直流PCVD方法制备α-Si:D/H薄膜

将 Ar(95%)-SiH_4(2.5%)-D_2(2.5%)混合气体在等离子体直流正辉区用化学气相沉淀(PCVD))方法制备 a-Si:D/H 薄膜.采用双探针技术测量了混合气体等离子体参数,红外照相方法测量了反应腔壁温度.结果表明,基片支架对反应腔的等离子体有干扰,反应腔壁温度分布不均匀;基片温度高的区域薄膜沉淀速率大;加大电源功率可提高薄膜沉淀速率.