熔盐电解法制备镨钕金属氟化钡部分替代氟化锂对电解生产影响研究

随着氟化锂价格逐渐攀升,针对熔盐电解生产镨钕金属氟化锂单耗偏高的现象,氟化锂替代或部分替代研究实验再次被提出来,寻求氟化锂替代或部分替代品已经成为稀土熔盐电解行业亟需解决的工作任务之一,因此,进行氟化钡部分替代氟化锂对电解生产的影响研究。研究表明:采用氟化钡对氟化锂进行部分替代,在一定程度上可以降低电解生产过程中氟化锂的消耗,氟化钡替代比为10%~15%时,对金属的质量、产量、一次合格率均影响较小,氟化钡替代比超过15%,其会影响金属的正常电解,造成产量、质量的波动。

掺镧氟化钡晶体的闪烁光慢成分抑制特性

研究不同掺Ｌａ浓度下ＢａＦ２闪烁晶体的慢成分抑制特性对于该晶体的实际应用具有十分重要的意义．通过同步辐射闪烁先衰减时间谱和Ｘ光激发发射光谱的测量，系统地获得了在掺Ｌａ含量小于或等于１％（质量百分比）范围内国产ＢａＦ２：Ｌａ闪烁晶体的快、慢成分抑制比，两种独立方法的实验结果基本吻合．

掺镧抑制氟化钡晶体闪烁光慢成分的机理研究

运用局域密度近似的Ｈａｒｔｒｅｅ－Ｆｏｃｋ－Ｓｌａｔｅｒ理论和嵌入分子集团的方法分别对氟化钡（ＢａＦ２）和掺镧氟化钡（ＢａＦ２：Ｌａ３＋）的能级结构进行了计算，发现掺Ｌａ对抑制ＢａＦ２晶体闪烁光慢成分的直接原因可能并非Ｌａ本身，而是由它所引入的填隙氟离子（Ｆ１）。

大尺寸氟化钡晶体的辐照损伤

采用γ射线对 BaF_2晶体进行辐照试验,并通过测量其辐照前后透光率的变化,研究其辐照损伤.对晶体辐照损伤与晶体生长状况之间的关系的研究结果表明,BaF_2晶体的辐照损伤与晶体中的杂质和缺陷有关,当阳离子杂质浓度降至一定程度以后,氧和氢氧离子成为最有害的杂质,晶体中的缺陷如散射颗粒将导致辐照损伤.由于对晶体生长工艺的改进,大尺寸 BaF_2晶体的抗辐照性能获得了大幅度的提高.在辐照损伤机理方面,可以认为,原先溶解在晶体中的氧在晶体辐照时形成氧离子是引起190～250nm 吸收带的原因,F 色心的形成是产生500～600nm 吸收带的原因.

薄层色谱与红外光谱联用中新型固定相氟化钡的制备及应用

采用氟化钠与氯化钡反应制备了满足薄层色谱-红外光谱联用要求的氟化钡颗粒.该方法虽然可以避免产生干扰红外光谱分析的碳酸钡杂质,但氟化钡的产率偏低.通过电感耦合等离子体(ICP)和X射线粉末衍射(XRD)分析证实,氟化钠与氯化钡反应同时会生成氟氯化钡,在沉淀洗涤过程中,氟氯化钡的溶解会造成钡离子的流失和氟化钡产率的下降.本文采用氟化钠溶液洗涤沉淀制备氟化钡,可使氟氯化钡转化为氟化钡,使氟化钡产率得到明显提高.扫描电子显微镜和纳米粒度仪分析结果表明,制备的氟化钡颗粒的粒径约为100 nm.利用沉降挥发法制备了以氟化钡颗粒为固定相的薄层色谱板,实验结果表明用该薄层色谱板可成功分离罗丹明B和孔雀石绿,分离所得样品可被红外光谱检测且不受固定相的干扰.

氟化钡晶体真空紫外透过率温度特性研究

真空紫外波段存在几个可用于研究电离层物理现象的重要光谱,其中135.6nm的夜气辉是重要的探测谱段,通过对该波段辐射强度的探测可反演出电离层电子密度(TEC)及F2层峰值电子密度。夜气辉发射线中,130.4nm的发射线与135.6nm光谱间隔很近,发射强度与135.6nm强度相当,因此,要实现对135.6nm夜气辉探测需要抑制130.4nm气辉辐射。分别对0.5和1mm厚的真空紫外级别的氟化钡晶体窗口透过率随温度变化特性进行研究,结果表明,氟化钡晶体的短波截止波长随温度的升高向长波方向偏移,在一定温度范围内,氟化钡晶体可以很好地抑制130.4nm辐射,并在135.6nm波段有较高的透过率。与国外相关文献所报道的通过加热SrF2晶体来抑制130.4nm辐射的方式相比,利用氟化钡晶体作为短波截止滤光片,可以将130.4nm的杂散光完全抑制,同时可以降低仪器功耗,对于电离层光学遥感探测有着重要的意义。

