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氢元素对铟镓锌氧化物薄膜晶体管性能的影响
被引量:
1
1
作者
邵龑
丁士进
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2018年第9期22-29,共8页
对国际上有关铟镓锌氧化物薄膜晶体管中氢元素的来源、存在形式、表征方法以及对器件性能的影响进行了综述.氢元素是铟镓锌氧化物薄膜晶体管中最为常见的杂质元素,能以正离子和负离子两种形式存在于薄膜晶体管的沟道中,并对器件性能和...
对国际上有关铟镓锌氧化物薄膜晶体管中氢元素的来源、存在形式、表征方法以及对器件性能的影响进行了综述.氢元素是铟镓锌氧化物薄膜晶体管中最为常见的杂质元素,能以正离子和负离子两种形式存在于薄膜晶体管的沟道中,并对器件性能和电学可靠性产生影响.对铟镓锌氧化物薄膜晶体管而言,沟道中氢元素浓度越高,其场效应迁移率越高、亚阈值摆幅越小、器件的电学稳定性也越好.同时,工艺处理温度过低或过高都不利于其器件性能的改善,通常以200—300?C为宜.
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关键词
铟镓锌氧化物
薄膜晶体管
氢元素杂质
电学可靠性
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职称材料
题名
氢元素对铟镓锌氧化物薄膜晶体管性能的影响
被引量:
1
1
作者
邵龑
丁士进
机构
复旦大学微电子学院
出处
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2018年第9期22-29,共8页
基金
国家自然科学基金(批准号:61474027)资助的课题.
文摘
对国际上有关铟镓锌氧化物薄膜晶体管中氢元素的来源、存在形式、表征方法以及对器件性能的影响进行了综述.氢元素是铟镓锌氧化物薄膜晶体管中最为常见的杂质元素,能以正离子和负离子两种形式存在于薄膜晶体管的沟道中,并对器件性能和电学可靠性产生影响.对铟镓锌氧化物薄膜晶体管而言,沟道中氢元素浓度越高,其场效应迁移率越高、亚阈值摆幅越小、器件的电学稳定性也越好.同时,工艺处理温度过低或过高都不利于其器件性能的改善,通常以200—300?C为宜.
关键词
铟镓锌氧化物
薄膜晶体管
氢元素杂质
电学可靠性
Keywords
indium-gallium-zinc oxide, thin film transistor, hydrogen impurity, electrical stability
分类号
TN321.5 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
氢元素对铟镓锌氧化物薄膜晶体管性能的影响
邵龑
丁士进
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2018
1
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