氟离子注入对TiAlNb合金高温氧化性能的影响

采用等离子体氟离子注入,对TiAlNb合金基体进行了表面氟化处理,研究了不同注入剂量的试样在800℃和900℃下的高温氧化动力学行为。结果表明,氟离子注入可显著地改善钛铝合金的高温抗氧化性。X射线和扫描电镜对氧化层物相和组织结构分析结果表明,氟离子注入后的TiAlNb合金在高温氧化过程中生成了一层致密的Al2O3氧化阻挡层,该阻挡层能有效阻止氧向合金基体的扩散,从而大大提高合金的高温氧化抗力。

氟等离子体离子注入Au/Ni/n-GaN二极管特性研究

研究了氟等离子体离子注入对Au/Ni/n-GaN二极管的电学和光学特性的影响。结果表明,离子注入后,器件的反向泄漏电流从1×10-5 A降低至1×10-12 A (偏压为-5 V),整流特性获得显著提高;器件的内建势垒高度从1.30 eV增至3.22 eV,接近GaN的禁带宽度,表明最高价带处产生了高浓度的空穴;器件能够实现紫外光探测,在偏压为-5 V时,紫外/可见光抑制比约为1×103,最高响应度约为0.045 A/W,最大外量子效率约为15.5%,瞬态响应平均衰减时间常数约为35 ms。由此可见,氟等离子体离子注入是调节Au/Ni/n-GaN二极管电学和光学性能的有效手段之一。

BF_2^+注入多晶硅栅F迁移特性的分析与模拟

在深入分析ＢＦ＋２注入多晶硅栅Ｆ在多晶硅栅中迁移特性的基础上，建立了Ｆ在多晶硅栅中的迁移方程．采用有限差分法，模拟了ＢＦ＋２注入多晶硅栅Ｆ在多晶硅栅中的分布．模拟结果与二次离子质谱（ＳＩＭＳ）分析结果相符．给出了８０ｋｅＶ，２×１０１５ｃｍ－２ＢＦ＋２注入多晶硅栅９００℃，３０ｍｉｎ退火条件下Ｆ在多晶硅中的发射系数ｅ＝６×１０－２ｓ－１，Ｆ在多晶硅晶粒间界的扩散系数Ｄｂ＝７．６４×１０－１２ｃｍ／ｓ，Ｆ在多晶Ｓｉ／ＳｉＯ２界面的吸收系数Ｓ１＝１．７４×１０－３ｓ－１，以及Ｆ在多晶硅中的损伤吸收系数Ｓ１＝７．３２×１０－４ｓ－１．