氘气处理消除光纤氢敏感性

通过分析光纤的过氧基缺陷,用氘气对成品低水峰光纤进行处理,以降低光纤的氢敏感性。结果表明,氘气处理后光纤在1383nm的氢损值小于0.01dB/km,并且这种抗氢损能力不随时间变化而变化,从而保证了光纤长期使用过程中的稳定性。

用于降低G.657光纤氢损的氘气处理实验研究

氢损现象是导致光纤出现附加吸收损耗的重要因素。以内包层下凹型弯曲不敏感G.657光纤为实验用光纤,分析了弯曲不敏感G.657光纤结构与衰减因素,阐述了氘气消除光纤氢敏感性机理,并设计了光纤氢损实验对氘气处理配方进行了定量数据测试。通过调整氘气的浓度和处理时长两项关键参数,得到了不同实验条件下光纤的附加衰减值。对比实验结果和追踪复测结果均表明,0.9%氘气浓度和80 h氘气处理时长是适合降低弯曲不敏感G.657光纤氢损的氘气处理配方。

200μm光纤氘气处理工艺的优化

通过理论分析及工艺试验,对200μm光纤氘气处理工艺中的氘气浓度、工艺温度及压力进行优化,并根据工艺时间和处理成本指标对各优化后工艺参数的不同组合进行了优选,在氘气浓度为1%,工艺温度为40℃、压力为20kPa条件下实现了最优的工艺时间和处理成本。相比常规245μm单模光纤,200μm单模光纤在上述优化的工艺条件下,氘气处理工艺时间可缩短18%。同时,200μm单模光纤经优化的氘气工艺处理后,氢老化附加衰减可满足IEC等标准的要求,并且对其它通信波段的衰减没有影响,氢老化附加衰减降低是长期有效的。