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157nm光刻技术的进展
被引量:
1
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作者
童志义
葛劢冲
《电子工业专用设备》
2006年第2期13-17,52,共6页
概述了作为下一代光刻技术之一的157nmF2准分子激光光刻技术的进展及各公司157nm曝光设备的开发现状。介绍了157nm光刻中各种制约因素,如CaF2材料的双折射现象、真空环境的排气及污染控制、保护薄膜的选择、折反射光学系统的选择与设计...
概述了作为下一代光刻技术之一的157nmF2准分子激光光刻技术的进展及各公司157nm曝光设备的开发现状。介绍了157nm光刻中各种制约因素,如CaF2材料的双折射现象、真空环境的排气及污染控制、保护薄膜的选择、折反射光学系统的选择与设计及新型抗蚀剂的开发等问题随着时间的推进已基本得到解决。最后讨论了157nm光刻技术在45nm及以下节点器件图形曝光引入的可能性和采用浸液式157nm光刻进入32nm技术节点器件图形曝光的潜力。
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关键词
157
nm光刻
氟化钙材料
局部反射光斑
双折射
折反射光路
保护薄膜
污染控制
浸液式光刻
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职称材料
题名
157nm光刻技术的进展
被引量:
1
1
作者
童志义
葛劢冲
机构
中国电子科技集团公司第四十五研究所
出处
《电子工业专用设备》
2006年第2期13-17,52,共6页
文摘
概述了作为下一代光刻技术之一的157nmF2准分子激光光刻技术的进展及各公司157nm曝光设备的开发现状。介绍了157nm光刻中各种制约因素,如CaF2材料的双折射现象、真空环境的排气及污染控制、保护薄膜的选择、折反射光学系统的选择与设计及新型抗蚀剂的开发等问题随着时间的推进已基本得到解决。最后讨论了157nm光刻技术在45nm及以下节点器件图形曝光引入的可能性和采用浸液式157nm光刻进入32nm技术节点器件图形曝光的潜力。
关键词
157
nm光刻
氟化钙材料
局部反射光斑
双折射
折反射光路
保护薄膜
污染控制
浸液式光刻
Keywords
157 nm lithography
Calcium fluoride material
Local flare
Catadioptric path
Birefingence
Pellicles
Contamination control
Liquid immersion lithography
分类号
TN305.7 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
157nm光刻技术的进展
童志义
葛劢冲
《电子工业专用设备》
2006
1
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