大尺寸氟化钡晶体的生长

通过软件模拟设计合理的炉体温场结构,并对晶体原料的提纯及生长工艺条件进行优化,采用改进的坩埚下降法成功地制备出了大尺寸、高质量的氟化钡晶体。晶体的透过率在0.2～10μm波长范围内高于85%,最高透过率约为94%。

氟化钡晶体光学透射的伽马辐照诱导损伤效应

用脱氧剂非真空环境下 Stockbager 方法生长未掺和掺 La 的 BaF_2晶体.测量块状晶体光学透射的^(60)Co 的10~6radγ辐照损伤效应,提供辐照过程中色心形成和辐照后短期恢复信息,经退火和乙醇抛光后晶体透射已完全恢复到未辐照前的值.

基于反射滤光方法的氟化钡快响应γ射线探测技术

测量和分析了氟化钡(BaF2)晶体的基本光谱特性;设计并研制了一种反射式紫外带通滤光器,用于抑制BaF2晶体630ns慢响应荧光成分并获取0.6ns快响应荧光成分,快慢成分之比提高了102以上。基于该滤光器和BaF2晶体,研制了ns级时间响应γ射线探测器,可用于强流快脉冲γ射线测量。

大尺寸高质量掺钇氟化钡闪烁晶体的透光特性

氟化钡(BaF2)晶体是一种具有亚纳秒快闪烁成分的独特无机闪烁体,但其~600 ns的慢闪烁成分会在高计数率应用时引起严重的信号堆积问题,我们近期研究结果表明,1at%的Y掺杂即可有效抑制该慢闪烁成分。本研究采用真空坩埚下降法成功生长出大尺寸、高钇掺杂(3at%)的BaF2晶体,加工出的200 mm长BaF2:3at%晶体无肉眼可见包裹体和开裂等宏观缺陷,在200~800 nm范围内的光学透过率接近理论计算值,表明大尺寸BaF2:Y晶体的光学透过率和均匀性得到了显著地改善,有望应用于高能物理强度前沿实验等重要领域。

钠铝氟化物包覆BaF_2材料上转换发光性能

采用水热法合成了一种非稀土上转换发光材料,由钠铝氟化物和BaF2组成。采用X射线衍射(XRD)、傅里叶红外光谱(FTIR)和扫描电镜(SEM)对其进行了表征,分析表明,钠铝氟化物主要以NaF和Na3AlF6两种晶态存在于BaF2晶体表面,形成化学复合,呈现包覆结构。荧光光谱测试表明,样品在583nm可见光和863nm近红外光室温激发下,均能产生304和324nm的宽波段紫外光发射。时间分辨光谱表明,发光均有一个上升和衰减过程,衰减大约自15ms开始,磷光寿命大于18.4ms。借助上转换发光能量转换过程对发光机理进行了研究,分析表明,发光源于量子限制效应的带间光吸收和界面缺陷的光吸收,发光机制属于量子限制效应-界面发光中心复合发光。

氟化钡晶体电注入着色(英文)

在不同的温度,电压和时间条件下,经点阴极电注入,有效地使氟化钡晶体着色。在室温下,分别对着色前后的晶体进行系统光谱测量。在着色前的氟化钡晶体中未观测到明显的吸收峰。在着色后的氟化钡晶体中,观测到大量的F和FA色心以及一些未知色心。对不同电注入温度、电压和时间条件下的着色氟化钡晶体光谱进行比较分析,得到了经点阴极电注入着色氟化钡晶体色心强度随着色温度,电压和时间的变化规律并给出了色心形成机理以及色心强度随温度、电压和时间变化机理。

氟化钡晶体电注入着色临界温度及光谱特性

利用用自行研制的电注入实验装置,对氟化钡晶体进行电注入并使之有效着色.由基本理论得到氟化钡晶体电注入临界温度,着色氟化钡晶体产生大量F和FA色心.研究结果表明,经电注入氟化钡晶体,F色心首先在阴极附近产生,而且室温下F色心很不稳定.

