Si抛光片存储中表面起“雾”的研究

存储中Si片起"雾"是Si片存储面临的最大挑战,"雾"缺陷是可见或可印刷的晶体结构,从污染生长而来,已是困扰半导体业界长达10年以上的大问题。半导体制造商们至今还未能提出良好的解决方案。所以研究Si片的"雾"缺陷,并克服"雾"缺陷显得尤为迫切。从实际生产出发,根据实验数据分析和理论推导,建立了一个起"雾"原因基本模型,对引起"雾"缺陷影响因素进行了独立细致的分析,并在这个模型的基础上提出了相对应的有效的解决方案。