钼离子增强β-NaRMF 4纳米线的光致发光性能

采用共沉淀-溶剂热-离子交换(CSIE)法制备了0~20%(摩尔分数,下同)的钼离子(Mo 3+)掺杂的稀土氟化物上转换纳米线(UCNW)β-NaRMF 4。X射线衍射(XRD)分析表明,Mo 3+掺杂可以改变β-NaRMF 4纳米线的晶格结构,导致其(201)晶面衍射峰发生偏移。透射电子显微镜(TEM)结果显示,通过控制Mo 3+掺杂量,改变纳米线在三维方向的生长速度,进而调控β-NaRMF 4纳米线的形貌,可使得其直径在20~50 nm范围内变化,长径比在20~500之间变化。荧光光谱显示,在980 nm近红外光激发下,10%Mo 3+掺杂导致β-NaRMF 4纳米线的上转换发光(UCL)增强了10倍。复合材料的上转换发光测试结果表明,β-NaRMF 4:Mo 3+纳米线增强体可赋予聚氨酯(PU)优异的光致发光性能,同时使聚氨酯的抗拉强度提高了99.30%,断裂伸长率提高了25.34%。

GdF_3∶Eu^(3+)和NaGdF_4∶Eu^(3+)发光粉的可控合成与发光性质

采用聚乙烯吡咯烷酮(PVP)辅助水热法合成了GdF3∶Eu3+和NaGdF4∶Eu3+发光粉。利用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜和荧光光谱对样品的结构、形貌和发光性能进行了研究。XRD分析表明:GdF3晶相到NaGdF4晶相的转换可以通过改变初始溶液pH值、PVP加入量和NaF与稀土离子(Gd3+和Eu3+)摩尔配比等合成条件实现。NaGdF4∶Eu3+发光粉的形貌受合成条件的影响。荧光光谱研究表明:GdF3∶Eu3+发光粉主发射峰位于593nm处,来自于Eu3+的5 D0→7 F1磁偶极跃迁;NaGdF4∶Eu3+发光粉主发射峰位于616nm,来自于Eu3+的5 D0→7 F2电偶极跃迁。2个样品中Gd3+与Eu3+离子之间存在较好的能量传递,而NaGdF4晶格更有利于2种离子的能量传递。