添加氟化物对硅灰石玻璃陶瓷性能的影响

以钙铝黄长石、废玻璃粉为主要原料,分别添加MgF2、BaF2及复合氟化物,用反应析晶烧结法制备硅灰石玻璃陶瓷。使用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)对样品的物相和形貌进行表征。对添加不同氟化物制备的硅灰石玻璃陶瓷进行了密度、收缩率、气孔率、吸水率、抗弯强度、抗压强度等性能测试。结果表明,添加MgF2、BaF2或复合氟化物制备的玻璃陶瓷主晶相均为硅灰石。添加MgF2可促使硅灰石玻璃陶瓷大量析晶,密度较低,吸水率和气孔率均较高,抗压强度大大降低。添加BaF2或复合氟化物具有较低的吸水率和气孔率,较高的密度,以及较高的抗弯强度和抗压强度。添加复合氟化物后可通过玻璃陶瓷的自收缩作用实现其烧结致密化,当添加5%MgF2与5%BaF2后,制得的硅灰石玻璃陶瓷体积密度2.432 2 g/cm^3,相对密度90.93%,气孔率0.27%,吸水率0.06%,抗弯强度54 MPa,抗压强度239 MPa。

冰洲石/氟化钡紫外偏光镜特性分析

分析了冰洲石 /氟化钡紫外偏光镜在正向使用时透射光束的偏移角及影响因素 ;指出了该种偏光镜反向使用时等效于罗匈棱镜 ,并计算了分束角的大小。

氟化钡合成工艺进展

氟化钡是一种重要的无机氟化物,主要应用于电子、冶金工业、仪表和防腐剂等。简单介绍了氟化钡的应用及市场情况,并对干法合成和湿法合成这2种生产方法做了详细论述,讨论了各工艺方法的生产原理、工艺流程、研究状况,并对工艺的优缺点做了评价。列举了氟化钡的指标、提纯及目前研究的热点。最后指出了氟化钡行业的发展方向。

冰洲石/氟化钡紫外偏光镜压缩光束作用的分析

本文分析了冰洲石/氟化钡紫外偏光镜对光束的压缩作用,找出了与光束压缩程度有关的偏光镜的参数。分析结果表明:这种偏光镜对265nm波长的光束只有2.3%的压缩作用,在使用中可以忽略。

冰洲石/氟化钡紫外偏光镜正反向入射时的特性分析

分析了冰洲石/氟化钡紫外外偏光镜在正向使用时透射光束的偏离角及影响因素;指出了该种偏光镜反向使用时等效于罗匈棱镜,并计算了分束角的大小;对这两个特性进行了测试。结果表明:其反向使用时的分束角在265nm—768nm波段内为8°左右,随波长的起伏在9 679°—7 138°之间。反向使用时可以作为性能优良的紫外偏光分束镜,且反向使用时的消光比要优于正向使用时的消光比。

高纯氟化钡的制备

高纯氟化钡的制备韩汉民（安徽师范大学化学系·芜湖·２４１０００）氟化钡用于防腐剂，金属热处理，陶瓷、搪瓷、玻璃制造等。特纯ＢａＦ＿２是氟化玻璃的主要成分之一，氟化玻璃在科学技术的各个部门得到了愈来愈广泛的应用。近代ＢａＦ＿２的制造是通过如下反应￣［１...

氟化钡晶体的辐照损伤与恢复

氟化钡（ＢａＦ２）晶体是碱土氟化物晶体，无色透明，属立方晶系结构，具有从真空紫外到红外波长范围的透光特性。７０年代初发现其闪烁特性并对它进行研究后发现：在ＢａＦ２晶体的发射光谱中其峰值波长为２２０ｎｍ处有一荧光衰减时间常数为０．６ｎｓ的快成分，同时ＢａＦ２晶体又被认为是最抗辐照的无机闪烁体，使它在高能物理、核医学等领域有着广泛的应用前景，从而引起了人们的兴趣。无色透明的ＢａＦ２晶体受到高能粒子或射线照射后往往会着色，使透过率降低，荧光输出减少，造成所谓的辐照损伤。我们对下述三类晶体进行了辐照损伤的试验：（１）不同条件下生产的晶体；（２）同一晶体的不同生长部位；（３）进行水解处理的晶体试验。方法是测试上述三类晶体辐照前后的吸收光谱和透射光谱，对它们进行比较。以此对辐照损伤的机理进行了讨论；对恢复ＢａＦ２晶体辐照损伤的方法也进行了试验。认为在生长工艺稳定，晶体结晶基本完整的前提下，ＢａＦ２晶体的抗辐照性能与晶体中杂质含量的多少有关；当阳离子杂质下降到一定的数量级后，晶体中氧和氢氧离子成为最有害的杂质。本文实验所用的ＢａＦ２晶体皆用真空下降法生长；用ＡｃｔｏｎＶＭ５０５，ＧｒａｐｈｉｃｏｒｄＵＶ２０４和Ｎｉｃｏｌ?