了经典的失重法和电化学方法对其气相防锈能力进行了评价。结果表明 ,其分子内各个活性单元具有强烈的分子内协同效应 ,使其在海洋性大气下对黄铜具有优良的缓蚀作用 ,对钢铁也有一定...
研究开发了一种羧酸盐类低聚型气相缓蚀剂YC 1,采用了经典的失重法和电化学方法对其气相防锈能力进行了评价。结果表明 ,其分子内各个活性单元具有强烈的分子内协同效应 ,使其在海洋性大气下对黄铜具有优良的缓蚀作用 ,对钢铁也有一定的保护作用。电化学极化曲线研究表明 ,它对金属的阳极过程有明显的抑制作用。
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关键词
低聚型
气
相
缓蚀剂YC-1
研究
海洋性大
气
分子内协同效应
低毒
通用
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职称材料
Ge组分渐变的Si_(1-x-y)Ge_xC_y薄膜的制备
2
作者
李志兵
王荣华
+4 位作者
韩平
李向阳
龚海梅
施毅
张荣
《材料研究学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006年第3期305-308,共4页
用化学气相淀积方法在Si(100)衬底上外延生长了Ge组分最高约0.40的组分渐变的Si1-x-yGexCy合金薄膜, 研究了生长温度等工艺参数的影响.结果表明,生长温度和C2H4分压的提高均导致薄膜中碳组分的增加和合金薄膜晶格常数的减小,这表明外...
用化学气相淀积方法在Si(100)衬底上外延生长了Ge组分最高约0.40的组分渐变的Si1-x-yGexCy合金薄膜, 研究了生长温度等工艺参数的影响.结果表明,生长温度和C2H4分压的提高均导致薄膜中碳组分的增加和合金薄膜晶格常数的减小,这表明外延薄膜中的C主要以替位式存在.C掺入量的变化可有效地调节薄膜的禁带宽度,而提高生长温度有助于改善 Si1-x-yGexCy薄膜的的晶体质量.组分渐变的Si1-x-yGexCy合金薄膜包括由因衬底中Si原子扩散至表面与GeH4、 C2H4反应而生成的Si1-x-yGexCy外延层和由Si1-x-yGexCy外延层中Ge原子向衬底方向扩散而形成的Si1-xGex层.
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关键词
金属材料
Ni
1
-x-uGexCy合金薄膜
化学
气
相
淀积(CVD)
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职称材料
题名
低聚型气相缓蚀剂YC-1的研究
被引量:
4
1
作者
刘淑坤
彭乔
王海潮
机构
大连理工大学化工学院
出处
《腐蚀与防护》
CAS
2002年第8期346-348,共3页
文摘
研究开发了一种羧酸盐类低聚型气相缓蚀剂YC 1,采用了经典的失重法和电化学方法对其气相防锈能力进行了评价。结果表明 ,其分子内各个活性单元具有强烈的分子内协同效应 ,使其在海洋性大气下对黄铜具有优良的缓蚀作用 ,对钢铁也有一定的保护作用。电化学极化曲线研究表明 ,它对金属的阳极过程有明显的抑制作用。
关键词
低聚型
气
相
缓蚀剂YC-1
研究
海洋性大
气
分子内协同效应
低毒
通用
Keywords
Dimer
Vapor phase inhibitor
Marine atmosphere
Intramolecular synergic effect
Low toxicity
All purpose
分类号
TG174.42 [金属学及工艺—金属表面处理]
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职称材料
题名
Ge组分渐变的Si_(1-x-y)Ge_xC_y薄膜的制备
2
作者
李志兵
王荣华
韩平
李向阳
龚海梅
施毅
张荣
机构
南京大学物理系江苏省光电信息功能材料重点实验室
中国科学院上海技术物理所
出处
《材料研究学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006年第3期305-308,共4页
基金
国家自然科学基金60390072国家重点基础研究发展规划G2000068305高等学校博士学科点专项科研基金20050284004资助项目.
文摘
用化学气相淀积方法在Si(100)衬底上外延生长了Ge组分最高约0.40的组分渐变的Si1-x-yGexCy合金薄膜, 研究了生长温度等工艺参数的影响.结果表明,生长温度和C2H4分压的提高均导致薄膜中碳组分的增加和合金薄膜晶格常数的减小,这表明外延薄膜中的C主要以替位式存在.C掺入量的变化可有效地调节薄膜的禁带宽度,而提高生长温度有助于改善 Si1-x-yGexCy薄膜的的晶体质量.组分渐变的Si1-x-yGexCy合金薄膜包括由因衬底中Si原子扩散至表面与GeH4、 C2H4反应而生成的Si1-x-yGexCy外延层和由Si1-x-yGexCy外延层中Ge原子向衬底方向扩散而形成的Si1-xGex层.
关键词
金属材料
Ni
1
-x-uGexCy合金薄膜
化学
气
相
淀积(CVD)
Keywords
metallic materials, Si
1
-x-yGexCy alloy film, chemical vapor deposition(CVD)
分类号
TB383 [一般工业技术—材料科学与工程]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
低聚型气相缓蚀剂YC-1的研究
刘淑坤
彭乔
王海潮
《腐蚀与防护》
CAS
2002
4
下载PDF
职称材料
2
Ge组分渐变的Si_(1-x-y)Ge_xC_y薄膜的制备
李志兵
王荣华
韩平
李向阳
龚海梅
施毅
张荣
《材料研究学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006
0
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职称材料
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